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금속 기재를 준비하는 단계;상기 금속 기재를 양극 산화시켜 상기 금속 기재의 표면에 마이크로 구조체와 나노 섬유 구조체들의 복합 구조체를 가지는 세라믹층을 형성하는 단계; 및상기 세라믹층 위로 소수성 고분자 물질을 코팅하여 상기 복합 구조체와 동일한 표면 형상을 가지는 고분자층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 양극 산화의 초기 단계에서 상기 세라믹층에 나노 홀이 형성되고,상기 양극 산화가 진행될수록 상기 나노 홀의 확장으로 인해 상기 나노 홀들의 벽면들 일부가 기울어지고, 상기 기울어진 벽면들보다 밀도가 높은 벽면들이 상기 기울어진 벽면들의 중심에 남아 상기 나노 섬유 구조체들과 산줄기 모양의 마이크로 구조체로 이루어진 상기 복합 구조체가 형성되는 극소수성 표면 가공 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 기재는 알루미늄, 니켈, 티타늄, 마그네슘, 및 아연으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 극소수성 표면 가공 방법
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제1항에 있어서,상기 양극 산화 시 전해액의 온도는 0℃ 내지 40℃의 범위에 속하고, 상기 금속 기재와 상대 전극에 가해지는 전압은 20V 내지 200V의 범위에 속하는 극소수성 표면 가공 방법
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제4항에 있어서,상기 금속 기재와 상기 상대 전극의 전압 인가 시간은 5분 내지 10분의 범위에 속하는 극소수성 표면 가공 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자층은 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE), 불화 에틸렌프로필 코폴리머(FEP), 퍼플루오르알콕시(PFA), 및 HDFS((HEPTADECAFLUORO-1,1,2,2-TETRAHYDRODECYL)-TRICHLOROSILANE)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 극소수성 표면 가공 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자층은 단분자층으로 코팅되는 극소수성 표면 가공 방법
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제7항에 있어서,상기 고분자층은 1Å 이상 5nm 이하의 범위에 속하는 두께를 가지는 극소수성 표면 가공 방법
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내부에 냉매가 흐르면서 주위에 유동하는 공기와 열 교환하는 냉매 튜브를 포함하며,상기 냉매 튜브는 금속 기재를 구성하고,상기 냉매 튜브의 외주면은 제1항, 제2항, 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항의 방법으로 가공된 극소수성 표면을 가지는 증발기
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서로간 거리를 두고 위치하는 상부 헤더탱크 및 하부 헤더탱크;상기 상부 헤더탱크 및 상기 하부 헤더탱크에 양단이 고정되며, 냉매 유로를 형성하는 복수의 냉매 튜브; 및상기 냉매 튜브와 접촉하며 상기 냉매 튜브들 사이에 위치하고, 표면에서 외부 공기와 접촉하는 복수의 열교환 핀을 포함하며,상기 열교환 핀은 금속 기재를 구성하고, 제1항, 제2항, 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항의 방법으로 가공된 극소수성 표면을 가지는 증발기
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제10항에 있어서,상기 열교환 핀은 지그재그 패턴으로 굽어 파형(波形) 구조로 형성되는 증발기
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