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투명 전극을 이용한 발광다이오드
- 기술번호 : KST2015169591
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 본 발명은, 질화갈륨계 발광다이오드에 산화막/금속/산화막으로 이루어진 투명전극을 적용함으로써, 종래에 비해 발광효율을 향상시킬 수 있는 발광다이오드에 관한 것이다.본 발명에 따른 발광다이오드는 발광 구조를 갖는 반도체층 위의 표면 반도체층이 N-페이스 또는 Ga-페이스를 갖는 n형 반도체 상에 형성된 투명전극을 포함하는 발광다이오드로서, 상기 투명전극은 상기 n형 반도체 상에, 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 형성된 다층구조로 이루어진 것을 특징으로 한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/42 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01) |
| CPC | H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110070253 (2011.07.15) |
| 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1280501-0000 (2013.06.25) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0009274 (2013.01.23) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130701) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.07.15) |
| 심사청구항수 | 10 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이종람 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 2 | 김범준 | 대한민국 | 경기도 고양시 일산동구 |
| 3 | 손준호 | 대한민국 | 경상북도 경산시 |
| 4 | 홍기현 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 5 | 송양희 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인아이엠 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 경상북도 포항시 남구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.07.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0544341-30 |
| 2 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.07.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0551253-85 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.04.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.05.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0037296-13 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.08.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0515992-44 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.10.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0888699-72 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0996171-33 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.12.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1089507-85 |
| 9 | 보정요구서 Request for Amendment |
2013.01.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0004840-53 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.01.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0096279-34 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.01.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0096278-99 |
| 12 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2013.01.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0037800-17 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 14 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.06.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0424061-96 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 발광 구조를 갖는 반도체층 위의 표면 반도체층이 N-페이스 또는 Ga-페이스를 갖는 n형 반도체 상에 형성된 투명전극을 포함하는 발광다이오드로서,상기 투명전극은 상기 n형 반도체 상에, 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 형성된 다층구조로 이루어져 있고,상기 n형 반도체와 상기 투명 전극 사이에 Ti 또는 Cr로 이루어진 전류주입용 금속층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 투명전극에서 상기 금속층의 상부에 형성된 산화물층의 표면이 패터닝되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 투명전극의 상기 금속층 또는 상기 금속층의 상부에 형성된 산화물층에 n형 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 산화물층은 WOx, ZnOx, CaOx, TiOx, NiOx, CoOx, CeOx, SiOx, CuOx, ITO, AZO, MoOx 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 산화물층의 두께는 1nm ~ 10㎛ 인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 금속층은 Ag, Au 또는 Al 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 금속층의 두께는 1nm ~ 100nm 인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 전류주입 금속층의 두께는 0 |
| 12 |
12 제 4 항에 있어서,상기 패터닝은 포토리소그래피법 또는 나노 임프린트법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 |
| 13 |
13 제 5 항에 있어서, 상기 n형 전극은 Cr, Au, Ti, Al, Ni, Pd, Pt 또는 Ag 중에서 선택된 1종 이상의 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 포항공과대학교 산학협력단 | 산업원천기술개발사업(산업기술) | 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1280501-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110715 출원 번호 : 1020110070253 공고 연월일 : 20130701 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130620 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 33/42 발명의 명칭 : 투명 전극을 이용한 발광다이오드 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2013년 06월 26일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2016년 04월 01일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2017년 03월 31일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 86,000 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 164,000 원 | 2019년 03월 19일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 164,000 원 | 2020년 04월 01일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.07.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0544341-30 |
| 2 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.07.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0551253-85 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.04.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2012.05.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0037296-13 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2012.08.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0515992-44 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.10.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0888699-72 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0996171-33 |
| 8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.12.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1089507-85 |
| 9 | 보정요구서 | 2013.01.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0004840-53 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.01.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0096279-34 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.01.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0096278-99 |
| 12 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2013.01.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0037800-17 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 14 | 등록결정서 | 2013.06.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0424061-96 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345212249 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R31-2012-000-10059-0 |
| 연구과제명 | 첨단 기능성 신물질 시스템 기초 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200812~201308 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415131567 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10035598 |
| 연구과제명 | 180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201003~201502 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415115431 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10035598 |
| 연구과제명 | 180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 201003~201502 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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