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흡수 분광 측정 방법 및 분광기

  • 기술번호 : KST2015169574
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 DCM(Double Crystal Monochromator)을 이용하여 흡수 분광을 측정하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 일 실시예에 따르면 흡수 분광 측정 방법이 제공된다. 상기 흡수 분광 측정 방법은 흡수 에지(absorption edge)보다 작은 에너지를 가진 x-선에 대한 복수의 매체들의 x-선 흡수량과 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선에 대한 상기 복수의 매체들의 x-선 흡수량의 차이에 기반하여 x-선의 3차 고조화항(3rd-order harmonics)에 대한 기본항(fundamental harmonics)의 비율을 계산하는 단계 및 상기 3차 고조화항에 대한 기본항의 비율에 기반하여 DCM(Double Crystal Monochromator)의 크리스털의 각도를 조절하고 시료의 흡수 분광을 측정하는 단계를 포함한다.따라서, DCM(Double Crystal Monochromator)의 크리스털의 적절한 디튜닝(detuning) 각도를 예상할 수 있고, 시료의 흡수 분광을 측정하기 위한 x-선의 세기를 최적으로 유지할 수 있다. 또한, 흡수 분광 실험의 데이터 품질을 높일 수 있다.
Int. CL G01N 23/06 (2006.01) G01N 23/223 (2006.01)
CPC G01N 23/06(2013.01) G01N 23/06(2013.01) G01N 23/06(2013.01) G01N 23/06(2013.01) G01N 23/06(2013.01)
출원번호/일자 1020110116030 (2011.11.08)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1304241-0000 (2013.08.30)
공개번호/일자 10-2013-0050786 (2013.05.16) 문서열기
공고번호/일자 (20130905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성낙언 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 인비전 특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0881568-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.11.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.12.03 수리 (Accepted) 9-1-2012-0089609-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0761443-59
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0113436-51
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0113429-31
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0215094-09
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0215092-18
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0335401-51
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0635191-69
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0635190-13
13 등록결정서
Decision to grant
2013.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0551116-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
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삭제
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흡수 에지(absorption edge)보다 작은 에너지를 가진 x-선에 대한 복수의 매체들의 x-선 흡수량과 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선에 대한 상기 복수의 매체들의 x-선 흡수량의 차이에 기반하여 x-선의 3차 고조화항(3rd-order harmonics)에 대한 기본항(fundamental harmonics)의 비율을 계산하는 단계; 및상기 3차 고조화항에 대한 기본항의 비율에 기반하여 DCM(Double Crystal Monochromator)의 크리스털의 각도를 조절하고 시료의 흡수 분광을 측정하는 단계를 포함하되,상기 복수의 매체들은 상기 시료에 입사되는 x-선의 세기를 측정하는 제 1 이온 챔버 및 상기 시료로부터 출사되는 x-선의 세기를 측정하는 제 2 이온 챔버를 포함하고,상기 3차 고조화항에 대한 기본항의 비율 α는003c#수학식003e#에 의해 표현되고 여기서,상기 μh11은 상기 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선의 기본항에 대한 상기 제 1 이온 챔버의 흡수 계수,상기 μh13은 상기 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선의 3차 고조화항에 대한 상기 제 1 이온 챔버의 흡수 계수,상기 μl11은 상기 흡수 에지보다 작은 에너지를 가진 x-선의 기본항에 대한 상기 제 1 이온 챔버의 흡수 계수,상기 μl13은 상기 흡수 에지보다 작은 에너지를 가진 x-선의 3차 고조화항에 대한 상기 제 1 이온 챔버의 흡수 계수,상기 t1는 상기 제 1 이온 챔버의 두께,상기 μhj1은 상기 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선의 기본항에 대한 j번째 매체의 흡수 계수,상기 μhj3은 상기 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선의 3차 고주화항에 대한 j번째 매체의 흡수 계수,상기 μlj1은 상기 흡수 에지보다 작은 에너지를 가진 x-선의 기본항에 대한 j번째 매체의 흡수 계수,상기 μlj3은 상기 흡수 에지보다 작은 에너지를 가진 x-선의 3차 고주화항에 대한 j번째 매체의 흡수 계수,상기 tj는 j 번째 매체의 두께,상기 n은 상기 복수의 매체들의 개수,상기 Δμt는 상기 흡수 에지보다 작은 에너지를 가진 x-선에 대한 복수의 매체들의 x-선 흡수량과 상기 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선에 대한 상기 복수의 매체들의 x-선 흡수량의 차이인 것을 특징으로 하는 흡수 분광 측정 방법
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제 2 항에 있어서,상기 크리스털은 표면이 평면으로 형성된 규소(Si)를 포함하는 것을 특징으로 하는 흡수 분광 측정 방법
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입사광을 분광하여 제 2 크리스털로 전달하는 제 1 크리스털;상기 제 1 크리스털에 의해 분광된 입사광을 다시 분광하여 출사광을 생성하는 제 2 크리스털;상기 제 1 크리스털과 상기 제 2 크리스털 사이의 각도를 조절하는 제어부를 포함하되, 상기 제어부는흡수 에지(absorption edge)보다 작은 에너지를 가진 x-선에 대한 복수의 매체들의 x-선 흡수량과 상기 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선에 대한 상기 복수의 매체들의 x-선 흡수량의 차이에 기반하여 상기 출사광의 3차 고조화항(3rd-order harmonics)에 대한 기본항(fundamental harmonics)의 비율을 계산하고,상기 3차 고조화항에 대한 기본항의 비율에 기반하여 상기 각도를 결정하되,상기 3차 고조화항에 대한 기본항의 비율 α는003c#수학식003e#에 의해 표현되고 여기서,상기 μh11은 상기 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선의 기본항에 대한 제 1 이온 챔버의 흡수 계수,상기 μh13은 상기 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선의 3차 고조화항에 대한 상기 제 1 이온 챔버의 흡수 계수,상기 μl11은 상기 흡수 에지보다 작은 에너지를 가진 x-선의 기본항에 대한 상기 제 1 이온 챔버의 흡수 계수,상기 μl13은 상기 흡수 에지보다 작은 에너지를 가진 x-선의 3차 고조화항에 대한 상기 제 1 이온 챔버의 흡수 계수,상기 t1는 상기 제 1 이온 챔버의 두께,상기 μhj1은 상기 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선의 기본항에 대한 j번째 매체의 흡수 계수,상기 μhj3은 상기 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선의 3차 고주화항에 대한 j번째 매체의 흡수 계수,상기 μlj1은 상기 흡수 에지보다 작은 에너지를 가진 x-선의 기본항에 대한 j번째 매체의 흡수 계수,상기 μlj3은 상기 흡수 에지보다 작은 에너지를 가진 x-선의 3차 고주화항에 대한 j번째 매체의 흡수 계수,상기 tj는 j 번째 매체의 두께,상기 n은 상기 복수의 매체들의 개수,상기 Δμt는 상기 흡수 에지보다 작은 에너지를 가진 x-선에 대한 복수의 매체들의 x-선 흡수량과 상기 흡수 에지보다 큰 에너지를 가진 x-선에 대한 상기 복수의 매체들의 x-선 흡수량의 차이인 것을 특징으로 하는 분광기
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제 6항에 있어서,상기 제 1 크리스털 및 상기 제 2 크리스털은 표면이 평면으로 형성된 규소(Si)를 포함하는 것을 특징으로 하는 분광기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.