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보호층이 있는 모기판을 이용한 플렉서블 금속 기판과 플렉서블 전자소자의 제조방법
- 기술번호 : KST2015169493
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 본 발명은 플렉서블 전자소자의 제조방법과 이 방법에 의해 제조된 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 전자소자에 사용되는 플렉서블 금속 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 플렉서블 금속 기판의 제조방법은 모기판 상에 산성 도금 용액 또는 염기성 도금 용액에 대해 내부식성을 갖는 보호층을 형성하는 보호층 형성단계, 상기 모기판 상에 형성되어 있는 보호층 상에 플렉서블 금속 기판을 전기 도금 방식으로 형성하는 플렉서블 금속 기판 형성단계, 상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판에 형성되어 있는 보호층으로부터 분리시키는 플렉서블 금속 기판 분리단계 및 상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 금속 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 전자소자 형성단계를 포함하여 구성되고, 상기 모기판은 도전성이 있는 음극이며, 상기 플렉서블 금속 기판이 형성되는 보호층의 표면 거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10 ㎛ × 10 ㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0 003c# Rms 003c# 100 ㎚, 0 003c# Rp-v 003c# 1000 ㎚로 조절되는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 유리 기판 수준의 높은 공정 온도가 가능하고, 낮은 표면 거칠기, 낮은 열팽창 계수 및 우수한 핸들링 특성을 갖는 새로운 구조의 플렉서블 금속 기판을 포함하는 플렉서블 전자소자 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다. |
|---|---|
| Int. CL | G02F 1/1333 (2006.01) H01J 9/24 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01) |
| CPC | H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110089324 (2011.09.04) |
| 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0026008 (2013.03.13) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 거절 |
| 심사진행상태 | 발송처리완료 |
| 심판사항 | 심판사항 |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.09.04) |
| 심사청구항수 | 42 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이종람 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 2 | 김기수 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 3 | 김성준 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 4 | 이일환 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 5 | 구본형 | 대한민국 | 경기도 안양시 동안구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인아이엠 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.09.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0689925-05 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2011.09.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0082350-20 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.09.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0707332-53 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.04.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0030639-62 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.12.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0747120-99 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.02.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0117144-17 |
| 8 | 보정요구서 Request for Amendment |
2013.02.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0018790-30 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0201748-88 |
| 10 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2013.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0147383-60 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0304596-72 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.04.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0304583-89 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 14 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.08.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0533794-67 |
| 15 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.08.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0783855-59 |
| 16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.08.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0783856-05 |
| 17 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2014.01.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0060185-45 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 19 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2014.02.26 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-0186533-16 |
| 20 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.02.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0186537-98 |
| 21 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2014.03.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0208612-77 |
| 22 | 심사관의견요청서 Request for Opinion of Examiner |
