맞춤기술찾기
이전대상기술
높은 일함수를 가지는 고분자 전극을 채용한 단순화된 유기 전자 소자
- 기술번호 : KST2015169621
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 높은 일함수를 갖는 고분자 전극을 구비한 구조가 단순화된 전자 소자가 제공된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 51/00 (2006.01) H01L 51/42 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01) |
| CPC | C08G 65/007(2013.01) C08G 65/007(2013.01) C08G 65/007(2013.01) C08G 65/007(2013.01) C08G 65/007(2013.01) C08G 65/007(2013.01) C08G 65/007(2013.01) C08G 65/007(2013.01) C08G 65/007(2013.01) C08G 65/007(2013.01) C08G 65/007(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110050845 (2011.05.27) |
| 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1302786-0000 (2013.08.27) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0132656 (2012.12.07) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130903) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.05.27) |
| 심사청구항수 | 18 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이태우 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 2 | 우성훈 | 대한민국 | 대구광역시 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 경상북도 포항시 남구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.05.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0400025-85 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.01.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.03.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0016850-61 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0065750-69 |
| 5 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2013.03.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0272933-71 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.03.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0275108-45 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.04.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0382131-73 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.05.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0433673-82 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.05.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0433683-38 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 11 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.08.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0577421-73 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 0 |
| 2 |
2 0 |
| 3 |
3 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질의 농도가 상기 제1면에서 상기 제2면을 향하는 방향을 따라 점진적으로 증가하는, 전자 소자 |
| 4 |
4 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은, 적어도 하나의 F를 포함한 불화 물질인, 전자 소자 |
| 5 |
5 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은, 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나의 반복 단위를 갖는 불화 고분자인, 전자 소자 |
| 6 |
6 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은, 하기 화학식 10으로 표시되는 불화 올리고머인, 전자 소자:003c#화학식 10003e#X-Mfn-Mhm-Mar-(G)p상기 화학식 10 중,X는 말단기이고;Mf는 퍼플루오로폴리에테르 알코올, 폴리이소시아네이트 및 이소시아네이트 반응성-비불소화 모노머의 축합 반응으로부터 수득한 불화 모노머로부터 유래된 단위 또는 플루오르화 C1-20알킬렌기를 나타내고;Mh는 비불소화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;Ma는 -Si(Y4)(Y5)(Y6)으로 표시되는 실릴기를 갖는 단위를 나타내고;상기 Y4, Y5 및 Y6는 서로 독립적으로, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 가수분해성 치환기를 나타내고, 상기 Y4, Y5 및 Y6 중 적어도 하나는 상기 가수분해성 치환기이고; G는 사슬전달제(chain transfer agent)의 잔기를 포함한 1가 유기 그룹이고;n은 1 내지 100의 수이고;m은 0 내지 100의 수이고;r은 0 내지 100의 수이고;n+m+r은 적어도 2이고;p는 0 내지 10의 수이다 |
| 7 |
7 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전도성 물질은 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 술폰화된 폴리스티렌, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 셀프-도핑 전도성 고분자, 이들의 유도체 및 이들의 조합을 포함한, 전자 소자 |
| 8 |
8 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 고-일함수 및 고-전도도 전극이 금속 나노와이어, 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중에서 적어도 하나를 더 포함한, 전자 소자 |
| 9 |
9 제8항에 있어서,상기 금속 나노와이어, 반도체 나노와이어, 및 금속 나노점 표면에 -S(Z100) 및 -Si(Z101)(Z102)(Z103)으로 표시되는 적어도 하나의 모이어티(여기서, 상기 Z100, Z101, Z102, 및 Z103는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기임)가 결합되어 있는, 전자 소자 |
| 10 |
10 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 고-일함수 및 고-전도도 전극이, 상기 전도성 물질, 상기 저-표면 에너지 물질 및 극성 유기 용매를 포함한 전극 형성용 조성물로부터 제조되고, 상기 극성 유기 용매는 에틸렌 글리콜, 글리세롤, 디메틸포름아미드 및 디메틸설폭시드 중 선택된 1종 이상인, 전자 소자 |
| 11 |
11 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2면의 일함수가 5 |
| 12 |
12 제1항 또는 제2항에 있어서,유기 발광 소자 또는 유기 태양 전지인, 전자 소자 |
| 13 |
13 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 발광층 또는 상기 광활성층은 인듐주석산화물의 일함수보다 0 |
| 14 |
14 기판 상에 위치하는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 위치하는 유기 반도체층; 및상기 유기 반도체층의 양측 단부들에 각각 접속하는 소스 및 드레인 전극들을 포함하되,상기 게이트 전극 또는 상기 소스 및 드레인 전극들은 0 |
| 15 |
15 제14항에 있어서,상기 고-일함수 및 고-전도도 전극이 금속 나노와이어, 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중에서 적어도 하나를 더 포함한, 유기박막트랜지스터 |
| 16 |
