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하부 기판에 형성된 상부 보조전극을 포함한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015169612
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하부 기판에 형성된 상부 보조전극을 포함한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 형성된 반사 전극; 상기 반사 전극 상에 형성 된 패터닝 된 절연층; 상기 절연층 상에 형성 된 패터닝 된 상부 보조전극; 상기 개방된 반사 전극 상 또는 상기 개방된 반사전극과 상기 상부 보조전극의 일부에 형성 된 유기물 활성층; 상기 유기물 활성층과 상부 보조전극 상에 형성된 투명 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.상기 유기 발광 다이오드는 하부 기판 상에 상부 보조전극을 형성하여, 상부 투명 전극의 전기적 저항을 줄여주어 소자의 효율 및 균일도를 높여줄 수 있어 소자의 대면적화를 가능하게 해주며, 기존 상부 보조전극 구조의 문제점인 물리적, 화학적으로 약한 유기물 활성층 활성층 및 상부 투명 전극 상에 형성되어 상기 구성층들에 손상을 줄 수 있는 문제점을 해결할 수 있으며 전극의 균일도 및 안정성이 우수한 전극 구조 형성에 용이하다.
Int. CL H05B 33/26 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/0016(2013.01) H01L 51/0016(2013.01) H01L 51/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020110091762 (2011.09.09)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0028305 (2013.03.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.09)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김기수 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 홍기현 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 이일환 대한민국 경상북도 포항시 남구
6 구본형 대한민국 경상북도 포항시 남구
7 이보라 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0707357-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0041234-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0163340-29
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0409560-13
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0617543-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 반사 전극;상기 반사 전극 상에 형성된 패터닝된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 패터닝된 상부 보조전극;상기 개방된 반사 전극 상에 형성된 유기물 활성층;상기 유기물 활성층과 상부 보조전극 상에 형성된 투명 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
2 2
기판 상에 형성된 반사 전극;상기 반사 전극 상에 형성된 패터닝 된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 패터닝 된 상부 보조전극;상기 개방된 반사 전극과 상기 상부 보조전극의 일부 상에 형성된 유기물 활성층;상기 유기물 활성층과 개방된 상부 보조전극 상에 형성된 투명전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
3 3
청구항 1 또는 청구항 2 에 있어서,상기 상부 보조전극은 Al, Ag, Cu, Au, Pd, Ni,Mo, Ti, Ta, Nb, W, Cr 로 이루어진 군에서 1종 이상의 금속이 한층 이상으로 형성됨을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
4 4
청구항 1 또는 청구항 2 에 있어서,상기 절연층은 SiO2, SiNx, SiONx, Al2O3, MgO로 이루어진 군에서 1종 이상의 절연층이 한층 이상으로 형성됨을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
5 5
청구항 4 에 있어서, 상기 절연층이 열증착 공정, 전자선 증착 공정, 스퍼터 공정, 화학 기상법 공정, 플라즈마 화학 기상법 공정, 원자층 증착법 공정 중 어느 하나의 공정을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
6 6
청구항 1 또는 청구항 2 에 있어서,상기 절연층은 스핀 온 글라스(SOG), 에폭시, 포토레지스트, 폴리이미드로 이루어진 군에서 1종 이상의 절연층이 한층 이상으로 형성됨을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
7 7
