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네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169618
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반복되는 패턴을 갖는 네트워크 구조의 나노선을 사용함으로써 높은 효율과 구조적 안정성을 얻을 수 있는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서에 관한 것으로, 기판 상부에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되며, 교차점의 패턴이 반복되는 네트워크 구조로 형성된 나노선 및 상기 나노선에 고정되며 외부에서 유입되는 대상물질과 선택적으로 반응하는 탐지물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) G01N 27/406 (2006.01) G01N 27/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110034860 (2011.04.14)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1263188-0000 (2013.05.06)
공개번호/일자 10-2012-0117231 (2012.10.24) 문서열기
공고번호/일자 (20130510) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.14)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정수 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 정윤하 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김기현 대한민국 울산광역시 동구
4 백창기 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 김성호 대한민국 경상북도 포항시 남구
6 임태욱 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0276556-85
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0162523-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.03.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2012-0028251-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0548683-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0921002-01
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0921001-55
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0169395-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극,상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되며, 교차점의 패턴이 반복되는 네트워크 구조로 형성된 나노선; 및상기 나노선에 고정되며, 외부에서 유입되는 대상물질과 선택적으로 반응하는 탐지물질을 포함하며,상기 기판 상부에 형성된 수중게이트 전극을 더 포함하되,상기 수중게이트 전극은 상기 대상물질이 포함된 용액에 직접 전위를 인가하는 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판은 반도체, 폴리머 또는 부도체 소재의 기판인 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서
3 3
제 1항에 있어서, 상기 나노선은 실리콘, 화합물 반도체 또는 폴리머 소재의 나노선인 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서
4 4
제 1항에 있어서, 상기 나노선은 X형, Y형, T형 또는 십자형으로 이루어지며, 교차점의 패턴이 연속적으로 반복되는 네트워크 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서
5 5
제 1항에 있어서, 상기 나노선의 폭은 5nm 내지 1㎛인 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서
6 6
제 1항에 있어서, 패턴이 반복되는 상기 교차점의 간격은 10nm 내지 1㎛인 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서
7 7
제 1항에 있어서, 상기 나노선의 하부가 상기 기판의 상부에 부착되지 아니하고 소정 간격 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서
8 8
제 5항에 있어서, 상기 나노선의 상부, 양 측면 및 하부에서 상기 탐지물질과 대상물질 간의 선택적인 반응이 진행되는 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서
9 9
제 1항에 있어서, 상기 소스 전극영역과 상기 드레인 전극영역사이에서 상기 나노선 위의 한 교차점을 지나가는 경로 중 상기 나노선의 길이가 동일한 경로가 적어도 두 개 이상 존재하는 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서
10 10
삭제
11 11
제 1항에 있어서, 나노선 영역 및 수중 게이트 전극 영역을 제외한 영역의 상부에 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서
12 12
삭제
13 13
(a) 기판의 상부에 절연층 및 실리콘층을 순차적으로 형성하는 하부 절연층 및 실리콘층 형성단계;(b) 리소그래피 공정을 이용하여 상기 실리콘층의 상부에 소스 전극영역, 드레인 전극영역 및 나노선 패턴을 형성하는 나노선 패턴 형성단계;(c) 상기 소스 전극영역 및 상기 드레인 전극영역에 이온을 주입하는 이온주입단계;(d) 습식식각 공정을 통해 상기 나노선 패턴의 하부 지지층을 제거하는 하부 지지층 제거단계;(e) 상기 소스 전극영역, 상기 드레인 전극영역 및 상기 나노선의 외부에 게이트 절연막을 형성하는 게이트 절연막 형성단계;(f) 상기 소스 전극영역 및 상기 드레인 전극영역의 상부에 금속전극을 형성하고, 상기 기판위에 형성된 하부 절연층의 상부에 수중게이트 전극을 형성하는 전극 형성단계;(g) 상기 나노선의 금속전극 상부에 상부절연층을 형성하고 상기 상부절연층을 제거하여 나노선의 게이트 절연막을 노출시키는 나노선 패턴 노출단계; 및(h) 상기 노출된 나노선 패턴에 외부로부터 주입되는 대상물질과 반응할 탐지물질을 고정하는 탐지물질 고정단계;를 구비하되,상기 나노선 패턴은 상기 소스 전극영역과 상기 드레인 전극영역사이에서 교차점의 패턴이 반복되는 네트워크 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서의 제조방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 (b)단계는전자빔 리소그래피, 나노 임프린트, 이온빔 리소그래피, X-선 리소그래피, 극자외선 리소그래피 또는 포토 리소그래피 중 어느 하나의 공정을 통해 나노선 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서의 제조방법
15 15
삭제
16 16
제 13항에 있어서, 상기 (h)단계 이후상기 나노선 패턴과 상기 수중게이트 전극에 상기 대상물질이 포함된 유체가 흐를 수 있는 채널을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서의 제조방법
17 17
제 13항에 있어서, 상기 (a)단계는상기 대상물질의 종류 및 전기화학적 특성에 따라 n형 물질 또는 p형 물질로 도핑하여 상기 실리콘층을 형성하는 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서의 제조방법
18 18
제 13항에 있어서, 상기 (d)단계는상기 실리콘층의 상부에 산화막을 형성하는 공정 및 이를 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서의 제조방법
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5 WO2012141431 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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2 CN103635795 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2014034907 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9099543 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2012141431 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
6 WO2012141431 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 WCU사업 유비쿼터스 오토노믹 시스템을 위한 IT 융합 연구(2차년도)