16 제15항에 있어서,상기 금속 나노와이어, 반도체 나노와이어, 및 금속 나노점 표면에 -S(Z100) 및 -Si(Z101)(Z102)(Z103)으로 표시되는 적어도 하나의 모이어티(여기서, 상기 Z100, Z101, Z102, 및 Z103는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기임)가 결합되어 있는, 유기박막트랜지스터 |
| 17 |
17 0 |
| 18 |
18 제17항에 있어서,상기 금속 나노와이어, 반도체 나노와이어, 및 금속 나노점 표면에 -S(Z100) 및 -Si(Z101)(Z102)(Z103)으로 표시되는 적어도 하나의 모이어티(여기서, 상기 Z100, Z101, Z102, 및 Z103는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기임)가 결합되어 있는, 전자 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN102800809 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | JP06073845 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | JP24248843 | JP | 일본 | FAMILY |
| 4 | JP27046611 | JP | 일본 | FAMILY |
| 5 | US08999527 | US | 미국 | FAMILY |
| 6 | US20120298974 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN102800809 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | CN102800809 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | DE102012104440 | DE | 독일 | DOCDBFAMILY |
| 4 | JP2012248843 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 5 | JP2015046611 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 6 | JP6073845 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 7 | US2012298974 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 8 | US8999527 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 포항공과대학교산학협력단 | 일반_신진연구 | 고효율 및 장수명을 위한 유기 태양 전지의 전하추출층 및 계면 조절 연구 |
| 2 | 교육과학기술부 | 포항공과대학교산학협력단 | 일반_기본_개인 | 유기 반도체 나노 와이어 전자 소자 연구 개발 |
| 3 | 교육과학기술부 | 포항공과대학교 산학협력단 | 기후변화대응기초원천기술 | 용액공정을 통한 고효율탠덤유기태양전지구현을위한원천기술연구 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1302786-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110527 출원 번호 : 1020110050845 공고 연월일 : 20130903 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130822 청구범위의 항수 : 18 유별 : H01L 51/00 발명의 명칭 : 높은 일함수를 가지는 고분자 전극을 채용한 단순화된 유기 전자 소자 존속기간(예정)만료일 : 20160828 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 373,500 원 | 2013년 08월 27일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.05.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0400025-85 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.01.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2012.03.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0016850-61 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2013.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0065750-69 |
| 5 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2013.03.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0272933-71 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.03.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0275108-45 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.04.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0382131-73 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.05.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0433673-82 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.05.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0433683-38 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 11 | 등록결정서 | 2013.08.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0577421-73 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345128470 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0093524 |
| 연구과제명 | 용액공정을 통한 고효율 탠덤 유기 태양 전지 구현을 위한 원천 기술 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200909~201509 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345212249 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R31-2012-000-10059-0 |
| 연구과제명 | 첨단 기능성 신물질 시스템 기초 연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200812~201308 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345128470 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0093524 |
| 연구과제명 | 용액공정을 통한 고효율 탠덤 유기 태양 전지 구현을 위한 원천 기술 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200909~201509 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345144977 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0075025 |
| 연구과제명 | 유기 반도체 나노 와이어 전자 소자 연구 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200905~201204 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345149686 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0067533 |
| 연구과제명 | 고효율 및 장수명을 위한 유기 태양 전지의 전하추출층 및 계면 조절 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200905~201204 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
특허성과
| [1020130060292] | 발광 다이오드 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020130053164] | 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법, 그것에 의해 제조된 산화아연 나노 막대 어레이 및 그것을 이용한 반도체 소자 | 새창보기 |
| [1020130044648] | 투명전극 형성방법과 그 투명전극 및 이를 포함하는 발광다이오드와 광학소자 | 새창보기 |
| [1020130039523] | 일체형 전도성 기판을 채용한 유기 발광 소자 | 새창보기 |
| [1020130039433] | 유기 소자 | 새창보기 |