2014.06.09 | 수리 (Accepted) | 7-8-2014-0014381-21 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 25 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 모기판 상에 산성 도금 용액 또는 염기성 도금 용액에 대해 내부식성을 갖는 보호층을 형성하는 보호층 형성단계;상기 모기판 상에 형성되어 있는 보호층 상에 플렉서블 금속 기판을 전기 도금 방식으로 형성하는 플렉서블 금속 기판 형성단계; 상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판에 형성되어 있는 보호층으로부터 분리시키는 플렉서블 금속 기판 분리단계; 및상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 금속 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 전자소자 형성단계를 포함하고,상기 모기판은 도전성이 있는 음극이며,상기 플렉서블 금속 기판이 형성되는 보호층의 표면 거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10 ㎛ × 10 ㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0 003c# Rms 003c# 100 ㎚, 0 003c# Rp-v 003c# 1000 ㎚로 조절되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 모기판은 도전성을 갖는 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 모기판은 Cu, Fe, Al 및 Mo 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 모기판은 시트 박판 또는 스트립 박판 또는 롤 형상인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 보호층은 상기 모기판의 표면을 산화 처리 또는 질화 처리하여 형성된 부동태 피막인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서,상기 모기판 표면에 형성된 부동태 피막의 두께는 1 nm 이상 15 nm 이하인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 보호층은 Ni, Mo 및 Cr 중 적어도 하나를 포함하는 Fe 합금인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 보호층은 Ti 또는 Ti 합금인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 보호층은 상기 산성 도금 용액 또는 상기 염기성 도금 용액에 대해 내부식성을 갖는 귀금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서,상기 보호층은 Au, Pt, Ir 및 Ru으로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 모기판에 형성되어 있는 보호층과 상기 플렉서블 금속 기판의 분리를 위해 유기화합물 이형제 성분이 포함된 도금 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 보호층 형성단계 이전에, 상기 모기판과 상기 보호층의 분리를 방지하기 위해 상기 보호층이 형성될 모기판 표면을 플라즈마 처리하거나 상기 모기판 표면에 UV를 조사하여 표면처리를 수행하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서, 상기 보호층 형성 중에, 상기 모기판과 상기 보호층의 분리를 방지하기 위해 상기 모기판을 100 ℃ 이상 800 ℃ 이하로 가열하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 14 |
14 제 1 항에 있어서, 상기 보호층 형성단계에서, 상기 모기판과 상기 보호층의 분리를 방지하기 위해 스퍼터링 방법 또는 전자선 증착 방법을 사용하여 상기 보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서, 상기 보호층 형성단계에서, 상기 모기판과 상기 보호층의 분리를 방지하기 위해 형성중인 보호층에 이온 빔을 조사하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 16 |
16 제 1 항에 있어서,상기 모기판에 형성되어 있는 보호층은 상기 플렉서블 금속 기판으로부터 분리된 후 상기 표면 거칠기가 유지되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 17 |
17 제 1 항에 있어서,상기 보호층이 형성되어 있는 모기판은 상기 플렉서블 금속 기판으로부터 분리된 후 상기 보호층에 대한 반복적 연마없이도 상기 플렉서블 금속 기판 형성단계에서 재사용 할 수 있는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 18 |
18 제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판과 상기 모기판 사이의 계면결합력이 상기 플렉서블 금속 기판의 항복강도보다 작게 되도록 조절하고, 상기 플렉서블 금속 기판 분리단계에서, 물리적인 힘을 통해 상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 19 |
19 제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In |
| 20 |
20 제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판의 두께는 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 21 |
21 제 1 항에 있어서,상기 전자소자는 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display:OLED), 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 전기영동장치(Electrophoretic display: EPD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma displaypanel: PDP), 박막 트랜지스터(thin-film transistor: TFT), 마이크로 프로세서(microprocessor) 및 램(Random access memory: RAM)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법 |
| 22 |
22 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항의 플렉서블 금속 기판의 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판 |
| 23 |
23 모기판 상에 산성 도금 용액 또는 염기성 도금 용액에 대해 내부식성을 갖는 보호층을 형성하는 보호층 형성단계;상기 모기판 상에 형성되어 있는 보호층 상에 플렉서블 금속 기판을 전기 도금 방식으로 형성하는 플렉서블 금속 기판 형성단계; 상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판에 형성되어 있는 보호층으로부터 분리시키는 플렉서블 금속 기판 분리단계; 및상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 금속 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 전자소자 형성단계를 포함하고,상기 모기판은 도전성이 있는 음극이며,상기 플렉서블 금속 기판이 형성되는 보호층의 표면 거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10 ㎛ ×10 ㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0 003c# Rms 003c# 100 ㎚, 0003c# Rp-v 003c# 1000 ㎚로 조절되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 24 |
24 제 23 항에 있어서,상기 모기판은 도전성을 갖는 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 25 |
25 제 23 항에 있어서,상기 모기판은 Cu, Fe, Al 및 Mo 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 26 |
26 제 23 항에 있어서,상기 모기판은 시트 박판 또는 스트립 박판 또는 롤 형상인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 27 |
27 제 23 항에 있어서,상기 보호층은 상기 모기판의 표면을 산화 처리 또는 질화 처리하여 형성된 부동태 피막인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 28 |
28 제 27 항에 있어서,상기 모기판 표면에 형성된 부동태 피막의 두께는 1 nm 이상 15 nm 이하인 것을 특징으로 하는, 플플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 29 |
29 제 23 항에 있어서,상기 보호층은 Ni, Mo 및 Cr 중 적어도 하나를 포함하는 Fe 합금인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 30 |
30 제 23 항에 있어서,상기 보호층은 Ti 또는 Ti 합금인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 31 |
31 제 23 항에 있어서,상기 보호층은 상기 산성 도금 용액 또는 상기 염기성 도금 용액에 대해 내부식성을 갖는 귀금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 32 |
32 제 31 항에 있어서,상기 보호층은 Au, Pt, Ir 및 Ru으로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 33 |
33 제 23 항에 있어서,상기 모기판에 형성되어 있는 보호층과 상기 플렉서블 금속 기판의 분리를 위해 유기화합물 이형제 성분이 포함된 도금 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 34 |
