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n형 반도체층;p형 반도체층;상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층; 및상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 차단층을 포함하되,상기 전자 차단층은 복수의 제1 차단층과 복수의 제2 차단층이 서로 교대로 적층된 초격자 구조를 갖고,상기 제2 차단층 각각은 그것에 인접한 제1 차단층에 비해 상대적으로 좁은 밴드갭을 가지며,상기 복수의 제1 차단층은 상기 활성층에 가까울수록 더 넓은 밴드갭을 갖고, 서로 p형 불순물 도핑 농도를 달리하여 형성된 반도체 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 복수의 제1 차단층은 상기 활성층에 가까울수록 더 높은 p형 불순물 도핑 농도를 갖는 반도체 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 복수의 제2 차단층은 p형 불순물이 도핑된 반도체 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 제2 차단층은 상기 p형 반도체층과 동일하거나 또는 그보다 좁은 밴드갭을 갖는 반도체 발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 전자 차단층은 상기 p형 반도체층에 접하는 반도체 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 전자 차단층과 상기 활성층 사이에 위치하는 언도프트 반도체층을 더 포함하는 반도체 발광 소자
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7
청구항 1에 있어서,기판; 및상기 기판과 상기 n형 반도체층 사이에 위치하는 언도프트 반도체층을 더 포함하는 반도체 발광 소자
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8
청구항 7에 있어서,n형 전극 및 p형 전극을 더 포함하되,상기 기판은 절연성 기판이고,상기 n형 전극은 상기 p형 반도체층, 전자 차단층 및 활성층의 일부 영역이 제거되어 노출된 n형 반도체층 상에 형성되고,상기 p형 전극은 상기 p형 반도체층 상에 형성된 반도체 발광 소자
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9
청구항 1에 있어서, 상기 p형 반도체층 측에 위치하는 도전성 기판; 및상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 더 포함하는 반도체 발광소자
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10
청구항 1 내지 청구항 9의 어느 한 항에 있어서,상기 복수의 제1 차단층은 AlxGayIn1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖고, 상기 복수의 제2 차단층은 AlxGayIn1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 발광 소자
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11
청구항 10에 있어서,상기 복수의 제1 차단층은 활성층에 가까울수록 Al의 조성비 x가 더 큰 것을 특징으로 반도체 발광소자
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청구항 10에 있어서,상기 제2 차단층은 p형 반도체층인 반도체 발광 소자
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