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초소수성 표면 형성을 통한 물에 젖지 않는 전자소자의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015169598
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초소수성 표면의 형성을 통해 물에 젖지 않는 전자소자를 제작함으로써 수분에 취약한 다양한 전자소자의 문제점을 해결하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 전자소자 표면에 산화아연 나노구조를 성장시키고 나노 구조표면에 스테아르산을 처리함으로써 전자소자에 초소수성 표면을 형성할 수 있다. 형성된 초소수성 표면으로 인해 전자소자가 물에 젖지 않는 특성을 갖게 되고, 이에 의해 물방울이 표면에 있어도 전자소자가 오작동하지 않는 방수 특성을 나타낼 수 있게 된다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 23/3171(2013.01) H01L 23/3171(2013.01) H01L 23/3171(2013.01)
출원번호/일자 1020110111781 (2011.10.31)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1309142-0000 (2013.09.10)
공개번호/일자 10-2013-0047025 (2013.05.08) 문서열기
공고번호/일자 (20130917) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 용기중 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이승협 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0851395-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0048838-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0045009-97
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0248670-50
6 보정요구서
Request for Amendment		 2013.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0034179-28
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0351321-25
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0351389-18
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0279824-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0590527-64
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
방수성 전자소자를 제작하는 방법으로서,전자소자의 표면에 산화아연 나노 막대가 수직 배향된 나노 구조를 형성하고 말단에 알킬기가 형성된 지방산으로 처리하는 것을 특징으로 하는 방수성 전자소자 제작 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 지방산은 스테아르산인 방수성 전자소자 제작 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 나노 막대는 300 nm 이하인 것을 특징으로 하는 방수성 전자소자 제작 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노막대는 씨앗층에서 성장되는 것을 특징으로 하는 방수성 전자소자 제작 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노구조를 형성하기 전에 상기 전자소자의 표면에 산화아연 박막 또는 알루미늄 도핑된 산화아연 박막을 형성시키는 것을 포함하는 방수성 전자소자 제작 방법
6 6
제1-5항 중 어느 한 항의 방법에 따라 형성된 초소수성 표면을 가진 방수성 전자소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 전자소자는 유연성 전자소자 및/또는 투명성 전자소자인 방수성 전자소자
8 8
제6항에 있어서, 상기 전자소자는 트랜지스터, 메모리소자, 저항변화소자, 또는 전극배선인 방수성 전자소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.