| 1 |
1
제1반도체층, 활성층 및 제2반도체층이 상면에 순차 형성되는 발광다이오드용 기판의 제조방법으로서, 소정의 기판부재의 상면을 상기 기판부재에 비해 건식에칭이 용이한 물질로 이루어진 나노구조체로 코팅하는 단계;상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 기판부재와 함께 건식에칭함으로써 상기 기판부재의 상면에 상면 요철부를 형성하는 단계;상기 기판부재의 하면을 상기 나노구조체로 코팅하는 단계; 및상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 기판부재와 함께 건식에칭함으로써 상기 기판부재의 하면에 하면 요철부를 형성하는 단계;를 포함하는 발광다이오드용 기판의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 나노구조체는 구형인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 기판의 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 나노구조체의 직경은 100㎚ ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 기판의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 나노구조체는 실리카(SiO2), 유리, 폴리스티렌(polystyrene) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 기판의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 나노구조체로 코팅하는 단계는,상기 나노구조체가 균일한 단일층을 이루도록 스핀 코팅하는 단계;인 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 기판의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 발광다이오드용 기판의 제조방법은,상기 상면 요철부 상에 상기 기판부재와 상기 제1반도체층의 원자 간의 간격차이나 열팽창률 차이로 인한 결함 발생을 방지하는 버퍼층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 기판의 제조방법
|
| 7 |
7
제1반도체층, 활성층 및 제2반도체층이 상면에 순차 형성되는 발광다이오드용 기판으로서,소정의 기판부재; 및상기 기판부재의 상면과 하면을 상기 기판부재에 비해 건식에칭이 용이한 물질로 이루어진 나노구조체로 각각 코팅하고 건식에칭함으로써, 상기 기판부재의 상면과 하면에 각각 형성된 상ㆍ하면 요철부;를 포함하는 발광다이오드용 기판
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 상ㆍ하면 요철부는,상기 기판부재의 상면과 하면을 구형의 상기 나노구조체로 각각 코팅하고 건식에칭함으로써, 반구형으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 기판
|
| 9 |
9
제7항 또는 제8항에 있어서,상기 발광다이오드용 기판은,상기 기판부재와 상기 제1반도체층의 원자 간의 간격차이나 열팽창률 차이로 인한 결함 발생을 방지하도록 상기 상면 요철부 상에 형성되는 버퍼층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드용 기판
|
| 10 |
10
소정의 기판부재의 상면을 상기 기판부재에 비해 건식에칭이 용이한 물질로 이루어진 나노구조체로 코팅하는 단계;상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 기판부재와 함께 건식에칭함으로써 상기 기판부재의 상면에 상면 요철부를 형성하는 단계;상기 상면 요철부 상에 제1반도체층, 활성층 및 제2반도체층을 순차 형성하는 단계;상기 기판부재의 하면을 상기 나노구조체로 코팅하는 단계; 및상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 기판부재와 함께 건식에칭함으로써 상기 기판부재의 하면에 하면 요철부를 형성하는 단계;를 포함하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 나노구조체는 구형인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,상기 나노구조체의 직경은 100㎚ ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 13 |
13
제10항에 있어서,상기 나노구조체는 실리카(SiO2), 유리, 폴리스티렌(polystyrene) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 14 |
14
제10항에 있어서,상기 나노구조체로 코팅하는 단계는,상기 나노구조체가 균일한 단일층을 이루도록 스핀 코팅하는 단계;인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
|
| 15 |
15
제10항에 있어서,상기 발광다이오드의 제조방법은,상기 상면 요철부 상에 상기 기판부재와 상기 제1반도체층의 원자 간의 간격차이나 열팽창률 차이로 인한 결함 발생을 방지하는 버퍼층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 제조방법
|
