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공중합체, 이를 이용한 유기 태양 전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169746
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서는 3,6-카바졸기를 포함하는 공중합체 및 광활성층을 포함하는 유기물층에 상기 공중합체를 포함하는 유기 태양 전지 및 이의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01B 1/12 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) C08G 73/06 (2006.01) C08G 61/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120085431 (2012.08.03)
출원인 주식회사 엘지화학, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1407098-0000 (2014.06.05)
공개번호/일자 10-2013-0016132 (2013.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20140617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110077495   |   2011.08.03
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.03)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진석 대한민국 대전광역시 유성구
2 박태호 대한민국 경북 포항시 남구
3 이재철 대한민국 대전 유성구
4 이행근 대한민국 대전 유성구
5 이강영 대한민국 경북 포항시 남구
6 임민정 대한민국 충북 충주시 금릉로 **, *
7 송슬기 대한민국 서울 동대문구
8 장송림 대한민국 대전광역시 유성구
9 조근 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0624152-07
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0099754-94
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0684191-62
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0807473-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0068845-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0068846-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0311776-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 제1 단위 및; 상기 제1 단위와 상이한 적어도 하나의 단위를 포함하는 공중합체로서, 상기 제1 단위와 상이한 단위는 적어도 한 종의 전자수용체 및 적어도 한 종의 전자공여체를 포함하고, 상기 전자공여체는 하기 화학식 4로 표시되는 단위를 포함하며, 상기 제1 단위는 공중합체의 전체 함량 중 0 몰% 초과 45몰% 이하이고,상기 공중합체는 측쇄에 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알킬기, 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 설파이드기 및 히드록시기 중 적어도 하나를 갖는 공중합체:[화학식 1]화학식 1 에 있어서, o 및 p는 각각 0 내지 3의 정수이고, Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있으며,R1은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되고, [화학식 4]화학식 4에 있어서,q 및 r은 각각 0 내지 3의 정수이고,R6 및 R7는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있으며, R"은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된다
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 전자수용체는 공중합체의 전체 함량 중 0몰% 초과 50몰% 이하인 것인 공중합체
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 제1 단위와 상이한 단위는 적어도 2 종의 전자수용체 및 적어도 하나의 전자공여체를 포함하는 것인 공중합체
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 공중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 것을 포함하는 공중합체:[화학식 2]화학식 2에 있어서, l는 몰분율로서, 0 003c# l ≤ 1인 실수이고,m은 몰분율로서, 0 ≤ m 003c# 1인 실수이며, l+m = 1이고,n은 1 ~ 10,000의 정수이며,A는 상기 화학식 1이고,B, C, D는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 전자수용체 또는 전자공여체며, B, C, D 중 적어도 하나는 상기 화학식 4이고, B, C, D 중 적어도 하나는 전자수용체다
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 전자수용체는 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 공중합체:[화학식 3]화학식 3에 있어서, s 및 t는 각각 0 내지 4의 정수이고, R8 내지 R13은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알콕시기 및 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 설파이드기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있다
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 R8 내지 R13 중 적어도 하나는 히드록시기, 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 설파이드기 및 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알콕시기로 이루어진 군에서 선택되는 공중합체
9 9
청구항 7에 있어서, 상기 R8 내지 R13 중 적어도 두 개는 히드록시기, 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 설파이드기 및 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알콕시기로 이루어진 군에서 선택되는 공중합체
10 10
청구항 7에 있어서, 상기 R10 및 R11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 설파이드기 및 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알콕시기로 이루어진 군에서 선택되는 공중합체