| [1020130039341] | 일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020130039340] | 일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020130037669] | 페노싸이아진 층상 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기물 반도체 | 새창보기 |
| [1020130037314] | 리튬 이차전지용 음극, 이를 이용한 리튬 이차전지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020130025069] | 우수한 내식성을 가지는 발광다이오드 소자용 기판, 그 제조방법 및 발광다이오드 소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020130025068] | 우수한 내식성을 가지는 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020130022870] | 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 | 새창보기 |
| [1020130022501] | 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극을 채용한 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020130022499] | 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막을 포함한 유기 태양 전지 | 새창보기 |
| [1020130022497] | 전도성 박막, 이의 제조 방법 및 이를 포함한 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020130022496] | 전도성 박막 및 이를 포함한 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020130017217] | 정렬된 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자 | 새창보기 |
| [1020130017180] | 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어를 포함하는 전계효과 트랜지스터 어레이 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020130017017] | 정렬된 산화물 반도체 나노와이어를 포함하는 전계효과 트랜지스터 어레이 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020130016981] | 정렬된 금속 산화물 나노선을 이용한 대면적 나노선 가스 센서 어레이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020130011503] | 정렬된 금속 나노선을 이용한 대면적 나노선 전극 어레이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020130011502] | 정렬된 구리 나노선을 이용한 대면적 나노선 전극 어레이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020130006570] | 플렉서블 도전성 금속 구조체 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020130005999] | ITO 형성용 조성물, 이를 이용한 박막 형성방법과 발광다이오드 및 광학반도체 소자 | 새창보기 |
| [1020130004515] | 양자점 태양전지의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020120153712] | 탄소 박막을 포함한 전자 소자 및 탄소 박막을 포함한 전기화학 소자 | 새창보기 |
| [1020120153483] | 정렬된 발광성 유기 나노섬유를 포함하는 레이저 소자 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020120134857] | 유기 태양 전지 소자 | 새창보기 |
| [1020120105843] | 수평 정렬된 단결정 무기물 나노 와이어 패턴의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020120095125] | 스티렌 단량체를 이용한 전기 방사된 폴리스티렌 나노 섬유의 제조 방법 및 폴리스티렌-양자점 하이브리드 나노섬유의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020120090785] | 유기발광다이오드의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020120090783] | 유기발광다이오드의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020120073063] | 화재시 출입문 잠김 자동해제장치 | 새창보기 |
| [1020120073062] | 거품을 형성하는 고무장갑 | 새창보기 |
| [1020120028241] | 고효율 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020120027048] | 태양전지 | 새창보기 |
| [1020120021925] | 도전성 플렉서블 기판 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110130328] | 웨이퍼의 본딩 방법 및 그 방법에 의해 제조된 전자소자 | 새창보기 |
| [1020110126844] | 스마트 표면을 이용한 나노임프린트 기술 개발 | 새창보기 |
| [1020110121490] | 발광 다이오드 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110115497] | 유기전자소자의 봉지방법, 봉지된 유기전자소자 및 봉합재 | 새창보기 |
| [1020110104087] | 단순화된 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110101769] | 술폰화된 고분자막을 이용한 물 정제용 분리막 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110100763] | 미세 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 미세 채널 트랜지스터 및 미세 채널 발광트랜지스터의 형성방법 | 새창보기 |
| [1020110100762] | 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터 및 이를 이용한 정렬된 유기 와이어 패턴의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110091763] | 반사기판을 포함하는 유기 발광 다이오드 | 새창보기 |
| [1020110091761] | 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110091759] | 유기 발광 다이오드의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110089790] | 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110078630] | 유기 발광 다이오드용 기판, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 다이오드 | 새창보기 |
| [1020110073700] | 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110071331] | 기판의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110070253] | 투명 전극을 이용한 발광다이오드 | 새창보기 |
| [1020110070032] | 탄소 박막 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110067428] | 태양전지 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110065451] | 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 기판 | 새창보기 |
| [1020110064227] | 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 기판 | 새창보기 |
| [1020110061606] | 나노 임프린트를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조방법과 이를 통해 제조된 발광 다이오드 소자 | 새창보기 |
| [1020110060591] | 발광 다이오드 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110050845] | 높은 일함수를 가지는 고분자 전극을 채용한 단순화된 유기 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020110050844] | 전극 및 이를 포함한 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020110050843] | 탄소 박막 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110027747] | 디메틸아미노프로필슬폰 및 그 미믹을 브러쉬 말단으로 가지는 자기조립성 고분자의 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110025883] | 그래핀의 합성 방법 | 새창보기 |
