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단순화된 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015169513
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 구조가 단순화된 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) C08F 14/18 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/0037(2013.01) H01L 51/0037(2013.01) H01L 51/0037(2013.01) H01L 51/0037(2013.01) H01L 51/0037(2013.01) H01L 51/0037(2013.01) H01L 51/0037(2013.01) H01L 51/0037(2013.01)
출원번호/일자 1020110104087 (2011.10.12)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1305869-0000 (2013.09.02)
공개번호/일자 10-2013-0039496 (2013.04.22) 문서열기
공고번호/일자 (20130909) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.12)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 한태희 대한민국 인천광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0797249-04
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0059503-85
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0272933-71
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0232068-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0498254-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0498373-46
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0609610-91
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
애노드, 제1A면 (surface 1A) 및 상기 제1A면에 대향되는 제2A면을 갖는 전도성 고분자층, 제1B면 및 상기 제1B면에 대향되는 제2B면을 갖는 저분자 발광층 및 캐소드가 차례로 적층되어 있고;상기 애노드의 일면은 상기 전도성 고분자층의 제1A면과 서로 접촉하고, 상기 전도성 고분자층의 제2A면은 상기 저분자 발광층의 제1B면과 서로 접촉하고, 상기 저분자 발광층의 제2B면은 상기 캐소드의 일면과 서로 접촉하고;상기 전도성 고분자층은, 1×10-7 S/cm 이상 0
2 2
제1항에 있어서,상기 제1A면의 HOMO(high occupied molecular orbital) 에너지 레벨의 절대값이 상기 애노드의 일함수보다 큰, 유기 발광 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 제2A면의 HOMO(high occupied molecular orbital) 에너지 레벨의 절대값이 상기 저분자 발광층의 HOMO 에너지 레벨보다 큰, 유기 발광 소자
4 4
제1항에 있어서,구동시, 상기 전도성 고분자층과 상기 저분자 발광층 사이의 계면에서 엑시톤 형성 영역이 형성되는, 유기 발광 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질의 농도가 상기 제1A면에서 상기 제2A면을 향하는 방향을 따라 점진적으로 증가하는, 유기 발광 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은, 적어도 하나의 F를 포함한 불화 물질인, 유기 발광 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은, 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나의 반복 단위를 갖는 불화 고분자인, 유기 발광 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은, 하기 화학식 10으로 표시되는 불화 올리고머인, 유기 발광 소자:003c#화학식 10003e#X-Mfn-Mhm-Mar-(G)p상기 화학식 10 중,X는 말단기이고;Mf는 퍼플루오로폴리에테르 알코올, 폴리이소시아네이트 및 이소시아네이트 반응성-비불소화 모노머의 축합 반응으로부터 수득한 불화 모노머로부터 유래된 단위 또는 플루오르화 C1-20알킬렌기를 나타내고;Mh는 비불소화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;Ma는 -Si(Y4)(Y5)(Y6)으로 표시되는 실릴기를 갖는 단위를 나타내고;상기 Y4, Y5 및 Y6는 서로 독립적으로, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 가수분해성 치환기를 나타내고, 상기 Y4, Y5 및 Y6 중 적어도 하나는 상기 가수분해성 치환기이고; G는 사슬전달제(chain transfer agent)의 잔기를 포함한 1가 유기 그룹이고;n은 1 내지 100의 수이고;m은 0 내지 100의 수이고;r은 0 내지 100의 수이고;n+m+r은 적어도 2이고;p는 0 내지 10의 수이다
9 9
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리(파라-페닐렌), 폴리플루오렌, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 셀프-도핑 전도성 고분자 및 이들의 유도체 중 1종 이상을 포함한, 유기 발광 소자
10 10
제1항에 있어서,상기 제2A면의 이온화 포텐셜이 5
11 11
제1항에 있어서,상기 저분자 발광층이 호스트와 도펀트를 포함하고, 상기 호스트는 양극성 수송(ambipolar transport) 물질 및 전자 수송성 물질 중 1종 이상을 포함한, 유기 발광 소자
12 12
제11항에 있어서,상기 호스트가 정공 수송성 물질을 더 포함한, 유기 발광 소자
13 13
제11항 또는 제12항에 있어서,상기 도판트가 상기 발광층의 일부 영역에만 도핑되어 있는, 유기 발광 소자
14 14
제1항에 있어서,상기 캐소드가 전자 주입층 및 금속-함유층을 포함하고, 상기 전자 주입층이 상기 저분자 발광층의 제2B면과 접촉한, 유기 발광 소자
15 15
기판 상에 애노드를 형성하는 단계;상기 애노드 상에 1×10-7 S/cm 이상 0
16 16
제15항에 있어서,상기 전도성 고분자층 형성용 조성물에 포함된 용매가 극성 용매이고, 상기 극성 용매는 물, 알코올, 에틸렌 글리콜, 글리세롤, 디메틸포름아마이드(DMF), 디메틸설폭사이드(DMSO) 및 아세톤 중 1종 이상인, 유기 발광 소자의 제조 방법
17 17
제15항에 있어서,상기 저분자 발광층 형성 단계를 진공 증착법을 이용하여 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법
18 18
제15항에 있어서,상기 저분자 발광층 형성 단계를 캐스트법, LB법, 스핀코팅(spin-coating), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 노즐 프린팅(nozzle printing), 스프레이 코팅법(spray coating), 스크린 프린팅(screen printing), 닥터 블레이드 코팅법(doctor blade coating), 그래비어 프린팅(gravure printing) 및 오프셋 프린팅(offset printing)을 이용하여 수행하는, 유기 발광 소자의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103875088 CN 중국 FAMILY
2 JP05981999 JP 일본 FAMILY
3 JP26529196 JP 일본 FAMILY
4 US09281488 US 미국 FAMILY
5 US20140239287 US 미국 FAMILY
6 WO2013055138 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
7 WO2013055138 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103875088 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103875088 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 DE112012004269 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 DE112012004269 DE 독일 DOCDBFAMILY
5 JP2014529196 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP5981999 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2014239287 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US9281488 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2013055138 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
10 WO2013055138 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 일반연구자지원사업(신진연구) 고효율 및 장수명을 위한 유기 태양 전지의 전하추출층 및 계면 조절 연구