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태양전지 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169519
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지 소자는, 광투과성을 가진 기판; 전도성과 광투과성을 갖는 재질로 이루어지고, 나노 스케일의 나뭇가지 형상을 갖는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하여 상기 기판 상에 형성되는 제1전극; 전자도너와 전자억셉터를 가지며, 상기 제1전극 상에 형성되는 광활성층; 및 상기 광활성층 상에 형성되며, 전도성을 갖는 재질로 이루어지는 제2전극;을 포함하여 이루어진다.본 발명에 의하면, 제1전극이 입사광을 효과적으로 확산 및 산란시키는 다수의 나노 가지 구조체를 포함함으로써 광활성층을 통과하는 광 경로를 증가시켜 광활성층에 흡수되는 빛의 양을 제고함으로써 태양전지 소자의 효율을 향상시킬 수 있고, 광활성층이 제1전극의 나노 가지 구조체를 내포하는 형태로 제1전극의 전극체 상면에 형성되므로, 광활성층 내부에서 생성된 전하가 신속하게 제1전극의 나노 가지 구조체로 이동될 수 있으므로 태양전지 소자의 효율을 더욱 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 이러한 다수의 나노 가지 구조체를 전자선 증착 방법으로써 증착시켜 성장 형성함으로써 제조 단가를 절감하고 제조 시간도 줄일 수 있으며 대면적의 태양전지 소자도 용이하게 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110067428 (2011.07.07)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1295199-0000 (2013.08.05)
공개번호/일자 10-2013-0005806 (2013.01.16) 문서열기
공고번호/일자 (20130809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 유학기 대한민국 경상북도
3 동완재 대한민국 경기도 고양시 일산서구
4 정관호 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0521703-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0051093-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0434768-01
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0790879-74
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0883262-73
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0883265-10
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0202411-22
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0268810-14
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.03.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0268811-60
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0523976-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광투과성을 가진 기판;전도성과 광투과성을 갖는 재질로 이루어지고, 나뭇가지 형상을 갖는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하여 상기 기판 상에 형성되는 제1전극;전자도너와 전자억셉터를 가지며, 상기 제1전극 상에 형성되는 광활성층; 및상기 광활성층 상에 형성되며, 전도성을 갖는 재질로 이루어지는 제2전극;을 포함하며,상기 광활성층은, 상기 나노 가지 구조체를 내포하는 형태로 구비된 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 제1전극은,상기 기판 상에 소정의 두께의 막 형상으로 구비되는 전극체를 더 포함하되,상기 다수의 나노 가지 구조체는 상기 전극체의 상면에 각각 형성되며,상기 광활성층은,상기 나노 가지 구조체를 내포하는 형태로 상기 전극체 상에 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 전극체는,상기 다수의 나노 가지 구조체와 동일한 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1전극은,인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 기판은,유리, 실리콘, 사파이어 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 박판 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 광활성층은,블록 공중합체, 실리콘, 실리콘-게르마늄계 화합물, 구리-인듐-게르마늄계 화합물 중 어느 하나를 포함하는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
9 9
전도성과 광투과성을 갖는 재질로 이루어지고, 나노 스케일의 나뭇가지 형상을 갖는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하는 제1전극을 광투과성을 가진 기판 상에 형성하는 단계;상기 제1전극 상에 전자도너와 전자억셉터를 갖는 광활성층을 형성하는 단계; 및상기 광활성층 상에 전도성을 갖는 재질의 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1전극을 형성하는 단계는,전도성과 광투과성을 갖는 재질로써 소정의 두께의 막 형상으로 이루어지는 전극체를 상기 기판 상에 형성하는 단계; 및상기 다수의 나노 가지 구조체를 상기 전극체의 상면에 형성하는 단계;를 포함하며,상기 다수의 나노 가지 구조체를 형성하는 단계는, 상기 다수의 나노 가지 구조체를 상기 전극체의 상면에 전자선 증착 방식으로 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 태양전지 소자 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
전도성과 광투과성을 갖는 재질로 이루어지고, 나노 스케일의 나뭇가지 형상을 갖는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하는 제1전극을 광투과성을 가진 기판 상에 형성하는 단계;상기 제1전극 상에 전자도너와 전자억셉터를 갖는 광활성층을 형성하는 단계; 및상기 광활성층 상에 전도성을 갖는 재질의 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1전극을 형성하는 단계는,전도성과 광투과성을 갖는 재질로써 소정의 두께의 막 형상으로 이루어지는 전극체를 상기 기판 상에 형성하는 단계; 및상기 다수의 나노 가지 구조체를 상기 전극체의 상면에 형성하는 단계;를 포함하며,상기 다수의 나노 가지 구조체를 형성하는 단계는, 상기 다수의 나노 가지 구조체를 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 방법을 통해 상기 전극체의 상면에서 성장시켜 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 태양전지 소자 제조방법
13 13
제9항에 있어서,상기 제1전극을 형성하는 단계는, 전도성과 광투과성을 갖는 재질로써 소정의 두께의 막 형상으로 이루어지는 전극체를 상기 기판 상에 형성하는 단계 및 상기 다수의 나노 가지 구조체를 상기 전극체의 상면에 형성하는 단계를 포함하며,상기 광활성층을 형성하는 단계는,상기 광활성층이 상기 나노 가지 구조체를 내포하는 형태로 상기 광활성층을 상기 전극체의 상면에 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 태양전지 소자 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2013006016 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2013006016 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2013006016 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2013006016 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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