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혼합금속산화물-양자점 복합체를 포함하는 몰드물을 이용하여 발광소자의 광을 변환시키는 발광 소자에 있어서, 상기 혼합금속산화물-양자점 복합체는 층상이중수산화물 층간에 음이온을 띤 양자점 나노입자가 삽입된 복합체의 열처리물인 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 혼합금속산화물은 2가 금속과 3가 금속의 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자
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제2항에 있어서, 상기 2가 금속은 Zn2+, Mn2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Cu2+, Sn2+, Ba2+, Ca2+ 및 Mg2+으로 이루어진 그룹에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제2항에 있어서, 상기 3가 금속은 Al3+, Cr3+, Fe3+, Co3+, Mn3+, Ni3+, Ce3+및 Ga3+으로 이루어진 그룹에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 혼합금속산화물은 하기 화학식(1)로 표현되는 화합물의 산화물인 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, InP, InAs, InSb, AlP, AlS, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, PbS, PbSe, Si, Ge, MgS, MgSe, MgTe으로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 반도체 물질로 이루어진 나노입자인 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 혼합금속산화물-양자점 복합체는 양자점이 복합체의 0
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 몰드물은 혼합금속산화물-양자점 복합체를 포함하는 수지를 경화시킨 몰드물인 것을 특징으로 하는 발광소자
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발광칩에서 발광되는 청색광을 황색 형광되는 혼합금속산화물-양자점 복합체를 포함하는 몰드물을 투과시켜 백색광으로 변환시키고, 상기 혼합금속산화물-양자점 복합체는 층간이중수산화물 층간에 음이온을 띤 양자점 나노입자가 삽입된 복합체의 열처리물인 것을 특징으로 하는 발광소자
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혼합금속산화물과 양자점을 포함하는 혼합금속산화물-양자점 복합체에 있어서, 상기 혼합금속산화물-양자점 복합체는 층간이중수산화물 층간에 음이온을 띤 양자점 나노입자가 삽입된 복합체의 열처리물인 것을 특징으로 하는 복합체
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제11항에 있어서, 혼합 금속 산화물은 Zn2+, Mn2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Cu2+, Sn2+, Ba2+, Ca2+ 및 Mg2+으로 이루어진 그룹에서 하나 이상 선택되는 2가 금속과, Al3+, Cr3+, Fe3+, Co3+, Mn3+, Ni3+, Ce3+및 Ga3+으로 이루어진 그룹에서 하나 이상 선택되는 3가 금속의 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 복합체
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제11항에 있어서, 상기 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, InP, InAs, InSb, AlP, AlS, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, PbS, PbSe, Si, Ge, MgS, MgSe, MgTe으로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 복합체
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제11항에 있어서, 상기 복합체는 하기 화학식(1)로 표현되는 층간이중수산화물의 층간에 양자점이 삽입된 층간이중수산화물-양자점 복합체의 산화물인 것을 특징으로 하는 복합체
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제11항에 있어서, 상기 양자점은 10 나노미터 이하의 반도체 입자로 이루어진 양자점인 것을 특징으로 하는 복합체
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제11항에 있어서, 상기 양자점은 복합체의 0
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층간에 음이온을 띤 양자점 나노입자가 삽입된 층상이중수산화물을 열처리하는 것을 특징으로 하는 혼합금속산화물-양자점 복합체 제조 방법
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제17항에 있어서, 2가 및 3가 금속 양이온 수용액을 수산화 이온 및 음이온을 띤 양자점과 반응시켜 상기 층간에 양자점을 포함하는 층상 이중수산화물을 제조하는 것을 특징으로 하는 혼합금속산화물-양자점 복합체 제조 방법
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혼합금속산화물-양자점 복합체를 포함하고, 상기 혼합금속산화물-양자점 복합체는 층상이중수산화물 층간에 음이온을 띤 양자점 나노입자가 삽입된 복합체의 열처리물 인 것을 특징으로 하는 몰드물
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