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광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 박막 형상의 전극체; 및상기 전극체의 양면 중 어느 한 면에 형성되고, 굴절률이 1
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제1항에 있어서,상기 광추출 봉지층은,실리콘 질화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극체는,굴절률이 1
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4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극체는,Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 전극
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극체는,DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni Directionally Reflector) 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 전극
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6
가요성 및 광 투과성을 갖는 유연 기판;상기 유연 기판 상에 형성되는 투명 전극;상기 투명 전극 상에 형성되며, 유기물로 이루어져 전자와 정공의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 및상기 발광층 상에 형성되며, 광반사 특성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 반사 전극;을 포함하되,상기 투명 전극은,광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지며 상기 유연 기판과 맞닿게 구비된 박막 형상의 전극체, 및 상기 전극체의 상면에 형성되고 굴절률이 1
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7
가요성을 갖는 유연 기판;상기 유연 기판 상에 형성되어 상기 유연 기판을 통해 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지하는 실링층;상기 실링층 상에 형성되며, 광반사 특성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 반사 전극;상기 반사 전극 상에 형성되며, 유기물로 이루어져 전자와 정공의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 및상기 발광층 상에 형성되는 투명 전극;을 포함하되,상기 투명 전극은,광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지며 상기 발광층과 맞닿게 구비된 박막 형상의 전극체, 및 상기 전극체의 상면에 형성되고 굴절률이 1
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8
가요성 및 광 투과성을 갖는 유연 기판;상기 유연 기판 상에 형성되는 제1투명 전극;상기 제1투명 전극 상에 형성되며, 유기물로 이루어져 전자와 정공의 결합으로 인한 빛을 발생하는 발광층; 및상기 발광층 상에 형성되는 제2투명 전극;을 포함하되,상기 제1· 제2투명 전극 중 하나 이상은,광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 박막 형상의 전극체, 및 상기 전극체의 일면에 형성되고 굴절률이 1
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제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광추출 봉지층은,실리콘 질화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
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10
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극체는,굴절률이 1
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제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극체는,Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
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12
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유기 발광 다이오드는,광 투과성을 갖는 소재로 이루어지며, 상기 투명 전극과 상기 발광층의 사이에 구비되어 정공 주입 및 광추출을 촉진하는 광추출 정공 주입층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
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13
제12항에 있어서,상기 광추출 정공 주입층은,MgO, CaO, ITO, ZnO, AZO, MoO3, WO3, NiO, Ga2O3, SiO2, SiO, V2O5, SnO2, In2O3 및 ZnS로 이루어진 군에서 적어도 1종을 포함하는 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
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14
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유연 기판은,PET, PEN, PES, PC, PDMS(Polydimenthylsiloxane), PI, PUA 및 SU-8로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
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15
가요성 및 광 투과성을 갖는 유연 기판 상에 투명 전극을 형성하는 단계;상기 투명 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 반사 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 투명 전극을 형성하는 단계는,상기 유연 기판 상에 굴절률이 1
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16
가요성을 갖는 유연 기판 상에 수분이나 산소의 침투를 방지하는 실링층를 형성하는 단계;상기 실링층 상에 광반사 특성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 반사 전극을 형성하는 단계;상기 반사 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 투명 전극을 형성하는 단계는,상기 발광층 상에 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 전극체를 형성하는 단계, 및 상기 전극체 상에 굴절률이 1
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17
가요성 및 광 투과성을 갖는 유연 기판 상에 제1투명 전극을 형성하는 단계;상기 제1투명 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 상에 제2투명 전극을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 제1투명 전극을 형성하는 단계는,상기 유연 기판 상에 굴절률이 1
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제17항에 있어서,상기 제2투명 전극을 형성하는 단계는,상기 발광층 상에 광 투과성을 갖는 도전성 물질로 이루어지는 전극체를 형성하는 단계, 및 상기 발광층 상에 형성된 상기 전극체 상에 굴절률이 1
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제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광추출 봉지층은,실리콘 질화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극체는,굴절률이 1
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제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광추출 봉지층은,화학 기상법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
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