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기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 백금층을 포함하고,상기 백금층은 {111} 또는 {100} 방향으로 배향되어 있는 박막 적층체
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제1항에서,상기 백금층 위에 형성되어 있으며 금속 또는 산화물로 이루어지는 박막을 더 포함하고,상기 박막은 상기 백금층과 동일한 결정 배향 방향을 가지는 박막 적층체
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제1항에서,상기 기판과 상기 백금층 사이에 형성되어 있는 접착층을 더 포함하는 박막 적층체
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제3항에서,상기 접착층은 Ti, Zr 및 Ta 중 어느 하나로 이루어지는 박막 적층체
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제3항에서,상기 접착층은 10nm이하의 두께로 형성하는 박막 적층체
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제1항에서,상기 박막은 Pb(Zr,Ti)O3(PZT), (Pb,La)TiO3(PLT), PbTiO3, PbZrO3, KNbO3, LiTaO3, LiNbO3, BaTiO3, BiFeO3, Fe3O4, FePt 및 ZnO 중 어느 하나로 이루어지는 박막 적층체
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7
기판 위에 스퍼터링으로 백금층을 형성하는 단계,상기 백금층 위에 상기 백금층과 동일한 배향 방향을 가지는 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 백금층은 상기 스퍼터링 챔버의 RF 파워가 1W 내지 100W이고, 상기 챔버 내 아르곤 압력이 1mTorr 내지 50mTorr의 범위에서 진행하는 박막 적층체의 형성 방법
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제7항에서,상기 백금층은 {111}의 결정 배향을 가지고,상기 챔버내 아르곤 압력은 20mTorr 미만인 박막 적층체의 형성 방법
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9
제7항에서,상기 챔버내 아르곤 압력이 20mTorr에서 36mTorr로 변화할수록 {100} 결정 배향이 증가하고, 36mTorr에서 50mTorr로 변화할수록 {111}의 결정 배향이 증가하는 박막 적층체의 형성 방법
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10
제7항에서,상기 박막을 형성하는 단계는산소 분위기에서 진행하며 상기 박막은 Pb, Ti, Nb, Ta, Fe, Pt, Zn 또는 이들의 화합물을 스퍼터하여 형성하는 박막 적층체의 형성 방법
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제10항에서,상기 박막을 형성하는 단계는450℃ 내지 650℃의 온도에서 10mTorr 내지 200mTorr의 압력, RF가 1W 내지 5W인 상태에서 진행하는 박막 적층체의 형성 방법
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제7항에서,상기 기판과 상기 백금층 사이에 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막 적층체의 형성 방법
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제12항에서,상기 접착층은 Ti, Zr 및 Ta 중 어느 하나로 형성하는 박막 적층체의 형성 방법
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제13항에서,상기 접착층은 10nm이하의 두께로 형성하는 박막 적층체의 형성 방법
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