맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169628
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양 측벽이 경사지게 형성되어 비대칭 구조를 가지는 복수개의 실리콘 나노와이어를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 태양전지는 측벽이 경사를 가지는 복수개의 나노와이어를 포함함으로써 반도체층과 투명 전극층 간의 굴절률 차이에 의한 빛의 전반사 현상을 통해 입사된 빛을 pn 접합부로 집중시킬 수 있으며, 빛의 이동 거리가 증가에 따른 광흡수율 증가로 광전변환효율이 향상된다. 또한, 본 발명에 의한 태양전지의 제조방법은 p형 기판을 사용하고 이를 식각하여 p형 반도체층을 형성함으로써 제조원가의 절감 및 간단하고 용이한 방법으로 다양한 형태의 측벽 경사 구조를 가지는 나노와이어를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110083105 (2011.08.19)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1316375-0000 (2013.10.01)
공개번호/일자 10-2013-0020458 (2013.02.27) 문서열기
공고번호/일자 (20131008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.19)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정윤하 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 백창기 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 임태욱 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 고명동 대한민국 부산광역시 기장군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0645519-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2012-0055137-84
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0653601-75
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0126033-16
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0359494-91
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0436919-33
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0436930-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0672762-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일면에 후면전극이 형성된 기판; 상기 기판의 이면 상에 수직 배열된 복수개의 나노와이어를 포함하는 p형 반도체층; 상기 복수개의 나노와이어의 표면을 따라 상기 p형 반도체층 상에 형성되는 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상에 형성된 전면전극; 및상기 n형 반도체층과 상기 전면전극을 덮도록 형성되며, 상기 복수개의 나노와이어 사이를 충진하는 절연막을 포함하고,상기 복수개의 나노와이어는 상부 직경이 하부 직경보다 큰 역 원뿔형 구조를 가져서 측벽이 경사짐으로써 입사된 태양광이 내부에서 전반사되는 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 복수개의 나노와이어의 측벽이 수평면과 이루는 각도는 15° 내지 90°인 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 n형 반도체층 상에 투명 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제5항에 있어서,상기 투명 전극층은 투명 전도성 산화물, 탄소 동소체 및 금속 중에 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제1항에 있어서,상기 p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에 진성 반도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 태양전지
8 8
제1항에 있어서,상기 기판은 p형 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
제1항 또는 제7항에 있어서,상기 p형 반도체층, 상기 진성 반도체층 및 상기 n형 반도체층은 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
10 10
기판을 식각하여 경사진 양 측벽을 가지는 복수개의 나노와이어를 포함하는 p형 반도체층을 형성하는 단계;상기 복수개의 나노와이어의 표면을 따라 상기 p형 반도체층 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 반도체층 상에 전면전극을 형성하고, 상기 기판의 이면에 후면전극을 형성하는 단계; 및상기 복수개의 나노와이어 사이의 공간을 충진하는 절연막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 복수개의 나노와이어는 상기 기판을 상부에서 하부로 갈수록 넓은 폭을 가지도록 비등방성 식각하여 상부 직경이 하부 직경보다 큰 역 원뿔형 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
11 11
삭제
12 12
제10항에 있어서,상기 기판을 식각하여 경사진 양 측벽을 가지는 복수개의 나노와이어를 포함하는 p형 반도체층을 형성하는 단계는,상기 기판의 상부에 제1 하드 마스크를 이용하여 나노와이어 패턴을 형성하는 단계; 및상기 나노와이어 패턴의 상부에 제2 하드 마스크를 형성하고, 상기 나노와이어 패턴을 따라 상기 기판을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 기판의 상부에 제1 하드 마스크를 이용하여 나노와이어 패턴을 형성하는 단계는 전자빔 리소그래피, 이온빔 리소그래피, X선 리소그래피, 극자외선 리소그래피, 포토 리소그래피 및 나노 임프린트 중에서 선택되는 어느 하나로 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
14 14
제10항에 있어서,상기 기판을 식각하여 경사진 양 측벽을 가지는 복수개의 나노와이어를 포함하는 p형 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 복수개의 나노와이어의 표면을 따라 상기 p형 반도체층 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계 사이에 상기 복수개의 나노와이어의 표면을 따라 상기 p형 반도체층 상에 진성 반도체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
15 15
제10항에 있어서,상기 복수개의 나노와이어의 표면을 따라 상기 p형 반도체층 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계 이후에 상기 n형 반도체층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103875080 CN 중국 FAMILY
2 EP02747152 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05820075 JP 일본 FAMILY
4 JP26529189 JP 일본 FAMILY
5 US09559230 US 미국 FAMILY
6 US20140326305 US 미국 FAMILY
7 WO2013027975 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103875080 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103875080 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2747152 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2747152 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2014529189 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP5820075 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2014326305 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US9559230 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2013027975 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 나노 반도체 소자에 적용 가능한 통합 3차원 신뢰성 TCAD FRAMEWORK 개발
2 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 IT명품인재양성사업 포스텍 미래 IT 융합연구원