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투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169623
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 투명 전도성 플렉서블 기판은 광 투과성과 플렉서블한 재질을 갖는 지지 기판 및 상기 지지 기판 상에 형성되며, 전기 전도성과 광 투과성을 갖는 재질로 이루어지며, 곡률 변형에 따른 기계적 파괴를 방지하는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하는 전극을 포함하여 구성된다.본 발명에 따르면, 나노 가지 구조체를 가지는 전극에 의해 높은 곡률의 변형에서도 기계적 파괴가 없이 우수한 전기 전도도와 광 투과도를 유지할 수 있는 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다.또한, 이러한 다수의 나노 가지 구조체를 종래의 화학기상증착 방식에 비해 높은 증착 온도가 요구되지 않는 전자선 증착 방법으로서 기판의 상면에 증착시켜 성장 형성함으로써, 제조 단가를 절감하고 제조 시간도 줄일 수 있어 대면적 플렉서블 광전자 소자에 직접 적용하여 플렉서블 광전자 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/22 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01L 31/022466(2013.01)H01L 31/022466(2013.01)H01L 31/022466(2013.01)H01L 31/022466(2013.01)H01L 31/022466(2013.01)H01L 31/022466(2013.01)H01L 31/022466(2013.01)
출원번호/일자 1020110089790 (2011.09.05)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1272796-0000 (2013.06.03)
공개번호/일자 10-2013-0026279 (2013.03.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.05)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 유학기 대한민국 경상북도

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0692887-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0073880-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0732355-60
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0092613-09
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0092612-53
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0376782-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 전도성 플렉서블 기판에 있어서,광 투과성과 플렉서블한 재질을 갖는 지지 기판 및상기 지지 기판 상에 형성되며, 전기 전도성과 광 투과성을 갖는 재질로 이루어지며, 곡률 변형에 따른 기계적 파괴를 방지하는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하는 전극을 포함하며, 상기 나노 가지 구조체는 상기 지지 기판에 성장 형성된 메인 나노 가지부; 및 상기 메인 나노 가지부에 수직 방향으로 성장 형성된 보조 나노 가지부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 전극은상기 지지 기판 상에 형성되며, 막 형상 또는 메쉬 형상을 갖는 전극체를 더 포함하고,상기 나노 가지 구조체는 상기 전극체 상에 형성된 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판
4 4
제3항에 있어서,상기 전극체와 상기 나노 가지 구조체의 재질은 동일한 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판
5 5
제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판
6 6
제1항에 있어서,상기 지지 기판은 플라스틱, 유리, 세라믹 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 박판 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판
7 7
제1항에 있어서,상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 2mm 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판
8 8
제6항에 있어서,상기 지지 기판이 플라스틱을 포함하는 경우,상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 2mm 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판
9 9
제6항에 있어서,상기 지지 기판이 유리를 포함하는 경우,상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 500㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판
10 10
제6항에 있어서,상기 지지 기판이 세라믹을 포함하는 경우,상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 500㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판
11 11
제6항에 있어서,상기 지지 기판이 금속을 포함하는 경우,상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 1mm 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판
12 12
투명 전도성 플렉서블 기판의 제조방법에 있어서,광 투과성과 플렉서블한 재질을 갖는 지지 기판을 챔버의 내부에 배치하는 지지 기판 배치단계 및상기 지지 기판 상에 전기 전도성과 광 투과성을 갖는 재질로 이루어지며 곡률 변형에 따른 기계적 파괴를 방지하는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하는 전극을 형성하는 전극 형성단계를 포함하고,상기 나노 가지 구조체는 상기 지지 기판에 성장 형성된 메인 나노 가지부; 및 상기 메인 나노 가지부에 수직 방향으로 성장 형성된 보조 나노 가지부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법
13 13
삭제
14 14
제12항에 있어서,상기 전극 형성단계는상기 나노 가지 구조체를 형성하기 위한 대상 물질에 전자선을 조사하여 상기 대상 물질을 증발시키는 전자선 조사단계; 및증발된 기체 상태의 대상 물질을 상기 지지 기판 상에 증착시켜 상기 나노 가지 구조체를 성장시키는 나노 가지 구조체 성장단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법
15 15
제12항에 있어서,상기 전극 형성단계는상기 지지 기판 상에 막 형상 또는 메쉬 형상을 갖는 전극체를 형성하는 전극체 형성단계;상기 나노 가지 구조체를 형성하기 위한 대상 물질에 전자선을 조사하여 상기 대상 물질을 증발시키는 전자선 조사단계; 및증발된 기체 상태의 대상 물질을 상기 전극체 상에 증착시켜 상기 나노 가지 구조체를 성장시키는 나노 가지 구조체 성장단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법
16 16
제15항에 있어서,상기 전극체와 상기 나노 가지 구조체의 재질은 동일한 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법
17 17
제12항, 제14항 및 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대상 물질은 인듐 주석 산화물(ITO)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법
18 18
제17항에 있어서,상기 나노 가지 구조체 성장단계에서의 상기 지지 기판의 온도는 초기에 증착된 인듐과 주석이 액상 상태를 유지할 수 있는 최저 온도 이상인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법
19 19
제17항에 있어서,상기 나노 가지 구조체 성장단계에서의 상기 지지 기판의 온도는 80℃ 이상 상기 지지 기판의 융점 미만인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법
20 20
제17항에 있어서,상기 지지 기판의 표면에너지의 조절을 통해 형성되는 나노 가지 구조체의 크기 또는 밀도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법
21 21
제12항에 있어서,상기 지지 기판은 플라스틱, 유리, 세라믹 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 박판 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법
22 22
제12항에 있어서,상기 지지 기판의 두께는 20㎛ 이상 2mm 이하인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 플렉서블 기판 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.