제 6항에 있어서,상기 절연층을 스핀코팅 (Spin coating) 공정, 바 코팅 (Bar coating) 공정, 닥터 블레이드(Doctor blade) 중 어느 하나의 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
8 8
청구항 1 또는 청구항 2 에 있어서,상기 절연층 및 상부 보조전극의 형태는 격자 구조 또는 선형 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
9 9
청구항 1 또는 청구항 2 에 있어서,상기 반사전극은,Ag, Al, Cu, Ti, Ni 중 선택된 1종 또는 이들의 합금 박막이 단층 또는 복층으로 증착된 금속 박막구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
10 10
청구항 1 또는 청구항 2 에 있어서,상기 반사전극은,Ag, Al, Cu, Ti, Ni 중 선택된 1종 또는 이들의 합금 박막이 단층 또는 복층으로 증착된 금속 박막구조상에 ITO, AZO, IZO, GZO 중 선택된 1종 이상으로 이루어진 투명 전도성 산화막이 단층 또는 복층으로 추가로 증착된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
11 11
청구항 1 또는 청구항 2 에 있어서,상기 반사전극은,분산 브래그 반사막(Distributed bragg reflector)에 ITO, AZO, IZO, GZO 중 선택된 1종 이상으로 이루어진 투명 전도성 산화막이 단층 또는 복층으로 추가로 증착된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
12 12
기판 상에 반사전극을 형성하는 단계;상기 반사전극 상에 패터닝된 절연층 및 상부 보조전극을 형성하는 단계;상기 개방된 반사전극 상에 유기물 활성층을 형성하는 단계;상기 유기물 활성층 상과 상부 보조전극 상에 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
13 13
기판 상에 반사전극을 형성하는 단계;상기 반사전극 상에 패터닝된 절연층 및 상부 보조전극을 형성하는 단계;상기 개방된 반사전극과 일부 보조 전극 상에 유기물 활성층을 형성하는 단계;상기 유기물 활성층 상과 상부 보조전극 상에 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
14 14
청구항 12 또는 청구항 13 에 있어서,상기 패터닝된 절연층 및 상부 보조전극을 형성하는 단계는 리프트 오프(Lift-off) 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
15 15
청구항 12 또는 청구항 13 에 있어서,상기 패터닝된 절연층 및 상부 보조전극을 형성하는 단계는 습식 식각 및 건식 식각의 어느 일방이나 양방을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
16 16
청구항 12 또는 청구항 13 에 있어서,상기 패터닝된 절연층 및 상부 보조전극을 형성하는 단계는 쉐도우 마스크를 이용한 증착을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
17 17
청구항 12 또는 청구항 13 에 있어서,상기 반사전극은,Ag, Al, Cu, Ti, Ni 중 선택된 1종 또는 이들의 합금 박막이 단층 또는 복층으로 증착된 금속 박막구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
18 18
청구항 12 또는 청구항 13 에 있어서,상기 반사전극은,Ag, Al, Cu, Ti, Ni 중 선택된 1종 또는 이들의 합금 박막이 단층 또는 복층으로 증착된 금속 박막구조상에 ITO, AZO, IZO, GZO 중 선택된 1종 이상으로 이루어진 투명 전도성 산화막이 단층 또는 복층으로 추가로 증착된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
19 19
청구항 12 또는 청구항 13 에 있어서,상기 반사전극은,분산 브래그 반사막(Distributed bragg reflector)상에 ITO, AZO, IZO, GZO 중 선택된 1종 이상으로 이루어진 투명 전도성 산화막이 단층 또는 복층으로 추가로 증착된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
20 20
청구항 12 또는 청구항 13 에 있어서,상기 유기물 활성층은, 정공 주입층, 상기 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층, 상기 정공 수송층 상에 형성된 발광층, 상기 발광층 상에 형성된 전자 수송층, 상기 전자 수송층 상에 형성된 전자 주입층로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
21 21
청구항 12 또는 청구항 13 에 있어서,상기 유기물 활성층은,전자 주입층, 상기 전자 주입층 상에 형성된 전자 수송층, 상기 전자 수송층 상에 형성된 발광층, 상기 발광층 상에 형성된 정공 수송층, 상기 정공 수송층 상에 형성된 정공 주입층로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
22 22
청구항 12 또는 청구항 13 에 있어서,상기 절연층 및 상부 보조전극의 형태는 격자 구조 또는 선형 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
23 23
청구항 12 또는 청구항 13 에 있어서,상기 보조 전극의 두께는 2000Å 이상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.