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유기 발광 다이오드용 기판, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015169638
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제1전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 제2전극이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 다이오드에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드용 기판은, 광투과성을 가진 기판부재, 및 상기 기판부재의 상면에 형성되는 공명 억제층을 포함하되, 상기 공명 억제층은 상기 기판부재와 상기 제1전극의 계면에서 표면 플라즈마 공명이 발생하는 것을 억제하도록 상기 제1전극의 유전율의 절대값보다 큰 양의 유전율을 갖는 유전체 물질로 이루어진다.본 발명에 의하면, 제1전극의 유전율의 절대값보다 큰 양의 유전율을 갖는 유전체 물질로 이루어져 상기 제1전극과의 계면에서 표면 플라즈마 공명이 발생하는 것을 억제하는 공명 억제층이 구비됨으로써, 발광층에서 발생한 빛이 표면 플라즈마 공명으로 흡수, 산란되지 않게 하여 유기 발광 다이오드의 광 추출효율을 제고할 수 있고, 이러한 공명 억제층은 추가적인 리소그래피 공정이나 패터닝 공정에 의하지 않고 일반적인 반도체 공정에서 사용되는 물리적, 화학적 기상법으로 간편하면서도 저렴한 비용으로 제조될 수 있다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 27/3276(2013.01) H01L 27/3276(2013.01) H01L 27/3276(2013.01)
출원번호/일자 1020110078630 (2011.08.08)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1275828-0000 (2013.06.11)
공개번호/일자 10-2013-0016601 (2013.02.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130624) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.08)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 홍기현 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 손준호 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0610606-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0030547-60
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0722496-10
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0081576-49
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0081577-95
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0351794-43
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 제2전극이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판으로서,광투과성을 가진 기판부재, 및 상기 기판부재의 상면에 형성되는 공명 억제층을 포함하되,상기 공명 억제층은 상기 기판부재와 상기 제1전극의 계면에서 표면 플라즈마 공명이 발생하는 것을 억제하도록 상기 제1전극의 유전율의 절대값보다 큰 양의 유전율을 갖는 유전체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
2 2
제1항에 있어서,상기 공명 억제층은, WO3, MoO3, CaO, Ga2O3, MgO, ITO, ZnO, AZO, NiO, SiO2, SiO, V2O5, SnO2, In2O3 및 ZnS로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
3 3
제1항에 있어서,상기 제1전극은, Ag, Au, Al, Cu, Ni, Pt, Ir, Rh, Mo, W, Ti, Mg, Li 및 Ru로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공명 억제층의 두께는 5 ~ 5,000Å인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판
5 5
제1전극, 정공층, 발광층, 전자층 및 제2전극이 상면에 형성되는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법으로서,광투과성을 가진 기판부재의 상면에 상기 제1전극의 유전율의 절대값보다 큰 양의 유전율을 갖는 유전체 물질로 이루어져 상기 기판부재와 상기 제1전극의 계면에서의 표면 플라즈마 공명의 발생을 억제하는 공명 억제층을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 공명 억제층은, WO3, MoO3, CaO, Ga2O3, MgO, ITO, ZnO, AZO, NiO, SiO2, SiO, V2O5, SnO2, In2O3 및 ZnS로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 공명 억제층의 두께는 5 ~ 5,000Å인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법
8 8
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공명 억제층은 스퍼터링법, 전자선증착법, 열증착법, 화학기상법 또는 레이저증착법으로 증착 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드용 기판의 제조방법
9 9
광투과성을 갖는 기판부재 및 상기 기판부재의 상면에 형성되며 양의 유전율을 갖는 유전체 물질로 이루어진 공명 억제층을 포함하는 기판;금속으로 이루어져 상기 기판의 상기 공명 억제층의 상면에 형성되는 제1전극;상기 제1전극의 상면에 형성되며, 정공을 주입 및 수송하는 정공층;상기 정공층의 상측에 구비되며, 전자를 주입 및 수송하는 전자층;상기 정공층과 상기 전자층의 사이에 구비되고, 유기물로 이루어져 상기 전자와 상기 정공의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 및금속으로 이루어져 상기 전자층의 상면에 형성되는 제2전극;을 포함하되,상기 공명 억제층을 이루는 유전체 물질은, 상기 기판부재와 상기 제1전극의 계면에서 표면 플라즈마 공명이 발생하는 것을 억제하도록 상기 제1전극의 유전율의 절대값보다 큰 유전율을 갖는 물질로 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
10 10
제9항에 있어서,상기 공명 억제층을 이루는 유전체 물질은, WO3, MoO3, CaO, Ga2O3, MgO, ITO, ZnO, AZO, NiO, SiO2, SiO, V2O5, SnO2, In2O3 및 ZnS로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
11 11
제9항에 있어서,상기 제1전극은, Ag, Au, Al, Cu, Ni, Pt, Ir, Rh, Mo, W, Ti, Mg, Li 및 Ru로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
12 12
제9항에 있어서,상기 제1전극의 두께는 5 ~ 1,000Å인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
13 13
제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 공명 억제층의 두께는 5 ~ 5,000Å인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.