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하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체; 상기 발광 구조체 상에 위치하며 상기 상부 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 광 추출 구조체를 포함하고,상기 광 추출 구조체는 고화 물질층을 포함함과 아울러 상부에 나노 패턴을 갖고,상기 광 추출 구조체는 하부 영역에 비해 상부 영역이 더 낮은 굴절률을 갖고,상기 광 추출 구조체는,상기 나노패턴을 갖는 상부 물질층; 및상기 상부 물질층과 상기 상부 반도체층 사이에 개재되는 하부 물질층을 포함하되,상기 하부 물질층은 적어도 하나의 고화 물질층을 포함하며,상기 적어도 하나의 고화 물질층은,상기 상부 물질층과 상기 상부 반도체층 사이에 위치하는 제1 고화 물질층; 및상기 제1 고화 물질층과 상기 상부 물질층 사이에 위치하는 제2 고화 물질층을 포함하고,상기 제1 고화 물질층은 SOG로 형성되고,상기 제2 고화 물질층은 ITO로 형성된 발광다이오드
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하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체; 상기 발광 구조체 상에 위치하며 상기 상부 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 광 추출 구조체를 포함하고,상기 광 추출 구조체는 고화 물질층을 포함함과 아울러 상부에 나노 패턴을 갖고,상기 광 추출 구조체는 하부 영역에 비해 상부 영역이 더 낮은 굴절률을 가지며,상기 광 추출 구조체는 하부로부터 상부까지 굴절률이 연속적으로 작아지는 발광다이오드
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,상기 반도체층 및 상기 광 추출 구조체 사이에 위치하는 투명전극을 더 포함하는 발광다이오드
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청구항 4에 있어서,상기 투명전극은 ITO, IZO, 및 ZnO 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 형성된 발광다이오드
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청구항 3에 있어서,상기 광 추출 구조체는 나노 임프린트 레진, 포토레지스트, 폴리이미드, 졸-겔, 및 SOG에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함하는 발광다이오드
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,상기 나노패턴은 뿔 형상, 반구 형상, 또는 실린더 형상을 포함하는 발광다이오드
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청구항 10에 있어서,상기 나노패턴은 벌집모양 구조를 갖는 발광다이오드
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청구항 4에 있어서,상기 발광 구조체는 하부 반도체층의 일부 영역이 노출된 메사 구조인 발광다이오드
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청구항 12에 있어서,상기 투명 전극에 연결되는 제1 전극 및 상기 하부 반도체층에 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 발광다이오드
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청구항 13에 있어서,상기 하부 물질층은 상기 노출된 하부 반도체층을 덮는 발광 다이오드
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하부 반도체층, 활성층, 및 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 형성하고,상기 발광 구조체 상에 상기 상부 반도체층에 비해 낮은 굴절률을 갖고 상부에 나노 패턴을 갖는 광 추출 구조체를 형성하는 것을 포함하되,상기 광 추출 구조체를 형성하는 것은 상기 발광 구조체 상에 고화 물질층을 형성하는 것을 포함하고,상기 광 추출 구조체는 하부 영역에 비해 상부 영역이 더 낮은 굴절률을 갖고,상기 광 추출 구조체를 형성하는 것은,상기 발광 구조체 상에 적어도 하나의 고화 물질층을 포함하는 하부 물질층을 형성하고,상기 하부 물질층 상에 상기 나노 패턴을 갖는 상부 물질층을 형성하는 것을 포함하며,상기 하부 물질층은 제1 고화물질층 및 상기 제1 고화물질층 상에 위치하는 제2 고화물질층을 포함하고,상기 제1 고화물질층은 SOG로 형성되고, 상기 제2 고화물질층은 ITO로 형성된 발광다이오드 제조 방법
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하부 반도체층, 활성층, 및 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 형성하고,상기 발광 구조체 상에 상기 상부 반도체층에 비해 낮은 굴절률을 갖고 상부에 나노 패턴을 갖는 광 추출 구조체를 형성하는 것을 포함하되,상기 광 추출 구조체를 형성하는 것은 상기 발광 구조체 상에 고화 물질층을 형성하는 것을 포함하고,상기 광 추출 구조체는 하부 영역에 비해 상부 영역이 더 낮은 굴절률을 가지며,상기 광 추출 구조체를 형성하는 것은, 상기 발광 구조체 상에 밀도가 다른 둘 이상의 예비 물질이 혼합된 액상의 예비 물질 혼합물을 도포하고,상기 액상의 예비 물질 혼합물을 상기 발광 구조체 상에서 유지하여 상기 액상의 예비 물질 혼합물을 밀도에 따라 배열시키고,상기 액상의 예비 물질 혼합물을 고화하여 고화 물질층을 형성하는 것을 포함하는 발광다이오드 제조 방법
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청구항 15 또는 청구항 17에 있어서,상기 광 추출 구조체를 형성하기 전에, 상기 발광 구조체 상에 투명전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광다이오드 제조 방법
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청구항 18에 있어서,상기 고화 물질층을 형성하기 전에, 상기 상부 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 식각하여 상기 하부 반도체층의 일부 영역을 노출하는 것을 더 포함하는 발광다이오드 제조 방법
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청구항 17에 있어서,상기 고화 물질층을 형성하는 것은,상기 발광 구조체 상에 스핀코팅, 바 코팅, 및 닥터 블레이드 중 어느 하나의 방법으로 예비 물질을 도포하고, 상기 예비 물질을 고화하는 것을 포함하는 발광다이오드 제조 방법
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청구항 20에 있어서,상기 예비 물질은 나노 임프린트 레진, 포토레지스트, 폴리이미드, 졸-겔, 및 SOG에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함하는 발광다이오드 제조 방법
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청구항 19에 있어서,상기 하부 반도체층 및 상부 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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청구항 26에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 것은 상기 광 추출 구조체의 일부 영역을 식각하여 상기 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층 일부 영역을 노출하는 것을 포함하는 발광다이오드 제조 방법
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