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발광 소자; 및형광체 함유 발광부를 포함하며,상기 발광 소자는 상기 형광체 함유 발광부와 이격되고,상기 발광부는 상부 유리층, 하부 유리층, 및 상기 상부 유리층과 하부 유리층 사이에 개재되며 형광체와 바인더를 포함하는 형광체층을 포함하며,상기 상부 유리층과 상기 하부 유리층의 굴절률은 동일하고, 상기 형광체층의 굴절률은 상기 상부 유리층의 굴절률보다 큰 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 상부 유리층의 굴절률은 1
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제1항에 있어서,상기 상부 유리층은 그 상면에 형성된 텍스쳐 패턴을 포함하는 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 상부 유리층은 상기 형광체층과 접하는 면에 형성된 텍스처 패턴을 포함하는 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 하부 유리층은 그 하면에 형성된 텍스처 패턴을 포함하는 백색 발광 다이오드
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제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 텍스처 패턴은 반구형, 역반구형, 피라미드형, 역피라미드형, 원뿔형 또는 이들의 조합인 백색 발광 다이오드
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제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 텍스처 패턴은 10 내지 100㎛ 범위의 너비를 갖고, 10 내지 50㎛ 범위의 높이를 갖는 것인 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 상부 유리층 상면의 가운데가 볼록한 굴곡을 갖는 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 하부 유리층 하면의 가운데가 오목한 굴곡을 갖는 백색 발광 다이오드
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제12항 또는 제13항에 있어서,상기 굴곡의 높이는 0
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제1항에 있어서,상기 발광부는 상기 발광 소자를 감싸는 반구형 형태인 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 형광체층은 하기 화학식 1 내지 3으로 이루어진 군에서 선택되는 형광체를 포함하는 백색 발광 다이오드[화학식 1](YA)3(AlB)5O12:(RE)3+[화학식 2]C2SiO4:(RE)2+ [화학식 3]C3SiO5:(RE)3+(상기 화학식 1 내지 3에서,A는 란탄족 원소, Tb, Sr, Ca, Ba, Mg, Zn 및 이들의 조합으로 이루어진 것이고, B는 Si, B, P, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 것이고,C는 Mg, Ca, Sr, Ba 또는 이들의 조합으로 이루어진 것이고, RE는 란탄족 희토류 금속 원소이다),
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제1항에 있어서,상기 바인더는 Pb, Bi, Ti, Ga 또는 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물, B, P, Si, Ge 또는 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 유리 형성 원소의 산화물, 및 Na, K, Ca 또는 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 산화물을 포함하는 유리질 바인더인 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 형광체층의 형광체 함량은 형광체층 총 중량에 대하여 5 중량% 내지 30 중량%이고, 상기 바인더의 함량은 형광체층 총 중량에 대하여 70 중량% 내지 95 중량%인 백색 발광 다이오드
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제1항에 있어서,상기 바인더는 300℃ 내지 800℃의 유리 전이점을 나타내며, 200℃ 내지 600℃의 온도에서 소결 가능한 유기질 재료인 것인 백색 발광 다이오드
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