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탄소 박막 제조 방법
- 기술번호 : KST2015169475
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 탄소 박막 제조 방법, 탄소 박막 및 탄소 박막을 포함한 전자 소자가 제공된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01M 8/02 (2014.01) C01B 31/02 (2014.01) H01L 51/50 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) |
| CPC | C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110070032 (2011.07.14) |
| 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1271827-0000 (2013.05.30) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0010142 (2012.02.02) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130607) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020100071062 | 2010.07.22
|
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.07.14) |
| 심사청구항수 | 21 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 변선정 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 2 | 최희철 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 3 | 이태우 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 경상북도 포항시 남구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0542765-38 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.08.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.09.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0072516-28 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.11.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0685828-62 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0036565-03 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.01.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0036567-94 |
| 7 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2013.03.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0272933-71 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.05.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0364837-12 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상에 코팅 공정을 이용하여 고분자막을 형성하는 단계;상기 고분자막 상에 보호막을 형성하는 단계; 및상기 기판을 열처리하여, 상기 기판 상에 탄소 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 2 |
2 제1항에 있어서,상기 기판이 실리콘, 실리콘 산화물, 금속 호일, 스테인레스 스틸, 금속 산화물, 금속 산화물, HOPG(Highly Ordered Pyrolytic Graphite), 헥사고날 보론 나이트라이드(Hexagonal Boron Nitride:h-BN), c-plane 사파이어 웨이퍼 (c-plane sapphire wafer), ZnS (Zinc Sulfide), 고분자 기판 또는 이들 중 2 이상의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 3 |
3 제1항에 있어서,상기 고분자막의 고분자가, 탄소 및 수소를 포함하고, 600℃ 이하의 열분해 온도(Thermal Decomposition Temperature)를 가지며, 비공액성 주쇄 사슬(non-conjugated main chain)을 갖는 절연성 고분자를 포함한 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 4 |
4 제1항에 있어서,상기 고분자막의 고분자가 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위(repeating unit), 하기 화학식 2로 표시되는 반복 단위 및 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법:003c#화학식 1003e# 003c#화학식 2003e# 003c#화학식 3003e#상기 화학식 1 내지 3 중,Y1은 N 또는 C(R11)이고;Y2는 O, S, N(R12) 또는 C(R13)(R14)이고;Y3 및 Y4는 서로 독립적으로, N 또는 C(R15);R1 내지 R15는 서로 독립적으로, 수소기 (H), 니트로기(-NO2), 시아노기(-CN), 히드록실기(-OH), 카르복실산기(-COOH), 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C5-C20사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴에스테르기, 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴에스테르기 및 -N(Q1)(Q2)로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 Q1 내지 Q2는 서로 독립적으로, 수소, C1-C30알킬기, C6-C30아릴기 및 C2-C30헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고;A1은 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로아릴기이고; 및상기 ＊는 이웃한 반복 단위와의 결합 사이트이다 |
| 5 |
5 제4항에 있어서,상기 고분자가 상기 화학식 1로 표시되는 반복 단위로 이루어지고, 상기 화학식 1 중, Y1이 N인 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 6 |
6 제4항에 있어서, 상기 고분자가 상기 화학식 2로 표시되는 반복 단위로 이루어지고, 상기 화학식 2 중, Y2가 O인 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 7 |
7 제4항에 있어서, 상기 고분자가 상기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위로 이루어지고, 상기 화학식 2 중, A1이 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기(naphthyl), 또는 치환 또는 비치환된 피리디닐기(pyridinyl)인 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 8 |
8 제1항에 있어서,상기 고분자막 형성 단계가, 상기 기판 상에 상기 고분자 및 용매를 포함한 제1혼합물 또는 상기 고분자의 전구체 및 용매를 포함한 제2혼합물을 코팅 공정을 이용하여 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 9 |
9 제1항에 있어서, 상기 보호막이 800℃ 이상의 녹는점을 갖는 물질을 포함한 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 10 |
10 제1항에 있어서, 상기 보호막이 금속, 금속 산화물, 세라믹, 반도체 산화물 및 반도체 질화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 11 |
11 제1항에 있어서, 상기 보호막이 구리(Cu), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 구리 산화물, 니켈 산화물, 팔라듐 산화물, 알루미늄 산화물, 몰리브덴 산화물, 질화 갈륨 (GaN), 질화 실리콘 (SiN), 실리콘 산화물 (SiO2) 또는 이들 중 2 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막의 제조 방법 |
| 12 |
12 제1항에 있어서, 상기 열처리를, 상기 고분자막에 포함된 고분자들이 탄화(carbonized)될 수 있는 조건 하에서 수행하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 13 |
13 제1항에 있어서,상기 열처리를 불활성 분위기 또는 진공 분위기 하에서, 상기 고분자막에 포함된 고분자의 열분해 온도 이상 2500℃ 이하의 온도 범위 및 30초 내지 5일의 시간 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 14 |
