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습식식각형 버퍼층을 이용한 수직형 발광다이오드 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015169489
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 습식 식각형 버퍼층을 이용한 수직형 발광다이오드의 에피성장과 버퍼층의 형성 시 자발적으로 발생하는 표면 나노 구조체를 통해 광 추출 효율이 향상된 수직형 발광다이오드를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 습식 식각형 버퍼층을 적용하게 되면 종래의 레이저 리프트 오프 기술에 비해 낮은 제조 단가로 수직형 발광 다이오드를 제작할 수 있으며 평탄한 n형 반도체 표면을 가지는 수직 발광다이오드에 비해 광출력이 2~3배 이상 증가할 수 있어 고출력 발광다이오드에 적합하게 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 방법은 제조단가가 높으며 대면적 웨이퍼 공정에의 적용이 어려운 전자선 리소그래피 패터닝을 사용하지 않기 때문에, 일반적인 나노구조물 형성방법에 비하여 단시간 내에 나노구조물을 형성할 수 있는 특징이 있어, 대면적 적용이나 제조단가, 그리고 공정시간 단축의 효과를 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020110008583 (2011.01.28)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1238169-0000 (2013.02.21)
공개번호/일자 10-2012-0099544 (2012.09.11) 문서열기
공고번호/일자 (20130227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유학기 대한민국 경상북도
2 송양희 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0069738-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2012-0055880-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0415189-85
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0760363-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0853084-05
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0853083-59
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0105416-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판상에 박막을 형성하는 과정에서 자발적으로 요철부가 형성되며, 습식식각이 가능한 물질로 이루어진 버퍼층을 형성하는 단계;(b) 상기 버퍼층의 상부에 순차적으로 n형 반도체, 활성층 및 p형 반도체를 형성하는 단계; (c) 상기 p형 반도체의 전극을 형성하는 단계;(d) 상기 p형 반도체 상에 금속 지지층을 형성하는 단계; 및 (e) 습식식각을 통해 버퍼층을 제거하여 기판을 분리함과 동시에, 상기 버퍼층의 요철부가 상기 n형 반도체에 전사되도록 하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 MgO, CaO, BaO, SrO, TiN, TaN, ZrN, CrN, NiO, CoO, MnO, TiO, CdO, VO, CsCl, CsBr, CsI 및 Y2O3 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 요철부 각각의 크기는 10nm ~ 10㎛인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층 상부에 형성되는 반도체는 Si, Ge, GaAs, ZnSe, ZnS, CdSe, ZnO, SiGe, AlP, AlN, GaN, InN, InAs, Graphene,GaP, InP 및 ZnTe 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 금속 지지층은 단원자 금속 또는 이의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 습식식각은 HCl을 포함하는 용액에서 1분 ~ 60분간 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계 전에, 추가로 상기 요철부 상에 나노선 또는 나노막대를 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 180LW/W급 고효율 나노기반 LED 개발