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기판; 상기 기판 상부에 형성된 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 그 사이에 개재된 활성층; 및상기 제1 반도체층 상부에, 상기 제1 반도체층보다 굴절률이 작은 굴절율 조절층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 굴절율 조절층은, 상기 제1 반도체층 상에 형성되며 상기 제1 반도체층보다 굴절율이 작은 제1 굴절율 조절층; 및 상기 제1 굴절율 조절층 상에 형성되며 상기 제1 굴절율 조절층보다 굴절율이 작은 제2 굴절율 조절층을 포함하고, 상기 제2 굴절율 조절층에는 피라미드 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자
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청구항 2에 있어서, 상기 제1 반도체층은 질화물계 반도체층이고, 상기 제1 굴절율 조절층은 ZnO계 산화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 발광소자
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청구항 2에 있어서, 상기 제2 굴절율 조절층은 MgO계 산화물로 형성되며, 상기 MgO계 산화물은 MgO에 다른 원소를 첨가하여 형성된 3원계 또는 그 이상의 다원계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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청구항 4에 있어서,상기 3원계 화합물은 MgxBe1-xO, MgxCa1-xO, MgxSr1-xO, MgxBa1-xO 을 포함하며, 상기 다원계 화합물은 Be, Ca, Sr, Ba 원소 중 2종 이상의 원소 및 Mg의 화합물 형태인 것을 특징으로 하는 발광소자
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청구항 4에 있어서,상기 MgO계 산화물은 MgO계 산화물에 불순물을 도핑하여 형성되며, 상기 불순물은 B, In, Zn, Tl, Al, Sn, Ga, Te, Si, C, Ge, N, P, As, Sb, Bi, S, Se, Br, I, Ti 또는 상기 금속들의 산화물, 또는 상기 금속들과 그 산화물이 혼합된 경우를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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7
청구항 2에 있어서,상기 제1 굴절율 조절층은 ZnO, Al-도핑 ZnO, In-도핑 ZnO, Ga-도핑 ZnO, ZrO2, TiO2, SiO2, SiO, Al2O3, CuOx 또는 ITO를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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8
청구항 1에 있어서,상기 제1 반도체층은 n형 반도체 층인 것을 특징으로 하는 발광소자
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9
청구항 1에 있어서, 상기 굴절율 조절층은 상기 제1 반도체층 상부에 위치한 투명한 오믹 전극층 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자
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10
도전성 기판을 마련하는 단계; 상기 기판 상부에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 그 사이에 개재된 활성층을 포함하는 반도체 적층구조체를 형성하는 단계; 및상기 제1 반도체층 상부에, 상기 제1 반도체층보다 굴절률이 작은 굴절율 조절층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 굴절율 조절층은, 상기 제1 반도체층 상에 형성되며 상기 제1 반도체층보다 굴절율이 작은 제1 굴절율 조절층; 및 상기 제1 굴절율 조절층 상에 형성되며 상기 제1 굴절율 조절층보다 굴절율이 작은 제2 굴절율 조절층을 포함하고, 상기 제2 굴절율 조절층에는 피라미드 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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