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유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015169611
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 유기 발광 다이오드의 제조방법은 전도성 기판 상에 평탄화층을 형성하는 평탄화층 형성단계, 상기 평탄화층의 노출면을 플라즈마 처리하여 상기 평탄화층의 노출면에 나노 패턴을 형성하는 나노 패턴 형성단계, 상기 평탄화층의 노출면 상에 상기 평탄화층에 형성된 나노 패턴에 대응하는 패턴을 갖는 하부 반사 전극을 형성하는 하부 반사 전극 형성단계, 상기 하부 반사 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 유기 발광층 형성단계 및 상기 유기 발광층 상에 상부 투명 전극을 형성하는 상부 투명 전극 형성단계를 포함하여 구성된다.본 발명에 따르면, 평탄화층에 대한 플라즈마 처리를 통해 평탄화층의 표면을 거칠게 형성하여 유기 발광층에서 생성된 광을 난반사시킴으로써 유기 발광 다이오드의 광 방출효율이 크게 향상되는 효과가 있다.
Int. CL H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 27/3258(2013.01) H01L 27/3258(2013.01)
출원번호/일자 1020110091761 (2011.09.09)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1262284-0000 (2013.05.02)
공개번호/일자 10-2013-0028304 (2013.03.19) 문서열기
공고번호/일자 (20130509) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.09)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이일환 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 홍기현 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김기수 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구
6 구본형 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0707356-48
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0079984-80
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0658845-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1077066-15
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-1077065-70
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0292798-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기 발광 다이오드의 제조방법에 있어서,전도성 기판 상에, 비정질 영역(amorphous region)과 반결정질 영역(semi-crystalline region)이 혼합된 구조를 갖는 폴리머로 이루어진 평탄화층을 형성하는 단계;상기 평탄화층의 노출면을 플라즈마로 식각 처리하여, 상기 평탄화층의 노출면에 상기 비정질 영역과 반결정질 영역의 플라즈마에 대한 식각율 차이에 의해 생성되는 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 평탄화층의 노출면 상에 상기 평탄화층에 형성된 나노 패턴에 대응하는 패턴을 갖는 하부 반사 전극을 형성하는 단계;상기 하부 반사 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기 발광층 상에 상부 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 전도성 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, Mg, Invar 및 SUS(Steel Use Stainless)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제1 항에 있어서, 상기 평탄화층은 폴리이미드(polyimide), PDMS, PMMA, 폴리아크릴레이트(poly acrylate), PUA 및 SU-8로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 플라즈마는 산소, 질소, 아르곤, 헬륨 및 수소 가스로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제1 항에 있어서,상기 하부 반사 전극은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
9 9
제1 항에 있어서, 상기 하부 반사 전극은 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni Directionally Reflector) 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
10 10
제1 항에 있어서,상기 플라즈마 처리는, 공급전력은 10W~500W, 압력 1mtorr~500mtorr, 플라즈마 처리시간 1초~1000초로 수행하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
제1 항에 있어서,상기 평탄화층은 스핀 코팅, 바 코팅, 스크린 프린팅, 열 증착, 스프레이 및 화학 기상 증착 중 하나의 방식을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
15 15
제1 항에 있어서, 상기 하부 반사 전극과 상기 상부 투명 전극은 열 증착, 전자선 증착, 스퍼터링, 스핀 코팅, 화학 기상 증착 및 레이저 증착 중 하나의 방식을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
16 16
제1 항에 있어서, 상기 상부 투명 전극은 광투과성을 갖는 금속 박막, 전도성 산화막, 전도성 폴리머, 금속 그리드, 금속 나노 와이어 및 산화물 나노 와이어 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
17 17
제1 항에 있어서,상기 유기 발광 다이오드는 상기 유기 발광층에서 생성된 광이 상기 상부 투명 전극을 통해 외부로 방출되는 전면 발광형인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드의 제조방법
18 18
삭제
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국가 R&D 정보가 없습니다.