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유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169579
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드용 기판은, DMD 전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 반사 전극이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판으로서, 광투과성을 가진 기판부재와 상기 기판부재의 상면에 형성되는 굴절률 조절층을 포함하고, 상기 굴절률 조절층은 상기 DMD 전극에서 상기 기판부재로 진행하는 빛에 대하여 전반사 발생 임계각이 증가하도록 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진다.본 발명에 의하면, DMD 전극이 형성되는 기판부재의 상면에 기판부재의 굴절률보다 크고 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 굴절률 조절층이 형성됨으로써, 발광층으로부터 방출되어 DMD 전극에서 기판부재로 진행하는 빛에 대하여 전반사 발생 임계각을 증가시킴으로써 DMD 전극과 기판의 계면에서 발생하는 전반사 현상을 줄여 광추출 효율을 제고할 수 있고, 특히 굴절률 조절층은 제1ㆍ제2굴절률 조절층으로 이루어지고 제2굴절률 조절층이 형성되는 제1굴절률 조절층의 표면에 다수의 요철부가 형성됨으로써, 측 방향으로 진행하는 빛이 소실되지 않고 이러한 요철부에서 굴절되어 기판 측으로 방출되게 하여 광추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01)
출원번호/일자 1020110073700 (2011.07.25)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1317276-0000 (2013.10.04)
공개번호/일자 10-2013-0012464 (2013.02.04) 문서열기
공고번호/일자 (20131014) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.25)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 홍기현 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 유학기 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0573828-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0037218-62
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0141769-97
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0375773-00
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0375774-45
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0613073-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
DMD 전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 반사 전극이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판으로서,광투과성을 가진 기판부재와 상기 기판부재의 상면에 형성되는 굴절률 조절층을 포함하고,상기 굴절률 조절층은 상기 DMD 전극에서 상기 기판부재로 진행하는 빛에 대하여 전반사 발생 임계각이 증가하도록 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
2 2
제1항에 있어서,상기 굴절률 조절층은, 상기 기판부재 상에 형성되며 그 상면에 다수의 요철부가 구비된 제1굴절률 조절층과 상기 제1굴절률 조절층 상에 형성되는 제2굴절률 조절층을 포함하되,상기 제1ㆍ제2굴절률 조절층은, 각각 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
3 3
제2항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층은 상기 제2굴절률 조절층을 이루는 물질의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
4 4
제2항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층은 MgO, CaO, ZnO, ITO, V2O5, RuO, CuO, SnO2, AgO, WO3 및 TiO2로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
5 5
제2항에 있어서,상기 제2굴절률 조절층은 ZrO2, MgO, ITO, V2O5, RuO, WO3, TiO2, PdO 및 MoO3로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
6 6
제2항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층은 비등방성 결정구조를 갖는 물질로 이루어지며,상기 요철부는 비등방성 결정구조로 인한 결정면의 표면에너지 차이에 의해 상기 제1굴절률 조절층의 표면에 자발적으로 생성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
7 7
제6항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층은 암염구조를 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
8 8
제6항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층은 MgO, CaO, ZnO 또는 이 중 둘 이상의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
9 9
제6항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층의 두께는 10㎚ ~ 500㎚인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
10 10
광투과성을 가진 기판부재의 상면에, DMD 전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 반사 전극이 순차적으로 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법으로서,상기 기판부재와 DMD 전극의 사이에, 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로써 굴절률 조절층을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 굴절률 조절층을 형성하는 단계는,상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어지며, 표면에 다수의 요철부가 구비된 제1굴절률 조절층을 상기 기판부재의 상면에 형성하는 단계; 및상기 제1굴절률 조절층의 상면에 상기 기판부재의 굴절률보다 크고 상기 DMD 전극의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어지는 제2굴절률 조절층을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층을 형성하는 단계는,비등방성 결정구조를 갖는 물질의 결정면의 표면에너지 차이에 의해 자발적으로 상기 다수의 요철부가 형성되도록 비등방성 결정구조를 갖는 물질을 상기 기판부재의 상면에 증착시켜 상기 제1굴절률 조절층을 형성하는 단계;인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법
13 13
제11항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층은 암염구조를 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법
14 14
제11항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층은 MgO, CaO, ZnO 또는 이 중 둘 이상의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법
15 15
제11항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층은 상기 제2굴절률 조절층을 이루는 물질의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법
16 16
제11항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층은 진공증착법, 전자선증착법, 스퍼터링법 또는 레이저증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법
17 17
제11항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층의 두께는 10㎚ ~ 500㎚인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.