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탄소 박막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015169517
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소 박막 제조 방법, 탄소 박막을 포함한 전자 소자 및 탄소 박막을 포함한 전기화학 소자가 제공된다.
Int. CL C01B 31/02 (2014.01) C01B 31/04 (2014.01) H01L 51/50 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C01B 32/205(2013.01) C01B 32/205(2013.01) C01B 32/205(2013.01) C01B 32/205(2013.01) C01B 32/205(2013.01) C01B 32/205(2013.01) C01B 32/205(2013.01) C01B 32/205(2013.01) C01B 32/205(2013.01) C01B 32/205(2013.01) C01B 32/205(2013.01) C01B 32/205(2013.01) C01B 32/205(2013.01)
출원번호/일자 1020110050843 (2011.05.27)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1271951-0000 (2013.05.30)
공개번호/일자 10-2012-0132178 (2012.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20130607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120153712;
심사청구여부/일자 Y (2011.05.27)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0400023-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0047675-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0574710-14
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0977135-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-1079759-94
7 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-1079982-69
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1079760-30
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0272933-71
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0340702-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 콜타르 (coal tar) 및 콜타르 피치(coal tar pitch) 중 하나 이상을 포함한 전구체막을 형성하는 단계;상기 기판과 상기 전구체막 사이의 촉매막 및 상기 전구체막 상의 보호막 중 하나 이상을 형성하는 단계; 및상기 기판을 열처리하여, 상기 기판 상에 탄소 박막을 형성하는 단계;를 포함하는, 탄소 박막 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 전구체막 형성 단계 후, 상기 전구체막 상에 보호막을 형성하는 단계를 수행하는, 탄소 박막 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 전구체막 형성 단계 전, 상기 기판 상에 촉매막을 형성하는 단계를 수행하는, 탄소 박막 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 전구체막 형성 단계 전, 상기 기판 상에 촉매막을 형성하는 단계를 수행하고, 상기 전구체막 형성 단계 후, 상기 전구체막 상에 보호막을 형성하는 단계를 수행하는, 탄소 박막 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 기판이 실리콘, 실리콘 산화물, 금속 호일, 금속 산화물, HOPG(Highly Ordered Pyrolytic Graphite), 헥사고날 보론 나이트라이드(Hexagonal Boron Nitride:h-BN), c-plane 사파이어 웨이퍼 (c-plane sapphire wafer), ZnS (Zinc Sulfide), 고분자 기판 또는 이들 중 2 이상의 조합을 포함하는, 탄소 박막 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 보호막이 금속 및 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는, 탄소 박막 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 보호막이 구리(Cu), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 구리 산화물, 니켈 산화물, 팔라듐 산화물, 알루미늄 산화물, 몰리브덴 산화물 또는 이들 중 2 이상의 조합을 포함하는, 탄소 박막의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 보호막의 두께가 2nm 내지 2000nm인, 탄소 박막의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서상기 촉매막이 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 금(Au), 팔라디움(Pd), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Rh), 실리콘(Si), 탄탈(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄, 바나듐(V), 지르코늄(Zr) 또는 이들 중 2 이상의 조합을 포함하는, 탄소 박막 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 촉매막의 두께가 100nm 내지 1000nm인, 탄소 박막의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 열처리를, 상기 전구체막에 포함된 콜타르 및 콜타르 피치 중 하나 이상이 탄화(carbonized)될 수 있는 조건 하에서 수행하는, 탄소 박막 제조 방법
12 12
제1항에 있어서,상기 열처리를, 불활성 분위기 또는 진공 분위기 하에서 상기 전구체막에 포함된 콜타르 및 콜타르 피치 중 하나 이상의 열분해 온도 이상 및 2000℃ 이하의 온도 범위 및 1초 내지 5일의 시간 범위에서 수행하는, 탄소 박막 제조 방법
13 13
제2항에 있어서,상기 기판 상에 탄소 박막을 형성하는 단계 완료 후 상기 탄소 박막 상부에 상기 보호막의 일부 이상이 잔류하고, 상기 탄소 박막 상부에 잔류한 보호막을 제거하는 단계를 더 포함한, 탄소 박막 제조 방법
14 14
제4항에 있어서,상기 기판 상에 탄소 박막을 형성하는 단계 완료 후 상기 탄소 박막 상부에 상기 보호막의 일부 이상이 잔류하고, 상기 탄소 박막 상부에 잔류한 보호막을 제거하는 단계를 더 포함한, 탄소 박막 제조 방법
15 15
제1항에 있어서,상기 열처리 수행 전 상기 전구체막과 상기 촉매막 및 보호막 중 하나 이상을 소정 패턴을 따라 패터닝하는 단계 및 상기 열처리 수행 후 열처리 결과 수득한 상기 탄소 박막을 소정 패턴을 따라 패터닝하는 단계 중 하나 이상을 더 포함한, 탄소 박막 제조 방법
16 16
제1항에 있어서, 상기 탄소 박막이 그래파이트 시트, 그래핀 시트 및 비정질 탄소 시트로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조 방법
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102800774 CN 중국 FAMILY
2 JP05985888 JP 일본 FAMILY
3 JP24246215 JP 일본 FAMILY
4 KR101407175 KR 대한민국 FAMILY
5 US20120301816 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102800774 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102800774 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 DE102012104489 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 JP2012246215 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP5985888 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US2012301816 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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2 교육과학기술부 포항공과대학교산학협력단 일반_기본_개인 유기 반도체 나노 와이어 전자 소자 연구 개발
3 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 기후변화대응기초원천기술 용액공정을 통한 고효율탠덤유기태양전지구현을위한원천기술연구
4 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 미래기반기술개발_신기술융합형 대면적으로 패턴된 섬유 형태의 유기발광다이오드 소자의 연구개발