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내부 응력이 조절된 플렉서블 금속 기판과 전자소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169595
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 내부 응력이 조절 된 플렉서블 금속 기판과 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 금속 기판에 관한 것이다.본 발명에 따른 플렉서블 금속 기판의 제조 방법은 모기판 상에 플렉서블 금속 기판을 형성하는 단계, 상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판으로부터 분리시키는 단계 및 상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 금속 기판의 분리면에 전자소자를 형성하는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 플렉서블 금속 기판의 내부 응력이 모기판과 상기 플렉서블 금속 기판 사이의 계면 결합력보다 작게 되도록 하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, 기존의 플렉서블 기판의 낮은 공정 가능 온도, 높은 표면거칠기, 높은 열팽창 계수, 나쁜 핸들링 특성의 문제에 따른 플렉서블 전자소자의 성능 및 수율 저하의 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G02F 1/1333 (2006.01) G09F 9/00 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01) H01L 51/0097(2013.01)
출원번호/일자 1020110089325 (2011.09.04)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0026009 (2013.03.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.04)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김기수 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 이일환 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 구본형 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0689929-87
2 보정요구서
Request for Amendment
2011.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0082189-75
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0707331-18
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0037228-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0747121-34
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0117145-63
8 보정요구서
Request for Amendment
2013.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0018793-77
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2013.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0147386-07
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0201749-23
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0304559-93
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0304571-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0533795-13
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0783853-68
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0783854-14
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0077854-79
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
19 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.02.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0186536-42
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0186535-07
21 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0228649-13
22 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2014.06.10 수리 (Accepted) 7-8-2014-0014437-90
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
모기판 상에 플렉서블 금속 기판을 형성하는 단계;상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판으로부터 분리시키는 단계; 및상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 금속 기판의 분리면에 전자소자를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 플렉서블 금속 기판의 내부 응력이 모기판과 상기 플렉서블 금속 기판 사이의 계면 결합력보다 작게 되도록 하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법
2 2
패턴된 모기판 상에 플렉서블 금속 기판을 형성하는 단계;상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판으로부터 분리시키는 단계; 및상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 금속 기판의 분리면에 전자소자를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 플렉서블 금속 기판의 내부 응력이 모기판과 상기 플렉서블 금속 기판 사이의 계면 결합력보다 작게 되도록 하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판의 두께는 5㎛ ~ 500㎛인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판이 형성되는 모기판 면의 표면거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10 ㎛×10 ㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0 003c# Rms 003c# 100 ㎚, 0003c# Rp-v 003c#1000 ㎚인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 모기판의 형상은 평판 또는 반원통형 또는 원통형인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 모기판은 유리 또는 금속 또는 고분자 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In
9 9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 전자선 증착법 또는 열 증착법 또는 스퍼터 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법
10 10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판 형성 시 이온 빔을 기판에 조사하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법
11 11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 주조법 또는 화학기상 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법
12 12
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 무전해 도금법으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법
13 13
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전자소자는 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display:OLED), 태양전지(Solar cell), 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 전기영동장치(Electrophoretic display: EPD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma displaypanel: PDP), 박막 트랜지스터(thin-film transistor: TFT), 마이크로 프로세서(microprocessor) 및 램(Random access memory: RAM)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판의 제조방법
14 14
제 1 항 또는 제2 항에 기재된 플렉서블 금속 기판의 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는, 플렉서블 금속 기판
15 15
모기판 상에 플렉서블 금속 기판을 형성하는 단계;상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판으로부터 분리시키는 단계; 및상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 금속 기판의 분리면에 전자소자를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 플렉서블 금속 기판의 내부 응력이 모기판과 상기 플렉서블 금속 기판 사이의 계면 결합력보다 작게 되도록 하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법
16 16
패턴된 모기판 상에 플렉서블 금속 기판을 형성하는 단계;상기 플렉서블 금속 기판을 상기 모기판으로부터 분리시키는 단계; 및상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 금속 기판의 분리면에 전자소자를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 플렉서블 금속 기판의 내부 응력이 모기판과 상기 플렉서블 금속 기판 사이의 계면 결합력보다 작게 되도록 하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법
17 17
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판의 두께는 5㎛ ~ 500㎛인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법
18 18
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판이 형성되는 모기판 면의 표면거칠기는 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10 ㎛×10 ㎛의 스캔 범위로 관측할 때, 0 003c# Rms 003c# 100 ㎚, 0 003c# Rp-v 003c# 1000㎚인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법
19 19
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 모기판의 형상은 평판 또는 반원통형 또는 원통형인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법
20 20
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 모기판은 유리 또는 금속 또는 고분자 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법
21 21
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법
22 22
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, W, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In
23 23
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 전자선 증착법 또는 열 증착법 또는 스퍼터 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법
24 24
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판 형성 시 이온 빔을 기판에 조사하는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법
25 25
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 주조법 또는 화학기상 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법
26 26
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 플렉서블 금속 기판은 무전해 도금법으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법
27 27
제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 전자소자는 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display:OLED), 태양전지(Solar cell), 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 전기영동장치(Electrophoretic display: EPD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma displaypanel: PDP), 박막 트랜지스터(thin-film transistor: TFT), 마이크로 프로세서(microprocessor) 및 램(Random access memory: RAM)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자의 제조방법
28 28
제 15 항 또는 제 16 항의 플렉서블 전자소자의 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는, 플렉서블 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 21세기프론티어기술개발사업 대면적 FLEXIBLE DISPLAY를 위한 LASER LIFT-OFF 기술 개발