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전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법에 있어서,제1 기판 상에 하부 전극을 형성하는 하부 전극 형성단계;상기 하부 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 유기 발광층 형성단계;상기 유기 발광층 상에 광 투과성을 갖는 상부 전극을 형성하는 상부 전극 형성단계; 및제2 기판에 형성되어 있는 보조 전극을 상기 상부 전극에 접합하는 보조 전극 접합단계를 포함하여 구성되고,상기 보조 전극에는 상기 유기 발광층에서 생성된 광을 투과시키기 위한 개구 패턴(aperture pattern)이 형성되어 있고,상기 보조 전극은 상기 상부 전극과 접합되어 전기전도도를 높이는 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 보조 전극 접합단계 이후, 상기 제2 기판을 상기 보조 전극으로부터 분리하는 제2 기판 분리단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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3
제1 항에 있어서,상기 보조 전극에 형성되어 있는 개구 패턴에 의한 개구율은 50% 이상 80% 이하인 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제3 항에 있어서,상기 보조 전극에 형성되어 있는 개구 패턴의 형상은 그리드(grid) 형상 또는 라인(line) 형상인 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 보조 전극 접합단계에서, 물리적 압력과 열 중에서 적어도 하나를 가하는 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 보조 전극 접합단계에서 가해지는 압력은 1bar 이상 10bar 이하인 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 보조 전극 접합단계에서 가해지는 열은 5℃ 이상 200℃ 이하인 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 보조 전극 접합단계에서, 상기 제2 기판에 형성되어 있는 보조 전극의 접합면과 상기 상부 전극의 접합면에 도전성의 접착제를 도포한 후, 상기 보조 전극을 상기 상부 전극에 접합하는 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 보조 전극은 상기 제2 기판 상에 프린팅(printing) 방식, 열 증착(thermal deposition) 방식, 전자빔 증착(e-beam deposition) 방식, 바 코팅(bar coating) 방식, 닥터 블레이드(doctor blade) 방식 및 스퍼터링(sputtering) 방식 중 하나의 방식을 통하여 형성된 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 기판은 광 투과성을 갖는 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제10 항에 있어서,상기 제2 기판은 유리(glass), PET(polyethylene terephthalate), PDMS(polydimethylsiloxane), PI(polyilmide), 폴리아크릴레이트(poly acrylate), PUA 및 SU-8로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, Mg, Invar 및 SUS(Steel Use Stainless)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 상부 전극은 상기 유기 발광층에서 발생된 광을 투과시킬 수 있는 투명 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제1 항에 있어서, 상기 상부 전극은 광 투과성을 갖는 금속 박막, 전도성 산화막, 전도성 폴리머, 금속 그리드, 금속 나노 와이어 및 산화물 나노 와이어 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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제1 항에 있어서,상기 하부 전극은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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16
제1 항에 있어서, 상기 하부 전극은 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni Directionally Reflector) 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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17
제1 항에 있어서, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극은 열 증착 방식, 전자선 증착 방식, 스퍼터링 방식, 스핀 코팅 방식, 화학 기상 증착 방식 및 레이저 증착 방식 중 하나의 방식을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
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18
제1 항 내지 제17 항 중 어느 한 항의 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드
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