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표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 기판

  • 기술번호 : KST2015169474
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 기판에 관한 것이다.본 발명에 따른 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법은 나노 패턴이 형성되어 있는 마스터 기판에 고분자 물질을 도포하는 고분자 물질 도포단계, 상기 마스터 기판에 도포되어 있는 고분자 물질을 경화하는 고분자 물질 경화단계, 상기 마스터 기판으로부터 상기 고분자 물질을 분리하여 상기 마스터 기판에 형성되어 있는 나노 패턴이 전사되어 있는 고분자 기판을 형성하는 고분자 기판 형성단계 및 상기 고분자 기판의 나노 패턴 상에 금속 박막을 형성하는 금속 박막 형성단계를 포함하여 구성된다.본 발명에 따르면, 높은 반복 재현성과 더불어 제조비용이 낮고, 핫스팟(hot spots)의 유도가 효율적으로 이루어져 물질의 검출 감도를 향상시킬 수 있는 표면증강라만산란 분광용 기판 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다.
Int. CL G01J 3/44 (2006.01) G01N 21/65 (2006.01)
CPC G01N 21/65(2013.01) G01N 21/65(2013.01) G01N 21/65(2013.01) G01N 21/65(2013.01)
출원번호/일자 1020110064227 (2011.06.30)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1243634-0000 (2013.03.08)
공개번호/일자 10-2013-0003141 (2013.01.09) 문서열기
공고번호/일자 (20130315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 손준호 대한민국 경상북도 경산시
3 유철종 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0499931-12
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0561157-60
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0959405-10
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-1064149-13
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1064150-59
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0125895-66
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법에 있어서,나노 패턴이 형성되어 있는 마스터 기판에 고분자 물질을 도포하는 고분자 물질 도포단계;상기 마스터 기판에 도포되어 있는 고분자 물질을 경화하는 고분자 물질 경화단계;상기 마스터 기판으로부터 상기 고분자 물질을 분리하여 상기 마스터 기판에 형성되어 있는 나노 패턴이 전사되어 있는 고분자 기판을 형성하는 고분자 기판 형성단계;상기 나노 패턴이 형성되어 있는 고분자 기판을 지지 홀더에 증착 방향에 대하여 경사지게 배치하는 고분자 기판 배치단계; 및상기 고분자 기판에 형성되어 있는 나노 패턴의 일부 영역 상에 금속 물질을 경사 증착하여 금속 박막을 형성하는 금속 박막 형성단계를 포함하는, 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법
3 3
삭제
4 4
제2 항에 있어서,상기 고분자 기판의 나노 패턴 상에 형성되어 있는 금속 박막 상에 금속 나노 입자를 도포하는 금속 나노 입자 도포단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법
5 5
제2 항에 있어서,상기 금속 박막은 Au, Ag, Al, Pt로 이루어진 군에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법
6 6
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7 7
제4 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 Au, Ag, Al, Pt로 이루어진 군에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법
8 8
제2 항에 있어서,상기 마스터 기판에 형성되어 있는 나노 패턴은 나노 임프린트 방식, 포토 리소그래피 방식, 전자빔 리소그래피 방식, 습식 에칭 방식, 자기정렬 나노 구조체 형성 방식, 알루미늄양극산화 방식 중 어느 하나를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는, 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법
9 9
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발