34 제 23 항에 있어서, 상기 보호층 형성단계 이전에, 상기 모기판과 상기 보호층의 분리를 방지하기 위해 상기 보호층이 형성될 모기판 표면을 플라즈마 처리하거나 상기 모기판 표면에 UV를 조사하여 표면처리를 수행하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 35 |
35 제 23 항에 있어서, 상기 보호층 형성 중에, 상기 모기판과 상기 보호층의 분리를 방지하기 위해 상기 모기판을 100 ℃ 이상 800 ℃ 이하로 가열하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 36 |
36 제 23 항에 있어서, 상기 보호층 형성단계에서, 상기 모기판과 상기 보호층의 분리를 방지하기 위해 스퍼터링 방법 또는 전자선 증착 방법을 사용하여 상기 보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 37 |
37 제 23 항에 있어서, 상기 보호층 형성단계에서, 상기 모기판과 상기 보호층의 분리를 방지하기 위해 형성중인 보호층에 이온 빔을 조사하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 38 |
38 제 23 항에 있어서,상기 모기판에 형성되어 있는 보호층은 상기 플렉서블 금속 기판으로부터 분리된 후 상기 표면 거칠기가 유지되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 39 |
39 제 23 항에 있어서,상기 보호층이 형성되어 있는 모기판은 상기 플렉서블 금속 기판으로부터 분리된 후 상기 보호층에 대한 반복적 연마없이도 상기 플렉서블 금속 기판 형성단계에서 재사용 할 수 있는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 40 |
40 제 23 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판과 상기 모기판 사이의 계면결합력이 상기 플렉서블 금속 기판의 항복강도보다 작게 되도록 조절하고, 상기 플렉서블 금속 기판 분리단계에서, 물리적인 힘을 통해 상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 41 |
41 제 23 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In |
| 42 |
42 제 23 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판의 두께는 5 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 43 |
43 제 23 항에 있어서,상기 전자소자는 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display:OLED), 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 전기영동장치(Electrophoretic display: EPD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma displaypanel: PDP), 박막 트랜지스터(thin-film transistor: TFT), 마이크로 프로세서(microprocessor) 및 램(Random access memory: RAM)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법 |
| 44 |
44 제 23 항 내지 제 43 항 중 어느 한 항의 플렉서블 전자소자의 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 포항공과대학교 산학협력단 | 21세기프론티어기술개발사업 | 대면적 FLEXIBLE DISPLAY를 위한 LASER LIFT-OFF 기술 개발 |
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.09.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0689925-05 |
| 2 | 보정요구서 | 2011.09.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0082350-20 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.09.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0707332-53 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 | 2012.04.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0030639-62 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2012.12.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0747120-99 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.02.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0117144-17 |
| 8 | 보정요구서 | 2013.02.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0018790-30 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0201748-88 |
| 10 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2013.03.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0147383-60 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0304596-72 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.04.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0304583-89 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 14 | 의견제출통지서 | 2013.08.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0533794-67 |
| 15 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.08.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0783855-59 |
| 16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.08.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0783856-05 |
| 17 | 거절결정서 | 2014.01.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0060185-45 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 19 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2014.02.26 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-0186533-16 |
| 20 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.02.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0186537-98 |
| 21 | 거절결정서 | 2014.03.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0208612-77 |
| 22 | 심사관의견요청서 | 2014.06.09 | 수리 (Accepted) | 7-8-2014-0014381-21 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 25 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415111110 |
|---|---|
| 세부과제번호 | F0004090-2010-33 |
| 연구과제명 | 대면적 flexible display를 위한 laser lift-off 기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200806~201205 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415118318 |
|---|---|
| 세부과제번호 | F0004090-2011-34 |
| 연구과제명 | 대면적 flexible display를 위한 laser lift-off 기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200806~201205 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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| 번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
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| 1 | 2014101002464 | 2014원2464 | 2011년 특허출원 제0089324호 거절결정불복 | 2014.04.25 | 2014.12.15 |