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n형 반도체층;p형 반도체층;상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 활성층; 및상기 활성층과 상기 p형 반도체층 사이에 위치하는 전자 차단층을 포함하고,상기 전자 차단층은 하부 차단층, 중부 차단층 및 상부 차단층을 포함하되,상기 중부 차단층은 상기 하부 차단층 및 상기 상부 차단층에 비해 더 넓은 밴드갭을 가지며, 상기 상부 차단층에서 상기 하부 차단층으로 향하는 분극 방향을 갖고,상기 하부 차단층의 상기 활성층측 계면에서 분극 차이에 의해 형성되는 표면 전하는 음의 표면 전하이고,상기 상부 차단층의 상기 p형 반도체층측 계면에서 분극 차이에 의해 형성되는 표면 전하는 양의 표면 전하인 반도체 발광 소자
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청구항 1에 있어서,상기 중부 차단층과 상기 하부 차단층의 계면에서 분극 차이에 의해 형성되는 표면 전하는 양의 표면 전하이고,상기 중부 차단층과 상기 상부 차단층의 계면에서 분극 차이에 의해 형성되는 표면 전하는 음의 표면 전하인 반도체 발광 소자
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3
청구항 1에 있어서,상기 하부 차단층은 상기 중부 차단층의 분극 방향과 반대인 분극 방향을 갖고,상기 상부 차단층은 상기 중부 차단층의 분극 방향과 반대인 분극 방향을 갖는 반도체 발광 소자
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4
청구항 3에 있어서,상기 하부 차단층은 상기 하부 차단층이 접하는 상기 활성층측의 층보다 더 좁거나 더 넓은 밴드갭을 갖는 반도체 발광 소자
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5
청구항 4에 있어서,상기 하부 차단층이 접하는 상기 활성층측의 층은 장벽층 또는 스페이서층인 반도체 발광 소자
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6
청구항 4에 있어서,상기 하부 차단층이 접하는 상기 활성층측의 층은 언도프트 반도체층인 반도체 발광 소자
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7
청구항 4에 있어서,상기 상부 차단층은 상기 p형 반도체층보다 더 좁거나 더 넓은 밴드갭을 갖는 반도체 발광 소자
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8
청구항 3에 있어서,상기 상부 차단층은 상기 p형 반도체층보다 더 좁거나 더 넓은 밴드갭을 갖는 반도체 발광 소자
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9
청구항 1에 있어서,기판; 및상기 기판과 상기 n형 반도체층 사이에 위치하는 언도프트 반도체층을 더 포함하는 반도체 발광 소자
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10
청구항 9에 있어서,n형 전극 및 p형 전극을 더 포함하되,상기 기판은 절연성 기판이고,상기 n형 전극은 상기 p형 반도체층, 전자 차단층 및 활성층의 일부 영역이 제거되어 노출된 n형 반도체층 상에 형성되고,상기 p형 전극은 상기 p형 반도체층 상에 형성된 반도체 발광 소자
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11
청구항 1에 있어서, 상기 p형 반도체층 측에 위치하는 도전성 기판; 및상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 더 포함하는 반도체 발광소자
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12
청구항 1 내지 청구항 11의 어느 한 항에 있어서,상기 하부 차단층, 중부 차단층 및 상부 차단층은 각각 AlxGayIn1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 발광 소자
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13
청구항 12에 있어서,상기 중부 차단층은 단일의 물질층으로 형성된 반도체 발광 소자
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14
청구항 12에 있어서,상기 중부 차단층은 복수의 물질층으로 형성된 반도체 발광 소자
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청구항 12에 있어서,상기 중부 차단층은 초격자 구조를 갖는 반도체 발광 소자
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