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태양전지 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 태양전지

  • 기술번호 : KST2015169658
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 태양전지에 관한 것이다.본 발명에 따른 태양전지 제조방법은 입사되는 광의 흡수효율을 높이기 위한 나노패턴을 나노 임프린팅 방식을 이용하여 기판의 일면에 형성하는 나노패턴 형성단계, 상기 기판의 타면 상에 투명 전극을 형성하는 투명 전극 형성단계, 상기 투명 전극 상에 광을 흡수하여 전자와 정공을 생성하는 광활성층을 형성하는 광활성층 형성단계 및 상기 광활성층 상에 반사 전극을 형성하는 반사 전극 형성단계를 포함하여 구성된다.본 발명에 따르면, 나노 임프린팅을 이용한 단순화된 공정을 이용하여 태양전지의 효율을 향상시키면서도, 대면적의 기판에 균일한 나노패턴을 형성할 수 있고, 제조비용을 저감하고 공정시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01)
출원번호/일자 1020120037371 (2012.04.10)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0114933 (2013.10.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.10)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 동완재 대한민국 경기 고양시 일산서구
3 정관호 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 함주영 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0286545-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0668901-99
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-1082074-33
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0139764-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
태양전지 제조방법에 있어서,입사되는 광의 흡수효율을 높이기 위한 나노패턴을 나노 임프린팅 방식을 이용하여 기판의 일면에 형성하는 나노패턴 형성단계;상기 기판의 타면 상에 투명 전극을 형성하는 투명 전극 형성단계;상기 투명 전극 상에 광을 흡수하여 전자와 정공을 생성하는 광활성층을 형성하는 광활성층 형성단계; 및상기 광활성층 상에 반사 전극을 형성하는 반사 전극 형성단계를 포함하는, 태양전지 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 나노패턴 형성단계는상기 기판의 일면에 나노 임프린트 레진을 형성하는 나노 임프린트 레진 형성단계;상기 기판의 일면에 형성될 나노패턴에 대응하는 패턴이 형성되어 있는 나노 임프린트 몰드를 상기 나노 임프린트 레진에 가압하여 상기 나노 임프린트 몰드에 형성되어 있는 패턴을 상기 나노 임프린트 레진에 전사하는 패턴 전사단계;상기 나노 임프린트 몰드를 상기 나노 임프린트 레진으로부터 분리하는 나노 임프린트 몰드 분리단계; 및상기 기판의 일면에 상기 나노패턴이 형성되도록 상기 나노 임프린트 레진에 전사되어 있는 패턴을 마스크로 이용하여 상기 기판의 일면을 건식 식각하는 건식 식각단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 태양전지 제조방법
3 3
제2 항에 있어서,상기 건식 식각단계 이후, 잔류하는 나노 임프린트 레진을 제거하는 나노 임프린트 레진 제거단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 태양전지 제조방법
4 4
제2 항에 있어서,상기 건식 식각은 상기 기판의 일면으로부터 상기 나노 임프린트 레진이 모두 제거될 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는, 태양전지 제조방법
5 5
제2 항에 있어서,상기 패턴 전사단계에서, 압력, 열 및 자외선 중에서 하나 이상을 가해주는 것을 특징으로 하는, 태양전지 제조방법
6 6
제2 항에 있어서,상기 나노 임프린트 몰드의 패턴은 알루미늄 양극 산화(anodized aluminium oxide, AAO) 방법 또는 광화학 에칭(photo chemical etching, PCE) 방법 또는 전자빔 리소그래피(e-beam lithography) 방법을 통해 형성된 것을 특징으로 하는, 태양전지 제조방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 알루미늄 양극 산화 방법의 경우, 알루미늄 재질의 나노 임프린트 몰드 표면을 옥살산 또는 인산 또는 크롬산으로 양극 산화시켜 10nm 이상 500nm 이하의 지름을 갖는 패턴을 상기 나노 임프린트 몰드에 형성하는 것을 특징으로 하는, 태양전지 제조방법
8 8
제6 항에 있어서,상기 광화학 에칭 방법의 경우, GaN 재질의 나노 임프린트 몰드를 1M 이상 8M 이하의 농도를 갖는 NaOH 또는 KOH와 과산화수소의 혼합물로 5분 이상 60분 이하의 시간 동안 식각하여 상기 나노 임프린트 몰드에 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는, 태양전지 제조방법
9 9
제1 항에 있어서,상기 기판은 유리(glass), PET(polyethylene terephthalate), PC(poly carbonate), PES(polyether sulfone), PEN(polyethylene naphthalate), PI(polyimide), PA(poly acrylate), PUA, PDMS, PMMA, SUS(Steel Use Stainless)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 태양전지 제조방법
10 10
제1 항에 있어서,상기 투명 전극은 은 나노선, graphene, carbon nanotube, ITO, FTO, AZO, GZO, IZO 및 PEDOT:PSS로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 태양전지 제조방법
11 11
제1 항에 있어서,상기 광활성층은 P3HT, PCDTBT, PCTDTBT, MEH-PPV, PTB7, PBDTTT-CF, PFN 및 amorphous silicon으로 이루어진 군에서 선택된 1종과 PCBM 및 ICBA로 이루어진 군에서 선택된 1종이 혼합된 것을 특징으로 하는, 태양전지 제조방법
12 12
제1 항에 있어서,상기 반사 전극은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 태양전지 제조방법
13 13
제1 항 내지 제12 항 중 어느 한 항의 태양전지 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는, 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.