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반사기판을 포함하는 유기 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015169550
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반사기판을 포함하는 유기 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반사기판상에 유기물 활성층이 형성되어 있고, 상기 유기물 활성층 상에 투명 전극층이 형성되어 있는 층 구조를 갖는 유기 발광 다이오드를 사용함으로써, 추가적인 평탄화 및 절연용 박막과 반사 박막이 필요없어, 구조를 단순화시켜 공정의 효율성을 증가시킬 수 있도록 한 유기 발광 다이오드에 관한 것이다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H05B 33/26 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5218(2013.01) H01L 51/5218(2013.01) H01L 51/5218(2013.01)
출원번호/일자 1020110091763 (2011.09.09)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1317273-0000 (2013.10.04)
공개번호/일자 10-2013-0028306 (2013.03.19) 문서열기
공고번호/일자 (20131014) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.09)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 이일환 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김기수 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 구본형 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0707358-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0041235-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0163341-75
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0409561-69
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0513027-62
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0513034-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0617544-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속기판과, 상기 금속기판상에 형성된 유기물 활성층과, 상기 금속기판과 유기물 활성층 사이에 표면 플라즈몬 생성을 억제하기 위해 형성된 것으로 상기 금속기판보다 유전상수가 큰 표면 플라즈몬 생성 억제 산화물 박막과, 상기 유기물 활성층 상에 형성된 투명전극을 포함하고, 상기 금속기판과 유기물 활성층의 사이에 평탄화층 및 절연층이 형성되지 않으며 상기 금속기판의 표면 거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0003c#Rms(표면 거칠기의 제곱평균제곱근)003c#100㎚, 0003c#Rp-v(표면 거칠기의 산과 골 사이 수직방향 거리)003c#1000㎚인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속기판이 반사전극의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속기판은, 스틸, 알루미늄 및 구리 중 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속기판이 양극이고, 상기 투명전극은 음극인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
5 5
제 1 항에 있어서,상기 금속기판이 음극이고, 상기 투명전극은 양극인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬 생성 억제 산화물 박막은, W, Mo, Cu, Sn, In, Mg, Ca, Ti, Ag, Au로 이루어진 군에서 1종 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬 생성 억제 산화물 박막의 두께는 5Å ~ 500Å인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬 생성 억제 산화물 박막은, 스퍼터 증착법, 열증착법, 전자선증착법 중에서 선택된 방법을 통해 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 표면 플라즈몬 생성 억제 산화물 박막은, 산소 플라즈마 처리, 자외선-오존(UV Ozone)처리 또는 열처리 중 적어도 한 가지의 후처리가 행해진 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
12 12
금속기판과, 상기 금속기판상에 형성된 유기물 활성층과, 상기 금속기판과 유기물 활성층 사이에 형성된 것으로 Ag, Cu, In, Sn, C 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어진 나노선을 포함하는 제1투명전극과, 상기 유기물 활성층 상에 형성된 제2투명전극을 포함하고, 상기 금속기판과 유기물 활성층의 사이에 평탄화층 및 절연층이 형성되지 않으며 상기 금속기판의 표면 거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0003c#Rms(표면 거칠기의 제곱평균제곱근)003c#100㎚, 0003c#Rp-v(표면 거칠기의 산과 골 사이 수직방향 거리)003c#1000㎚인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
13 13
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14 14
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15 15
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16 16
제 12 항에 있어서,상기 투명전극은 스핀코팅, 바 코팅, 닥터블레이드 중 하나의 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.