| [1020110012862] | 광발광이 개선된 입방체형 Ｃ70과 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110008583] | 습식식각형 버퍼층을 이용한 수직형 발광다이오드 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110006114] | 패터닝된 사파이어 기판에 성장된 ＬＥＤ 에피층을 이용하는 수직형 발광다이오드의 제조방법과 이에 의해 제조된 수직형 발광다이오드 | 새창보기 |
| [1020100139624] | 발광다이오드 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020100139057] | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 | 새창보기 |
| [1020100112966] | 열전도성이 향상된 강판 | 새창보기 |
| [1020100098997] | 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100098996] | 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100097996] | 나노 와이어를 이용한 나노 패턴의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100097995] | 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터 및 이를 이용한 유기 나노 패턴의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100071062] | 탄소 박막 제조 방법, 탄소 박막 및 탄소 박막을 포함한 전자 장치 | 새창보기 |
| [1020100068714] | 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100060450] | 표면증강라만산란 분광용 기판 및 이를 이용한 표면증강라만산란 분광법 | 새창보기 |
| [1020100047407] | 전자선 증착장비를 이용한 산화아연 나노 막대 제조 방법 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2015170131][포항공과대학교 산학협력단] | 탄소 박막을 포함한 전자 소자 및 탄소 박막을 포함한 전기화학 소자 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2016008062][포항공과대학교 산학협력단] | 금속 착화합물 및 이를 포함하는 그래핀-금속 착화합물 복합체(METALLIC COMPLEX AND GRAPHENE-METALLIC COMPLEX HYBRID INCLUDING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2016018907][포항공과대학교 산학협력단] | 퀜처 제거를 통한 엑시톤 소멸 방지 공정을 이용한 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드 및 이의 제조방법(Composition-controlled organic/inorganic hybrid perovskite light-emitting diodes and manufacturing method thereof) | 새창보기 |
| [KST2015139450][포항공과대학교 산학협력단] | 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막을 포함한 유기 태양 전지 | 새창보기 |
| [KST2015169550][포항공과대학교 산학협력단] | 반사기판을 포함하는 유기 발광 다이오드 | 새창보기 |
| [KST2014026637][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 반도체/절연성 고분자 블렌드를 이용한 유기 반도체 나노섬유분산체 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막 트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2017011247][포항공과대학교 산학협력단] | 수직적층구조의 3차원 정적램 코어 셀 및 그를 포함하는 정적램 코어 셀 어셈블리(3D SRAM CORE CELL HAVING VERTICAL STACKING STRUCTURE AND CORE CELL ASSEMBLY COMPRING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2015169777][포항공과대학교 산학협력단] | 신규 유기 붕소 화합물 및 이의 용도 | 새창보기 |
| [KST2019009856][포항공과대학교 산학협력단] | 표면 개질된 고분자막의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전자소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016021236][포항공과대학교 산학협력단] | 금속 나노선 패턴 제조방법(Method for fabricating metal nanowire pattern) | 새창보기 |
| [KST2019034585][포항공과대학교 산학협력단] | 다중 나노패턴의 형성방법 및 그를 이용한 유기태양전지의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2020012845][포항공과대학교 산학협력단] | 양쪽성 이온층을 포함하는 전자 전달층, 그를 포함하는 태양전지 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014055851][포항공과대학교 산학협력단] | 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막 및 이를 포함한 유기 발광소자 | 새창보기 |
| [KST2018006963][포항공과대학교 산학협력단] | 수직적층구조의 3차원 정적램 코어 셀 및 그를 포함하는 정적램 코어 셀 어셈블리(3D SRAM CORE CELL HAVING VERTICAL STACKING STRUCTURE AND CORE CELL ASSEMBLY COMPRING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2022016299][포항공과대학교 산학협력단] | 광 센서, 광 센서 제조 방법 및 표시 장치 | 새창보기 |
| [KST2015169803][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 태양 전지 소자 | 새창보기 |
| [KST2019018546][포항공과대학교 산학협력단] | 신규한 카벤 전구체 화합물 및 이의 용도 | 새창보기 |
| [KST2014064052][포항공과대학교 산학협력단] | 블록공중합체 및 광전기 중합에 의한 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014064006][포항공과대학교 산학협력단] | 역구조 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2019024885][포항공과대학교 산학협력단] | 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 제조방법 및 이를 이용한 광전자 소자 | 새창보기 |
| [KST2019034554][포항공과대학교 산학협력단] | 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 크기 조절방법 및 이를 이용한 광전자 소자 | 새창보기 |
| [KST2015169417][포항공과대학교 산학협력단] | 펜타신 결정형 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2020012834][포항공과대학교 산학협력단] | 유연기판을 갖는 그래핀 적층체, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 유기전자소자 | 새창보기 |
| [KST2015169195][포항공과대학교 산학협력단] | 유기반도체/절연성 고분자 블렌드의 상분리를 이용한 유기 반도체 박막 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 유기박막트랜지스터 | 새창보기 |
| [KST2022021688][포항공과대학교 산학협력단] | 중간층 및 이를 포함하는 전자 소자 | 새창보기 |
| [KST2015169549][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 발광 다이오드의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016008933][포항공과대학교 산학협력단] | 싸이오펜 중합체 조성물, 및 이를 포함하는 유기광전자소자(POLYTHIOPHENE COMPOSITION, AND ORGANIC PHOTOELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2019034555][포항공과대학교 산학협력단] | 금속 할라이드 페로브스카이트 나노결정입자 박막 제조방법 및 이를 이용한 광전자 소자 | 새창보기 |
| [KST2015170244][포항공과대학교 산학협력단] | 유기 전계 발광 소자 | 새창보기 |
| [KST2015169612][포항공과대학교 산학협력단] | 하부 기판에 형성된 상부 보조전극을 포함한 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|