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유기 발광 다이오드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169549
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 유기 발광 다이오드는 기판, 상기 기판 상에 형성된 평탄화층, 상기 평탄화층에 형성되어 있으며 상기 평탄화층과 다른 열팽창 계수를 갖는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 유기 발광층 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 제2 전극을 포함하여 구성되고, 상기 제1 전극은 상기 평탄화층과의 열팽창 계수의 차이로 인하여 생성된 버클링(buckling) 나노 구조를 갖고, 상기 유기 발광층에서 생성된 광을 난반사시켜 상기 제2 전극을 통한 광의 방출효율을 향상시키는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 버클링 나노 구조를 이용하여 유기 발광층에서 생성된 광을 난반사시킴으로써 유기 발광 다이오드의 광 방출효율을 크게 향상시킬 수 있고, 열팽창 계수의 차이를 이용하여 버클링 나노 구조를 형성함으로써, 전체적인 유기 발광 다이오드의 제조비용을 저감하고 제조시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H05B 33/26 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/5281(2013.01) H01L 51/5281(2013.01) H01L 51/5281(2013.01)
출원번호/일자 1020110091759 (2011.09.09)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1299941-0000 (2013.08.20)
공개번호/일자 10-2013-0028303 (2013.03.19) 문서열기
공고번호/일자 (20130826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.09)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 홍기현 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김기수 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0707344-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0041233-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0014065-17
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0204715-07
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0295369-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0407637-94
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0407638-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0562687-59
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
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유기 발광 다이오드의 제조방법에 있어서,기판 상에 평탄화층을 형성하는 평탄화층 형성단계;상기 평탄화층 상에 상기 평탄화층과 다른 열팽창 계수를 갖는 제1 전극을 50 ℃ 이상의 고온에서 형성하는 제1 전극 형성단계;상기 제1 전극을 상온에서 냉각하여 상기 평탄화층과의 열팽창 계수의 차이로 인해 제1 전극에 변형이 일어나게 하여 버클링(buckling) 나노 구조를 갖도록 형성하는 제1 전극 냉각단계;상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 유기 발광층 형성단계; 및상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 제2 전극 형성단계를 포함하고,상기 버클링 나노 구조에 의한 상기 제1 전극의 표면 거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10 ㎛ × 10 ㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 1 nm 003c# Rms 003c# 10 ㎛인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 기판은 유리 또는 고분자 또는 금속 재질을 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 기판은 강(steel), 스테인리스(stainless), 구리, 은, 알루미늄, 마그네슘 및 도금 강으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 평탄화층은 폴리이미드(polyimid), SU8, spin-on-glass, PUA, PDMS, photo-resist 및 PMMA로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 제1 전극은 Ag, Al, Mg, Cu, Ni, Pd, Cr, Au, Pt 및 Mo로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 제1 전극 형성단계에서 인가되는 온도와 상기 제1 전극 냉각단계에서 인가되는 온도의 차이를 조절하여 상기 버클링 나노 구조의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 평탄화층은 스핀 코팅, 바 코팅, 스크린 프린팅, 열 증착 및 화학 기상 증착 중 하나의 방식을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 열 증착, 전자선 증착, 스퍼터링, 스핀코팅, 화학 기상 증착 및 레이저 증착 중 하나의 방식을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
22 22
제13 항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 평탄화층 간의 열팽창 계수의 차이를 조절하여 상기 제1 전극이 갖는 버클링 나노 구조의 수직방향의 단차의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 제 2 전극은 광투과 특성이 있는 금속 박막 또는 전도성 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 제1 전극이 양극이고 상기 제2 전극이 음극인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 제1 전극이 음극이고 상기 제2 전극이 양극인 인버티드(inverted) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.