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기판;상기 기판 상에 구비된 제1 도전형 기저층;상기 제1 도전형 기저층 상에 구비되며, 복 수개 구비되고, 적어도 두 종류의 크기로 구비된 개구부를 구비한 마스크층;상기 마스크층 상에 구비되며, 상기 개구부들을 통해 성장된 복수의 제1 도전형 구조체;상기 제1 도전형 구조체의 표면 상에 구비된 활성층; 및상기 마스크층과 활성층을 덮는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 개구부들 각각은 그 직경이 200㎚ 내지 6㎛인 원형으로 이루어지고, 상기 개구부들 사이는 200㎚ 내지 10㎛로 이격되어 있는 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 발광 다이오드 소자:는상기 제1 도전형 기저층 상에 구비된 제1 전극;상기 제2 도전형 반도체층 상에 구비된 투명 전극; 및상기 투명 전극 상에 구비된 제2 전극을 더 포함하는 발광 다이오드 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 도전형 구조체들은 육각뿔, 절두형 육각뿔, 또는 일정 두께를 가진 다면체 중 적어도 하나의 형태인 발광 다이오드 소자
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5
청구항 4에 있어서 상기 제1 도전형 구조체들은 그 측면이 상기 제1 도전형 기저층에 대해 60 내지 65도의 경사를 이루는 발광 다이오드 소자
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청구항 4에 있어서, 상기 활성층은 In을 포함하는 질화물 반도체층을 포함하여 이루어지며, 상기 제1 도전형 구조체들의 꼭지점, 모서리 또는 면 상에 위치한 상기 활성층의 일정 영역들은 상기 In의 몰분율에서 차이가 있는 발광 다이오드 소자
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청구항 6에 있어서, 상기 제1 도전형 구조체들의 꼭지점 상에 위치한 상기 활성층의 일정 영역은 상기 제1 도전형 구조체들의 모서리 상에 위치한 상기 활성층의 일정 영역에 비해 상기 In의 몰분율이 높고, 상기 제1 도전형 구조체들의 모서리 상에 위치한 상기 활성층의 일정 영역은 상기 제1 도전형 구조체들의 면 상에 위치한 상기 활성층의 일정 영역에 비해 상기 In의 몰분율이 높은 발광 다이오드 소자
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청구항 6에 있어서, 상기 제1 도전형 구조체들의 꼭지점 상에 위치한 상기 활성층의 일정 영역은 상기 제1 도전형 구조체들의 모서리 상에 위치한 상기 활성층의 일정 영역에 비해 장파장을 발광하고, 상기 제1 도전형 구조체들의 모서리 상에 위치한 상기 활성층의 일정 영역은 상기 제1 도전형 구조체들의 면 상에 위치한 상기 활성층의 일정 영역에 비해 장파장을 발광하는 발광 다이오드 소자
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제1 도전형 기저층을 구비한 기판을 준비하는 단계;상기 제1 도전형 기저층 상에 적어도 두 종류의 크기로 구비된 개구부를 복수 개 구비한 마스크층을 형성하는 단계;상기 개구부들을 통해 노출된 상기 제1 도전형 기저층의 표면들로부터 복수의 제1 도전형 구조체를 성장시키는 단계;상기 제1 도전형 구조체의 표면 상에 활성층을 성장시키는 단계; 및상기 마스크층과 활성층을 덮는 제2 도전형 반도체층을 성장시키는 단계를 포함하는 발광 다이오드 소자 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 투명 전극을 형성하는 단계;적어도 상기 투명 전극, 제2 도전형 반도체층 및 마스크층의 일부를 식각하여 상기 제1 도전형 기저층의 일부 영역을 노출시키는 단계; 및상기 노출된 상기 제1 도전형 기저층의 일부 영역 상에 제1 전극과 상기 투명 전극 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 소자 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 제1 도전형 구조체, 활성층 및 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나는 금속유기화학증착 장치를 이용하여 형성하는 발광 다이오드 소자 제조 방법
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