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고효율 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169665
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고효율 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 고효율 유기 발광 다이오드는, 기판상에 형성되는 광투과성과 도전성을 갖는 물질로써 하부체와 상부체를 형성한 제1전극; 상기 제1전극의 하부체와 상부체 사이에 내포되며 하나 이상의 단위 나노 형상이 다수 배열된 형태로 구비되어 제1전극의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 저굴절률 물질로 이루어진 굴절체; 상기 제1전극의 상측에 구비되는 도전성을 갖는 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극 사이에 구비되고, 유기물로 이루어져 상기 제1전극과 제2전극에서 공급되는 정공과 전자의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 을 포함한다.본 발명에 의하면, 제1전극의 내부에 제1전극의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 저굴절률 물질로 이루어진 굴절체가 구비됨으로써, 발광층에서 생성된 빛을 굴절시켜 구성요소 간의 계면에 임계각보다 큰 각도로 입사하는 것을 억제하고, 이러한 굴절체는 단위 나노 형상이 규칙적으로 다수 배열된 형태로 구비됨으로써 굴절체를 통과하는 빛의 난반사 및 산란을 유도함으로써, 전반사로 인해 공기 중으로 방출되지 못하고 소실되는 빛의 양을 크게 줄임과 동시에 발광층에서 생성된 빛의 파장과 각도에 대한 특성 향상 조절이 가능하며, 이러한 굴절체는 제1전극의 하부체 상에 성형체와 제1전극의 상부체를 순서대로 형성한 후 성형체를 하소 공정으로 제거하는 형태로 수행되는 간편하고 저렴한 방식을 통해 공기로 이루어지게 형성될 수 있으므로, 제조 비용 및 시간을 매우 절감할 수 있다.
Int. CL H05B 33/10 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01)
CPC H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01)
출원번호/일자 1020120028241 (2012.03.20)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1342467-0000 (2013.12.11)
공개번호/일자 10-2013-0106589 (2013.09.30) 문서열기
공고번호/일자 (20131217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.20)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김종욱 대한민국 경북 경산시 대학로*길 **,
3 김성준 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0224767-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0492694-04
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0834186-08
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0834185-52
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0800616-45
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 형성되는 광투과성과 도전성을 갖는 물질로써 하부체와 상부체를 형성한 제1전극;상기 제1전극의 하부체와 상부체 사이에 내포되며 하나 이상의 단위 나노 형상이 다수 배열된 형태로 구비되어 제1전극의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 저굴절률 물질로 이루어진 굴절체;상기 제1전극의 상측에 구비되는 도전성을 갖는 제2전극; 및상기 제1전극과 제2전극 사이에 구비되고, 유기물로 이루어져 상기 제1전극과 제2전극에서 공급되는 정공과 전자의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 을 포함하는 고효율 유기 발광 다이오드
2 2
제1항에 있어서,상기 단위 나노 형상은,구형 또는 반구형인 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드
3 3
제1항에 있어서,상기 단위 나노 형상은,규칙적으로 배열된 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드
4 4
제1항에 있어서,상기 굴절체는,구형 또는 반구형의 상기 단위 나노 형상이 한 층으로 배열되고 상기 단위 나노 형상의 측부가 서로 연결된 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드
5 5
제1항에 있어서,상기 단위 나노 형상은,그 크기가 100 ~ 3,000nm인 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 저굴절률 물질은,공기, 실리콘 옥사이드 및 이산화 타이타늄 중 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드
7 7
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 저굴절률 물질은,탄소-탄소 결합을 가진 물질인 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드
8 8
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 저굴절률 물질은,폴리스티렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리스티렌/디비닐벤젠 공중합체 및 라텍스 중 1종 이상을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드
9 9
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1전극은,ITO, In2O3, SnO2, ZnO, AZO, GZO, IZO, GITO, ZITO, GIO, ZIO 및 NiO 중 1종 이상을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드
10 10
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은,유리 기판 또는 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드
11 11
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은,스틸 기판, 알루미늄 기판 또는 구리 기판인 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드
12 12
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2전극은,Al, Au, Ag, Mg, Ca, Li 및 Ba 중 1종 이상을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드
13 13
(a) 기판 상에 광투과성과 도전성을 갖는 물질로써 제1전극의 하부체를 형성하는 단계;(b) 상기 제1전극의 하부체 상측에 상기 제1전극의 상부체를 형성하되, 상기 제1전극의 상ㆍ하부체의 사이에 상기 제1전극의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 저굴절률 물질로써 하나 이상의 단위 나노 형상이 다수 배열된 형태의 굴절체를 형성하는 단계;(c) 상기 제1전극의 상부체 상에 유기물로 이루어진 발광층을 형성하는 단계; 및(d) 상기 발광층 상에 도전성을 갖는 물질로써 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하여, 상기 굴절체를 상기 제1전극에 내포되게 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드의 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 제1전극의 하부체 상에 추후 제거 가능한 물질로써 하나 이상의 단위 나노 형상이 규칙적으로 다수 배열된 형태의 성형체를 형성하는 단계;상기 성형체 상에 상기 제1전극의 상부체를 형성하는 단계; 및공기로 이루어진 상기 굴절체가 상기 제1전극에 내포되게 형성되도록 상기 성형체를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드의 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 성형체를 제거하는 단계는,하소(calcination) 공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드의 제조방법
16 16
제15항에 있어서,상기 하소 공정은,열처리를 이용한 기화의 하소 공정 또는 톨루엔을 이용한 수용액상의 하소 공정인 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드의 제조방법
17 17
제14항에 있어서,상기 고효율 유기 발광 다이오드의 제조방법은,상기 제1전극의 상부체 표면을 상기 제1전극과 동일한 물질로 덮어 보강하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드의 제조방법
18 18
제14항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 성형체에 플라즈마를 인가하여 상기 단위 나노 형상의 크기를 조절하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드의 제조방법
19 19
제13항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 제1전극의 하부체 상에 상기 제1전극의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 저굴절률 물질로써 하나 이상의 단위 나노 형상이 규칙적으로 다수 배열된 형태의 굴절체를 형성하는 단계; 및상기 굴절체 상에 상기 제1전극의 상부체를 형성하여, 상기 굴절체를 상기 제1전극에 내포되게 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드의 제조방법
20 20
제19항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 굴절체에 플라즈마를 인가하여 상기 단위 나노 형상의 크기를 조절하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드의 제조방법
21 21
제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,상기 굴절체는,하나 이상의 단위 나노 형상이 규칙적으로 다수 배열된 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드의 제조방법
22 22
제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1전극의 상부체는,스퍼터링, 전자선 증착법, 열증착법 중 어느 하나의 방법으로 증착 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 유기 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.