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전자 소자의 투명 전극에 있어서,상기 투명 전극은 그래핀을 포함하여 이루어지며,상기 그래핀은 적어도 두 층을 이루어지고, P형으로 도핑된 투명 전극
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청구항 1에 있어서, 상기 그래핀들은 각각 그 표면에 전이 금속이 아일랜드 형태로 구비하는 투명 전극
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청구항 2에 있어서, 상기 전이 금속은 Au, Ir, Mo, Os, Pd 또는 Rh 중 적어도 하나를 포함하는 투명 전극
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청구항 1에 있어서, 상기 그래핀들은 적어도 제1 그래핀 및 제2 그래핀을 포함하며, 상기 제1 그래핀은 아미노기(-NH2)를 포함하며, 상기 제2 그래핀은 아황산기(SO3-)를 포함하는 투명 전극
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청구항 1에 있어서, 상기 전자 소자는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode), 발광 다이오드(light emitting diode), LCD(liquid crystal display) 또는 PDP(plasma display pannel) 중 어느 하나인 투명 전극
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전자 소자의 투명 전극을 형성함에 있어서,제1 그래핀을 준비하는 제1 그래핀 준비 단계;제2 그래핀을 준비하는 제2 그래핀 준비 단계; 및상기 제1 그래핀과 제2 그래핀을 결합시키는 그래핀 결합 단계를 포함하며,상기 제1 그래핀 준비 단계:는상기 제1 그래핀을 전사하는 제1 그래핀 전사 단계;상기 제1 그래핀의 표면을 질산으로 표면 처리하는 질산 표면 처리 단계;상기 표면 처리된 제1 그래핀의 표면 상에 전이금속 염화물 용액을 흘려주는 전이금속 염화물 용액 공급 단계;스핀 코팅으로 상기 제1 그래핀의 표면 상에 상기 전이금속 염화물 용액 막을 형성하는 전이금속 염화물 용액 막 형성 단계; 및상기 전이금속 염화물 용액 막이 형성된 제1 그래핀이 제1 전하를 띠도록 제1 전하 처리하는 제1 전하 처리 단계를 포함하고,상기 제2 그래핀 준비 단계:는상기 제2 그래핀을 전사하는 제2 그래핀 전사 단계; 및상기 제2 그래핀이 제2 전하를 띠도록 제2 전하 처리하는 제2 전하 처리 단계를 포함하고,상기 그래핀 결합 단계는 상기 제1 그래핀과 제2 그래핀 사이의 정전기력으로 이루어지는 투명 전극 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 투명 전극 제조 방법은 상기 그래핀 결합 단계 이후, 상기 제1 그래핀과 상기 제2 그래핀을 반복하여 결합시키는 단계를 더 포함하는 투명 전극 제조 방법
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8
청구항 6에 있어서, 상기 전이금속 염화물 용액 막 형성 단계는 상기 그래핀의 표면 상에 전이금속 염화물 용액을 일정 시간 흘려준 후, 일정 속도로 일정 시간 동안 스핀 코팅하여 상기 전이금속 염화물 용액 막을 형성하는 단계인 투명 전극 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 전이금속 염화물 용액은 AuCl3, IrCl3, MoCl3, OsCl3, PdCl3 또는 RhCl3 중 적어도 어느 하나를 포함하는 용액인 투명 전극 제조 방법
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10
청구항 6에 있어서, 상기 제1 전하 처리 단계는 아미노기를 포함하는 제1 전하 처리 용액 내에 상기 제1 그래핀을 노출시켜 상기 제1 그래핀에 복수의 아미노기를 부착시키는 단계를 포함하는 용액인 투명 전극 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 제1 전하 처리 용액은 APTES(3-aminopropyltriethoxysilane)를 포함하는 용액인 투명 전극 제조 방법
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12
청구항 6에 있어서, 상기 제2 전하 처리 단계는 아황산기를 포함하는 제2 전하 처리 용액 내에 상기 제2 그래핀을 노출시켜 상기 제2 그래핀의 표면에 복수의 아황산기를 부착시키는 단계를 포함하는 용액인 투명 전극 제조 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 제2 전하 처리 용액은 SDS(Sodium dodecyl surfate)를 포함하는 용액인 투명 전극 제조 방법
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