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복수의 기공이 관통 형성되고 무기물 또는 유기물 중 하나로 이루어진 지지층;상기 기공의 입구 주위에 결합되며, 전기 자극에 의해 산화 또는 환원되면서 부피가 변화되어 상기 기공 입구의 크기를 변화시키는 전기 반응층; 을 포함하고상기 전기 반응층은, 상기 기공의 입구 주위에 결합되는 전극층과, 상기 전극층에 결합되어 상기 전극층에 가해지는 전기에 의해 산화 또는 환원되어 그 부피가 변화되는 전도성 고분자층을 포함하는 기공막
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제1 항에 있어서,상기 지지층을 이루는 무기물은 양극 산화 알루미늄을 포함하는 기공막
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제2 항에 있어서,상기 전극층은 금을 포함하고, 상기 금은 상기 기공의 입구 주위에 열 증착법 또는 스퍼터링법 중 어느 하나로 형성되는 기공막
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제2 항에 있어서,상기 전도성 고분자층은, 전도성 고분자와 도판트(dopant)를 포함하는 기공막
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제4 항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리피롤(PolyPyrrole)를 포함하고, 상기 도판트(dopant)는 도데실벤젠술포네이트 음이온(Dodecylbenzenesulfonate anion)을 포함하는 기공막
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제1 항에 있어서,상기 지지층에 결합되는 충격 흡수층을 더 포함하는 기공막
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제6 항에 있어서,상기 충격 흡수층은 폴리머(Polymer)를 포함하는 기공막
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제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전기 반응층이 상기 전기 자극에 의하여 산화 상태가 되면 부피가 줄어드는 기공막
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제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전기 반응층이 상기 전기 자극에 의하여 환원 상태가 되면 부피가 커지는 기공막
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복수의 기공이 관통 형성되고 무기물 또는 유기물 중 하나로 이루어지는 지지층을 형성하는 단계;상기 기공의 입구 주위에 결합되어 전기 자극에 의해 산화 또는 환원되고 전기적으로 중성인 전기 반응층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 전기 반응층을 형성하는 단계는,상기 기공의 입구 주위에 증착되는 전극층이 형성되는 단계와,상기 전극층에 결합되는 전도성 고분자층을 형성하는 단계를 포함하는 기공막 제조방법
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제10 항에 있어서,상기 지지층 형성 단계는,상기 무기물 중 하나인 양극 산화 알루미늄 막을 이용하여 기공을 형성하는 단계를 포함하는 기공막 제조방법
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제10 항에 있어서,상기 전극층은 금을 포함하고, 상기 금은 상기 기공의 입구 주위에 열증착법 또는 스퍼터링법 중 어느 하나로 증착되는 기공막 제조방법
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제10 항에 있어서,상기 전도성 고분자층 형성 단계는, 산화상태의 전도성 고분자와 도판트(dopant)가 전기 중합되는 단계를 포함하는 기공막 제조방법
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제14 항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리피롤(PolyPyrrole)를 포함하고, 상기 도판트(dopant)는 도데실벤젠술포네이트 음이온(Dodecylbenzenesulfonate anion)을 포함하는 기공막 제조방법
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제10 항에 있어서,상기 지지층에 충격 흡수층을 결합하는 단계를 더 포함하는 기공막 제조방법
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