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발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169499
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 발광 다이오드는 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층의 하부에 형성된 활성층 및 상기 활성층의 하부에 형성된 p형 반도체층으로 이루어진 발광 구조체, 상기 발광 구조체의 하부에 형성된 접착층 및 일면에 상기 발광 구조체로부터 전도되는 열의 방출 효율을 높이기 위한 방열 패턴이 형성되어 있고 타면이 상기 접착층에 접착되어 있는 전도성 기판을 포함하여 구성된다.본 발명에 따르면, 발광 다이오드 자체의 표면적을 증가시켜 발광 다이오드에서 발생한 열을 효율적으로 방출시킴으로써, 발광 다이오드가 낮은 구동온도를 갖도록 하고, 발광다이오드의 수명을 증가시키는 동시에 발광효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/642(2013.01) H01L 33/642(2013.01) H01L 33/642(2013.01)
출원번호/일자 1020110060591 (2011.06.22)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1248989-0000 (2013.03.25)
공개번호/일자 10-2013-0000103 (2013.01.02) 문서열기
공고번호/일자 (20130401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.22)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 송양희 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 유철종 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0474210-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2012-0055882-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0514814-68
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0883359-03
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0883357-12
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0192783-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광 다이오드에 있어서,상부에 n형 전극이 형성되는 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층의 하부에 형성된 활성층 및 상기 활성층의 하부에 형성되고 하부에 p형 전극이 형성되는 p형 반도체층으로 이루어지고, 상기 활성층에서 생성된 광이 n형 반도체층을 거쳐 외부로 출사되는 수직 구조형 발광 구조체;상기 발광 구조체의 하부에 형성되어 전도성 기판을 접착하는 기능을 수행하는 접착층; 및일면에 상기 발광 구조체로부터 전도되는 열의 방출 효율을 높이기 위한 방열 패턴이 형성되어 있고 타면이 상기 접착층에 접착되어 있는 전도성 기판을 포함하는, 발광 다이오드
2 2
제1 항에 있어서,상기 전도성 기판은 Si, Mo, Cu, 스테인리스 강판(Stainless Steel), 인바 강판(Invar Steel) 및 금속 합금으로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드
3 3
발광 다이오드에 있어서,p형 반도체층, 상기 p형 반도체층의 하부에 형성된 활성층 및 상기 활성층의 하부에 형성되어 있으며 상기 활성층에 대하여 가로방향으로 연장된 연장영역을 갖는 n형 반도체층으로 이루어지고, 상기 활성층에서 생성된 광이 p형 반도체층을 거쳐 외부로 출사되는 수평 구조형 발광 구조체;상기 p형 반도체층 상에 형성된 p형 전극;상기 n형 반도체층의 연장영역 상에 형성된 n형 전극; 및일면에 상기 발광 구조체로부터 전도되는 열의 방출 효율을 높이기 위한 방열 패턴이 형성되어 있고 타면이 상기 발광 구조체의 n형 반도체층에 접착되어 있는 전도성 기판을 포함하는, 발광 다이오드
4 4
제3 항에 있어서,상기 전도성 기판은 사파이어(Al2O3) 기판인 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드
5 5
제1 항 또는 제3 항에 있어서,상기 방열 패턴이 형성되어 있는 전도성 기판의 일면에 형성된 전도성 폴리머; 및상기 전도성 폴리머에 접착되어 상기 전도성 기판으로부터 전도되는 열의 방출 효율을 높이기 위한 전도성의 서브 프레임을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드
6 6
제5 항에 있어서,상기 전도성 폴리머에는 Au, Ag, Cu 및 Sn으로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드
7 7
발광 다이오드 제조방법에 있어서,전도성 기판의 일면에 식각용 패턴을 형성하는 식각용 패턴 형성 단계;상기 전도성 기판의 일면에 형성된 식각용 패턴을 마스크로 하여 상기 전도성 기판의 일면을 식각하여 상기 전도성 기판의 일면에 방열 패턴을 형성하는 방열 패턴 형성 단계; 및접착층을 매개로 상기 전도성 기판의 타면과 발광 구조체를 접착하는 발광 구조체 접착 단계를 포함하는, 발광 다이오드 제조방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 식각용 패턴은 나노 임프린트 방식 또는 알루미늄 양극 산화 방식 또는 나노 구조체 형성 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
9 9
제7 항에 있어서,상기 전도성 기판은 Si, Mo 및 Cu로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
10 10
발광 다이오드 제조방법에 있어서,전도성 기판을 제1 롤러와 패턴이 형성되어 있는 제2 롤러 사이를 통과시켜 상기 전도성 기판의 일면에 상기 제2 롤러에 형성되어 있는 패턴에 대응하는 방열 패턴을 전사하는 방열 패턴 전사 단계; 및접착층을 매개로 상기 전도성 기판의 타면과 발광 구조체를 접착하는 발광 구조체 접착 단계를 포함하는, 발광 다이오드 제조방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 전도성 기판은 스테인리스 강판(Stainless Steel), 인바 강판(Invar Steel) 및 금속 합금으로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
12 12
제7 항 또는 제10 항에 있어서,상기 방열 패턴이 형성되어 있는 전도성 기판의 일면에 전도성 폴리머를 이용하여 전도성의 서브 프레임을 접착하는 서브 프레임 접착 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
13 13
제12 항에 있어서,상기 전도성 폴리머에는 Au, Ag, Cu 및 Sn으로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
14 14
발광 다이오드 제조방법에 있어서,접착층을 매개로 전도성 기판과 발광 구조체를 접착하는 발광 구조체 접착 단계;상기 전도성 기판의 노출면에 식각용 패턴을 형성하는 식각용 패턴 형성 단계; 및상기 전도성 기판의 노출면에 형성된 식각용 패턴을 마스크로 하여 상기 전도성 기판의 노출면을 식각하여 상기 전도성 기판의 노출면에 방열 패턴을 형성하는 방열 패턴 형성 단계를 포함하는, 발광 다이오드 제조방법
15 15
제14 항에 있어서,상기 식각용 패턴은 나노 임프린트 방식 또는 알루미늄 양극 산화 방식 또는 나노 구조체 형성 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
16 16
제14 항에 있어서,상기 전도성 기판은 Si, Mo 및 Cu로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
17 17
발광 다이오드 제조방법에 있어서,접착층을 매개로 전도성 기판과 발광 구조체를 접착하는 발광 구조체 접착 단계; 및상기 발광 구조체가 접착되어 있는 전도성 기판을 제1 롤러와 패턴이 형성되어 있는 제2 롤러 사이를 통과시켜 상기 전도성 기판의 노출면에 상기 제2 롤러에 형성되어 있는 패턴에 대응하는 방열 패턴을 전사하는 방열 패턴 전사 단계를 포함하는, 발광 다이오드 제조방법
18 18
제17 항에 있어서,상기 전도성 기판은 스테인리스 강판(Stainless Steel), 인바 강판(Invar Steel) 및 금속 합금으로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
19 19
제14 항 또는 제17 항에 있어서,상기 방열 패턴이 형성되어 있는 전도성 기판의 노출면에 전도성 폴리머를 이용하여 전도성의 서브 프레임을 접착하는 서브 프레임 접착 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
20 20
제19 항에 있어서,상기 전도성 폴리머에는 Au, Ag, Cu 및 Sn으로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는, 발광 다이오드 제조방법
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1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발