14 제1항에 있어서,상기 열처리 수행 전 상기 보호막 및 고분자 막을 소정 패턴을 따라 패터닝하는 단계 및 상기 열처리 수행 후 상기 탄소 박막을 소정 패턴을 따라 패터닝하는 단계 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 15 |
15 제1항에 있어서, 상기 탄소 박막이 그래파이트 시트, 그래핀 시트 및 비정질 탄소 시트로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 16 |
16 제1항에 있어서,상기 고분자막 형성 단계 전, 상기 기판 상에 촉매막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 17 |
17 제16항에 있어서,상기 촉매막이 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Rh), 실리콘(Si), 탄탈(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄, 바나듐(V), 지르코늄(Zr) 또는 이들 중 2 이상의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 18 |
18 제1항에 있어서,상기 보호막 형성 단계 전, 상기 고분자막을 사전(pre)-열처리하여, 상기 고분자막을 안정화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 빙법 |
| 19 |
19 제1항에 있어서,상기 탄소 박막 형성 단계 후, 상기 보호막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 20 |
20 제16항에 있어서,상기 탄소 박막 형성 단계 후, 상기 촉매막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 21 |
21 제1항에 있어서,상기 탄소 박막 형성 단계로부터 수득한 탄소 박막을 다른 기판으로 전사하는 단계를 더 포함하는 탄소 박막 제조 방법 |
| 22 |
22 삭제 |
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| 25 |
25 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN102515135 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | JP05620348 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | JP24025653 | JP | 일본 | FAMILY |
| 4 | US09159924 | US | 미국 | FAMILY |
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DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN102515135 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | CN102515135 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | DE102011052041 | DE | 독일 | DOCDBFAMILY |
| 4 | JP2012025653 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 5 | JP5620348 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 6 | US2012021250 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 7 | US9159924 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 포항공과대학교 산학협력단 | 기후변화대응기초원천기술 | 용액공정을 통한 고효율 탠덤 유기 태양 전지 구현을 위한 원천 기술 연구 |
| 2 | 교육과학기술부 | 포항공과대학교 산학협력단 | 일반_신진연구 | 고효율 및 장수명을 위한 유기 태양 전지의 전하추출층 및 계면 조절 연구 |
| 3 | 교육과학기술부 | 포항공과대학교 산학협력단 | 일반_기본_개인 | 유기 반도체 나노 와이어 전자 소자 연구 개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1271827-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110714 출원 번호 : 1020110070032 공고 연월일 : 20130607 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130528 청구범위의 항수 : 21 유별 : C01B 31/02 발명의 명칭 : 탄소 박막 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20180531 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 432,000 원 | 2013년 05월 30일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 351,400 원 | 2016년 04월 01일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 351,400 원 | 2017년 03월 31일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.07.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0542765-38 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.08.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2012.09.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0072516-28 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2012.11.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0685828-62 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0036565-03 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.01.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0036567-94 |
| 7 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2013.03.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0272933-71 |
| 8 | 등록결정서 | 2013.05.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0364837-12 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345128470 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0093524 |
| 연구과제명 | 용액공정을 통한 고효율 탠덤 유기 태양 전지 구현을 위한 원천 기술 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200909~201509 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345212249 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R31-2012-000-10059-0 |
| 연구과제명 | 첨단 기능성 신물질 시스템 기초 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200812~201308 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345144977 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0075025 |
| 연구과제명 | 유기 반도체 나노 와이어 전자 소자 연구 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200905~201204 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345149686 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0067533 |
| 연구과제명 | 고효율 및 장수명을 위한 유기 태양 전지의 전하추출층 및 계면 조절 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200905~201204 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345155806 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2005-2001325 |
| 연구과제명 | 초고감도 및 다채널 신호전달용 탄소나노튜브 및 탄소나노구조체 기반 바이오전자소자 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200504~201403 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | BT(생명공학기술) |
특허성과
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|---|---|---|
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