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
하기 화학식 1의 제1 단위; 하기 화학식 3의 제2 단위; 하기 화학식 4의 제3 단위를 포함하는 공중합체:[화학식 1][화학식 3][화학식 4]화학식 1, 3 및 4에 있어서, o, p, q 및 r은 각각 0 내지 3의 정수이고,s 및 t는 각각 0 내지 4의 정수이며, R1 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되고,Ra, Rb, R6 및 R7는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있으며, R8 내지 R13은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알콕시기 및 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 설파이드기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있고,R8 내지 R13 중 적어도 하나는 히드록시기, 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 설파이드기 및 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 알콕시기로 이루어진 군에서 선택된다
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 제1 단위는 단량체의 전체 함량 중 0 몰% 초과 10 몰%이하이고, 상기 제2 단위는 단량체의 전체 함량 중 0몰% 초과 50몰%이하이고, 상기 제3 단위는 0몰% 이상 40몰%이하인 공중합체
18 18
하기 화학식 1의 제1 단위 및; 상기 제1 단위와 상이한 적어도 하나의 단위를 포함하는 공중합체로서, 상기 제1 단위와 상이한 단위는 적어도 한 종의 전자수용체 및 적어도 한 종의 전자공여체를 포함하고, 상기 전자공여체는 하기 화학식 4로 표시되는 단위를 포함하며, 상기 제1 단위는 단량체의 전체 함량 중 0 몰% 초과 45몰% 이하이고,상기 공중합체는 측쇄에 적어도 하나의 용해도를 증가시키는 치환기가 결합된 공중합체: [화학식 1]화학식 1 에 있어서, o 및 p는 각각 0 내지 3의 정수이고, Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있으며,R1은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되고, [화학식 4]화학식 4에 있어서,q 및 r은 각각 0 내지 3의 정수이고,R6 및 R7는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있으며, R"은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된다
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
청구항 1에 있어서, 상기 공중합체는 하기 화학식 5의 제4 단위 및 화학식 6의 제5 단위를 포함하는 것인 공중합체:[화학식 5][화학식 6]화학식 5 및 6에 있어서, R1은 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고, l는 몰분율로서, 0 003c# l ≤ 1인 실수이며,m은 몰분율로서, 0 ≤ m 003c# 1인 실수이고, l+m = 1이며
22 22
하기 화학식 1의 제1 단위 및 상기 제1 단위와 상이한 적어도 하나의 단위를 포함하는 공중합체로서, 상기 제1 단위와 상이한 단위는 적어도 한 종의 전자수용체 및 적어도 한 종의 전자공여체를 포함하고, 상기 전자공여체는 하기 화학식 4로 표시되는 단위를 포함하며, 상기 제1 단위는 공중합체의 전체 함량 중 0 몰% 초과 45 몰% 이하이고, 1,2-디클로로벤젠(1,2-dichlorobenzene, DCB) 용매에 대한 용해도가 100mg/ml 이상인 공중합체:[화학식 1]화학식 1 에 있어서, o 및 p는 각각 0 내지 3의 정수이고, Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있으며,R1은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되고, [화학식 4]화학식 4에 있어서,q 및 r은 각각 0 내지 3의 정수이고,R6 및 R7는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있으며, R"은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된다
23 23
삭제
24 24
삭제
25 25
청구항 1, 3, 5 내지 10, 16 내지 18, 21 및 22 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체의 말단은 아릴기인 공중합체
26 26
청구항 1, 3, 5 내지 10, 16 내지 18, 21 및 22 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체의 말단은 헤테로고리기인 공중합체
27 27
청구항 1, 3, 5 내지 10, 16 내지 18, 21 및 22 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체의 수평균 분자량은 500 내지 1,000,000 g/mol인 공중합체
28 28
청구항 1, 3, 5 내지 10, 16 내지 18, 21 및 22 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체의 분자량 분포는 1 내지 100인 공중합체
29 29
제1 전극; 제1 전극과 대향하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1, 3, 5 내지 10, 16 내지 18, 21 및 22 중 어느 하나의 항에 따른 공중합체를 포함하는 것인 유기 태양 전지
30 30
청구항 29에 있어서, 상기 유기물층은 전자 주개 및 전자 받개로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하고, 상기 전자 주개 물질은 상기 공중합체인 유기 태양 전지
31 31
청구항 30에 있어서, 상기 전자 받개는 플러렌, 플러렌 유도체, 탄소 나노 튜브, 탄소 나노 튜브 유도체, 바소쿠프로인, 반도체성 원소, 반도체성 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기 태양 전지
32 32
청구항 30에 있어서, 상기 전자 받개는 C60 플러렌 유도체 또는 C70 플러렌 유도체인 유기 태양 전지
33 33
청구항 30에 있어서, 상기 공중합체와 상기 전자 받개간의 혼합비율이 1:0
34 34
청구항 32에 있어서, 상기 공중합체와 상기 C60 플러렌 유도체 또는 C70 플러렌 유도체간의 혼합비율이 1:0
35 35
기판을 준비하는 단계;상기 기판의 배면의 일 영역에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 위에 청구항 1, 3, 5 내지 10, 16 내지 18, 21 및 22 중 어느 한 항의 공중합체를 포함하는 유기물층을 형성하는 단계; 및상기 유기물층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 태양 전지의 제조 방법
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