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광투과성을 가진 기판;전도성과 광투과성을 갖는 물질로 이루어지고, 상기 기판 상에 형성되는 제1전극;상기 제1전극의 상면에 형성되는 굴절률 조절부;전자도너와 전자억셉터를 가지며, 상기 굴절률 조절부를 내포하는 형태로 상기 제1전극 상에 형성되는 광활성층; 및상기 광활성층 상에 형성되며, 전도성을 갖는 물질로 이루어지는 제2전극;을 포함하되,상기 굴절률 조절부는, 상기 기판 측에서 입사된 빛을 굴절시켜 상기 광활성층 내의 이동 경로를 증가시킬 수 있게 상기 광활성층의 굴절률 및 상기 제1전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지며 광투과성을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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광투과성을 가진 기판;전도성과 광투과성을 갖는 물질로 이루어지고, 상기 기판 상에 형성되는 제1전극;상기 제1전극의 상면에 형성되는 정공 추출층;상기 정공 추출층의 상면에 형성되는 굴절률 조절부;전자도너와 전자억셉터를 가지며, 상기 굴절률 조절부를 내포하는 형태로 상기 정공 추출층 상에 형성되는 광활성층; 및상기 광활성층 상에 형성되며, 전도성을 갖는 물질로 이루어지는 제2전극;을 포함하되,상기 굴절률 조절부는, 상기 기판 측에서 입사된 빛을 굴절시켜 상기 광활성층 내의 이동 경로를 증가시킬 수 있게 상기 광활성층의 굴절률 및 상기 정공 추출층의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지며 광투과성을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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광투과성을 가진 기판;전도성과 광투과성을 갖는 물질로 이루어지고, 상기 기판 상에 형성되는 제1전극;상기 제1전극의 상면에 층상으로 형성되는 굴절률 조절부;전자도너와 전자억셉터를 가지며, 상기 굴절률 조절부 상에 형성되는 광활성층; 및상기 광활성층 상에 형성되며, 전도성을 갖는 물질로 이루어지는 제2전극;을 포함하되,상기 굴절률 조절부는, 상기 기판 측에서 입사된 빛을 굴절시켜 상기 광활성층 내의 이동 경로를 증가시킬 수 있게 상기 광활성층의 굴절률 및 상기 제1전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지며 광투과성을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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광투과성을 가진 기판;전도성과 광투과성을 갖는 물질로 이루어지고, 상기 기판 상에 형성되는 제1전극;상기 제1전극의 상면에 형성되는 정공 추출층;상기 정공 추출층의 상면에 층상으로 형성되는 굴절률 조절부;전자도너와 전자억셉터를 가지며, 상기 굴절률 조절부 상에 형성되는 광활성층; 및상기 광활성층 상에 형성되며, 전도성을 갖는 물질로 이루어지는 제2전극;을 포함하되,상기 굴절률 조절부는, 상기 기판 측에서 입사된 빛을 굴절시켜 상기 광활성층 내의 이동 경로를 증가시킬 수 있게 상기 광활성층의 굴절률 및 상기 정공 추출층의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지며 광투과성을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 굴절률 조절부는,격자망 형상 또는 그물망 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 굴절률 조절부는,기둥 형상, 볼록렌즈 형상, 반구 형상 및 막대 형상 중 어느 하나의 형상을 갖는 다수의 굴절률 조절체가 소정의 간격으로 배치되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 굴절률 조절부는,그 두께가 10㎚ ~ 10,000㎚인 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 굴절률 조절부는,SiO2, SiO, MgF2, LiF, PDMS(Polydimethylsiloxane), SU8, PMMA(Polymethyl methacrylate)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 소자
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광투과성을 가진 기판 상에 전도성과 광투과성을 갖는 물질로 이루어진 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극의 상면에 굴절률 조절부를 형성하는 단계;상기 굴절률 조절부를 내포하는 형태로 전자도너와 전자억셉터를 갖는 광활성층을 상기 제1전극 상에 형성하는 단계; 및상기 광활성층 상에 전도성을 갖는 물질로 이루어지는 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 굴절률 조절부는, 상기 기판 측에서 입사된 빛을 굴절시켜 상기 광활성층 내의 이동 경로를 증가시킬 수 있게 상기 광활성층의 굴절률 및 상기 제1전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지며 광투과성을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
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광투과성을 가진 기판 상에 전도성과 광투과성을 갖는 물질로 이루어진 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극의 상면에 정공 추출층을 형성하는 단계;상기 정공 추출층의 상면에 굴절률 조절부를 형성하는 단계;상기 굴절률 조절부를 내포하는 형태로 전자도너와 전자억셉터를 갖는 광활성층을 상기 정공 추출층 상에 형성하는 단계; 및상기 광활성층 상에 전도성을 갖는 물질로 이루어지는 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 굴절률 조절부는, 상기 기판 측에서 입사된 빛을 굴절시켜 상기 광활성층 내의 이동 경로를 증가시킬 수 있게 상기 광활성층의 굴절률 및 상기 정공 추출층의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지며 광투과성을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
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11
광투과성을 가진 기판 상에 전도성과 광투과성을 갖는 물질로 이루어진 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극의 상면에 층상의 굴절률 조절부를 형성하는 단계;상기 굴절률 조절부의 상면에 전자도너와 전자억셉터를 갖는 광활성층을 형성하는 단계; 및상기 광활성층 상에 전도성을 갖는 물질로 이루어지는 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 굴절률 조절부는, 상기 기판 측에서 입사된 빛을 굴절시켜 상기 광활성층 내의 이동 경로를 증가시킬 수 있게 상기 광활성층의 굴절률 및 상기 제1전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지며 광투과성을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
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광투과성을 가진 기판 상에 전도성과 광투과성을 갖는 물질로 이루어진 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극의 상면에 정공 추출층을 형성하는 단계;상기 정공 추출층의 상면에 층상의 굴절률 조절부를 형성하는 단계;상기 굴절률 조절부의 상면에 전자도너와 전자억셉터를 갖는 광활성층을 형성하는 단계; 및상기 광활성층 상에 전도성을 갖는 물질로 이루어지는 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 굴절률 조절부는, 상기 기판 측에서 입사된 빛을 굴절시켜 상기 광활성층 내의 이동 경로를 증가시킬 수 있게 상기 광활성층의 굴절률 및 상기 정공 추출층의 굴절률보다 작은 굴절률을 가지며 광투과성을 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
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제9항 또는 제10항에 있어서,상기 굴절률 조절부는,상기 굴절률 조절부를 격자망 형상 또는 그물망 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
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제9항 또는 제10항에 있어서,상기 굴절률 조절부는,기둥 형상, 볼록렌즈 형상, 반구 형상 및 막대 형상 중 어느 하나의 형상을 갖는 다수의 굴절률 조절체가 소정의 간격으로 배치되게 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
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15
제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 굴절률 조절부는,10㎚ ~ 10,000㎚의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
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제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 굴절률 조절부는,나노 임프린트 또는 패턴 전사법의 소프트 리소그래피의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
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제9항 또는 제10항에 있어서,상기 광활성층은,스핀 코팅 또는 열증착 공정으로써 상기 굴절률 조절부를 내포하게 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 소자의 제조방법
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