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유기발광다이오드의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015169755
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광 다이오드의 제조방법에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판상에 전극을 적층하고, 상기 전극의 상면에 양자점 발광층을 형성하면서, 상기 기판을 합체하는 방법으로 양자점 발광소자의 효율향상과 고효율의 화이트(WHITE) 유기발광 다이오드를 제조하는 방법에 대한 것이다.상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명에 따른 유기발광다이오드의 제조방법은, 제1 기판 상에 제1 전극을 형성하는 제1 전극 형성단계와, 상기 제1 전극 상에 양자점을 포함한 유기발광층을 형성하는 제1 양자점 발광층 형성단계와, 제2 기판 상에 제2 전극을 형성하는 제2 전극 형성단계와, 상기 제2 전극 상에 양자점을 포함한 유기발광층을 형성하는 제2 양자점 발광층 형성단계 및 상기 제1 양자점 발광층과 제2 양자점 발광층을 합착하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 따른 유기발광 다이오드의 제조방법에 의하면 유기발광층이 적층되어 있는 제1기판과 제2기판을 합착을 하므로써 열이나 압력이 혹은 이 두 가지가 가해지기 때문에 양자점 발광층과 연결되는 층의 인터페이셜 접촉(interfacial contact)이 좋아지고, 이로 인해 높은 소자의 전기적 특성과 광학적 특성이 향상되며, 소자의 라이프 타임(life time)도 증가할 것으로 기대된다.
Int. CL H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01)
출원번호/일자 1020120090785 (2012.08.20)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1328477-0000 (2013.11.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.20)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이보라 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김기수 대한민국 경북 포항시 남구
3 이일환 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김성준 대한민국 서울 동작구
5 구본형 대한민국 경기도 안양시 동안구
6 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0665891-13
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0853125-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0077376-28
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0745681-78
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판 상에 제1 전극을 형성하는 제1 전극 형성단계;상기 제1 전극 상에 양자점을 포함한 유기발광층을 형성하는 제1 양자점 발광층 형성단계;제2 기판 상에 제2 전극을 형성하는 제2 전극 형성단계;상기 제2 전극 상에 양자점을 포함한 유기발광층을 형성하는 제2 양자점 발광층 형성단계; 및 상기 제1 양자점 발광층과 제2 양자점 발광층을 합착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,제1 양자점 발광층 형성단계 또는 제2 양자점 발광층 형성단계 후에 중간층(interlayer)를 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 중간층은 양자점을 포함하지 않는 고분자 발광체로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제1 양자점 발광층과 제2 양자점 발광층의 접합은 물리적 압력 또는 열 중에서 선택된 하나 이상을 가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제1 양자점 발광층과 제2 양자점 발광층을 접합하는 단계에서 가해지는 압력은 0
6 6
제 4 항에 있어서,상기 제1 양자점 발광층과 제2 양자점 발광층의 접합시 온도는 5~350℃인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제1 양자점 발광층 및 제2 양자점 발광층의 형성단계는 드롭캐스팅(drop casting), 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 분무 코팅(spray coating), 흐름 코팅(flow caoting), 스크린 프린팅(screen printing), 잉크젯 프린팅 및 마이크로 컨택 프린팅로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 방법을 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 양자점은, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정 및 II-VI족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정의 혼합물 중 어느 하나의 나노결정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 양자점은, II-VI족계 화합물 반도체 나노결정으로 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HggZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe 및 HgZnSTe로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 양자점은, III-V족계 화합물 반도체 나노결정으로 GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs, InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNP, GaInNAs, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs, 및 InAlPAs로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 양자점이 200~1100nm 파장대의 자외선-근적외선을 흡수하고 1
12 12
제 1 항에 있어서,상기 제1 기판은 상기 제1 양자점 발광층에서 발생된 광을 투과시킬 수 있는 투명 기판이나, 제1 양자점 발광층에서 발생된 광을 반사시킬 수 있는 반사 기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 투명 기판은 유리(glass), PET(polyethylene terephthalate), PDMS(polydimethylsiloxane), PI(polyilmide), 폴리아크릴레이트(poly acrylate), PUA 및 SU-8로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조방법
14 14
제 12 항에 있어서,상기 반사 기판은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, Mg, Invar 및 SUS(Steel Use Stainless)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조방법
15 15
제 1 항에 있어서,상기 제 2 기판은 광 투과성을 갖는 금속 박막, 전도성 산화막, 전도성 폴리머, 금속 그리드, 금속 나노 와이어 및 산화물 나노 와이어 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조방법
16 16
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 상기 제2 양자점 발광층에서 발생된 광을 투과시킬 수 있는 투명전극인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조방법
17 17
제 1 항에 있어서,상기 제2 전극은 광투과성을 갖는 금속 박막, 전도성 산화막, 전도성 폴리머, 금속 그리드, 금속 나노 와이어 및 산화물 나노 와이어 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조방법
18 18
제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극은 상기 제1 양자점 발광층에서 발생된 광을 투과시킬 수 있는 투명전극인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조방법
19 19
제 1 항에 있어서,상기 제1전극은 Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 전면 발광형 유기 발광 다이오드 제조방법
20 20
제 1 항에 있어서,상기 제1전극은 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni Directionally Reflector) 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는, 유기 발광 다이오드 제조방법
21 21
제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 유기 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.