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발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015169723
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 포함하는 반도체 구조체; 상기 반도체 구조체 상에 구비된 투명 전극; 상기 투명 전극 상에 구비된 리플로 결합 패턴; 및 상기 리플로 결합 패턴에 그 일부가 묻힌 복수 개의 나노 구조체를 포함하는 발광 다이오드 소자가 제공된다.
Int. CL H01L 33/38 (2014.01) H01L 33/42 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020120051446 (2012.05.15)
출원인 포항공과대학교 산학협력단, 서울바이오시스 주식회사, 주식회사 글로우원
등록번호/일자 10-1346803-0000 (2013.12.24)
공개번호/일자 10-2013-0127717 (2013.11.25) 문서열기
공고번호/일자 (20140103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.15)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 서울바이오시스 주식회사 대한민국 경기도 안산시 단원구
3 주식회사 글로우원 대한민국 경기도 화성시 삼

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 유철종 대한민국 부산 연제구
3 고경민 대한민국 전라남도 순천시 장선배기
4 김경준 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 김범준 대한민국 경기 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인에이아이피 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, AIP빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
2 서울바이오시스 주식회사 경기도 안산시 단원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0387401-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.12.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0002461-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0176713-50
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0427747-76
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0427746-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0515250-20
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.08.28 수리 (Accepted) 7-1-2013-0034330-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-5126387-92
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0871969-42
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.09.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0871973-25
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0703221-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5089977-41
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5110518-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2016-5192898-06
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5078152-27
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 적어도 활성층을 포함하는 복수의 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층들 상에 투명 전극을 형성하는 단계;상기 투명 전극 상에 복수 개의 리플로 구조체를 배치하는 단계;상기 리플로 구조체들이 형성된 기판 상에 복수의 나노 구조체를 배치하는 단계; 및상기 기판을 열처리하여 상기 리플로 구조체를 리플로(reflow)시켜 리플로 결합층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 리플로 결합층을 형성하는 과정에 상기 나노 구조체들은 상기 리플로 결합층 내에 그 일부가 묻히는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 소자 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 기판 상에 적어도 활성층을 포함하는 복수의 반도체층을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 소자 제조 방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 발광 다이오드 제조 방법은,상기 나노 구조체들을 포함하는 리플로 결합층을 패터닝하여 리플로 결합 패턴을 형성하는 단계;상기 리플로 결합 패턴 하부에 구비된 상기 투명 전극, 제2형 반도체층 및 활성층의 일부를 메사 식각하여 상기 제1형 반도체층의 일부를 노출하는 반도체 구조체를 형성하는 단계; 및상기 노출된 제1형 반도체층과 투명 전극 상에 각각 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 소자 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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