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상부 반도체층, 활성층 및 하부 반도체층을 포함하는 발광 구조체; 및상기 상부 반도체층 상에 위치하는 굴절률 조절층을 포함하고,상기 굴절률 조절층은 상부에 형성된 나노 패턴을 갖는 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 발광 구조체 및 상기 굴절률 조절층 사이에 위치하는 투명 전극을 더 포함하는 발광 다이오드
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청구항 2에 있어서,상기 굴절률 조절층은 상기 투명 전극의 굴절률보다 0
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청구항 3에 있어서,상기 굴절률 조절층은 상기 투명 전극의 굴절률과 동일한 굴절률을 갖는 발광 다이오드
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청구항 2에 있어서,상기 투명 전극은 100 내지 500nm의 두께를 갖는 발광 다이오드
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청구항 2에 있어서,상기 상부 반도체층 및 상기 하부 반도체층에 각각 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하는 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 굴절률 조절층은 상기 상부 반도체층의 굴절률 보다 0
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청구항 7에 있어서,상기 굴절률 조절층은 상기 상부 반도체층의 굴절률과 동일한 굴절률을 갖는 발광 다이오드
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청구항 1에 있어서,상기 상부 반도체층에 전기적으로 연결되며 상기 상부 반도체층 상에 위치하는 상부 전극을 더 포함하는 발광 다이오드
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10
청구항 1에 있어서,상기 굴절률 조절층은 나노 임프린드 레진, 포토레지스트, 폴리이미드, 졸-겔 및 스핀-온-글라스(SOG)에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함하는 발광 다이오드
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하부 반도체층, 활성층 및 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 형성하고,상기 발광 구조체 상에 나노 패턴을 갖는 굴절률 조절층을 형성하는 것을 포함하되,상기 굴절률 조절층을 형성하는 것은,상기 발광 구조체 상에 예비 굴절률 조절층을 도포하고,상기 예비 굴절률 조절층 상에 나노 임프린트 몰드를 이용하여 나노 패턴을 전사함과 아울러 상기 예비 굴절률 조절층을 고화시켜 굴절률 조절층을 형성하고,상기 나노 임프린트 몰드를 상기 굴절률 조절층으로부터 분리시키는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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청구항 11에 있어서,상기 굴절률 조절층을 형성하기 전에,상기 상부 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 식각하여 상기 하부 반도체층의 일부를 노출시키는 것과, 상기 상부 반도체층 상면의 적어도 일부에 투명 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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13
청구항 12에 있어서,상기 굴절률 조절층은 상기 투명 전극의 굴절률보다 0
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청구항 13에 있어서,상기 굴절률 조절층은 상기 투명 전극의 굴절률과 동일한 굴절률을 갖도록 형성되는 발광 다이오드 제조 방법
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15
청구항 11에 있어서,상기 굴절률 조절층은 상기 상부 반도체층의 굴절률보다 0
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청구항 15에 있어서,상기 굴절률 조절층은 상기 상부 반도체층의 굴절률과 동일한 굴절률을 갖도록 형성되는 발광 다이오드 제조 방법
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청구항 11에 있어서,상기 예비 굴절률 조절층은 스핀코팅, 바코팅 또는 닥터 블레이드 공정을 이용하여 상기 발광 구조체 상에 도포되는 발광 다이오드 제조 방법
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청구항 17에 있어서,상기 예비 굴절률 조절층 및 상기 굴절률 조절층은 나노 임프린드 레진, 포토레지스트, 폴리이미드, 졸-겔 및 스핀-온-글라스(SOG)에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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청구항 12에 있어서,상기 굴절률 조절층의 일부 영역을 식각하여 상기 투명 전극 및 상기 하부 반도체층을 노출시키고,상기 노출된 투명 전극 및 노출된 하부 반도체층에 상면에 각각 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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청구항 11에 있어서,상기 굴절률 조절층의 일부 영역을 식각하여 상기 상부 반도체층의 일부를 노출시키고,상기 노출된 상부 반도체층 상면에 상부 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
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