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1
내측에 공진 공동이 마련된 원통형의 하우징; 및상기 하우징의 외주부에 결합되고, 제 1 커플링 홀을 통하여 상기 공진 공동과 연통되며, 상기 하우징에 전자기파를 입사시키는 제 1 도파관(waveguide)을 포함하되,상기 제 1 커플링 홀은 상기 전자기파의 인가 방향과 수직되는 방향에 위치하고, 상기 전자기파가 인가되는 방향에 위치하는 상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리 조절을 통해 고주파를 커플링하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 제 1 튜너를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 장치
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3 |
3
제 1 항 또는 제 2 항의 전자 빔 발생 장치를 이용한 전자 빔 발생 방법에 있어서,상기 제 1 도파관의 바닥판에 전자기파를 인가시키는 단계;상기 전자 빔 발생 장치의 커플링 값을 측정하는 단계; 및상기 커플링 값에 기반하여 상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 단계를 포함하는 전자 빔 발생 방법
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4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리는 상기 제 1 튜너에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 방법
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5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 커플링 값이 1보다 작은 경우,상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리는 상기 제 1 튜너에 의해 늘어나는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 방법
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6 |
6
제 4 항에 있어서,상기 커플링 값이 1보다 큰 경우,상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리는 상기 제 1 튜너에 의해 줄어드는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 방법
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7
내측에 공진 공동이 마련된 원통형의 하우징;상기 하우징의 외주부에 결합되고, 제 1 커플링 홀을 통하여 상기 공진 공동과 연통되며, 상기 하우징에 전자기파를 입사시키는 제 1 도파관(waveguide); 및상기 하우징의 외주부에서 상기 제 1 도파관의 반대편에 결합되고, 제 2 커플링 홀을 통하여 상기 공진 공동과 연통되며, 상기 하우징에 전자기파를 입사시키는 제 2 도파관(waveguide)을 포함하되,상기 제 1 커플링 홀 및 상기 제 2 커플링 홀은 상기 전자기파의 인가 방향과 수직되는 방향에 위치하고, 상기 전자기파가 인가되는 방향에 위치하는 상기 제 1 및 제 2 도파관의 바닥판과 상기 제 1 및 제 2 커플링 홀 사이의 거리 조절을 통해 고주파를 커플링하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 장치
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8
제 7 항에 있어서,상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 제 1 튜너; 및상기 제 2 도파관의 바닥판과 상기 제 2 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 제 2 튜너를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 장치
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9
제 7 항 또는 제 8 항의 전자 빔 발생 장치를 이용한 전자 빔 발생 방법에 있어서,상기 제 1 도파관의 바닥판에 전자기파를 인가시키는 단계;상기 전자 빔 발생 장치의 커플링 값을 측정하는 단계; 및상기 커플링 값에 기반하여 상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리 및 상기 제 2 도파관의 바닥판과 상기 제 2 커플링 홀 사이의 거리를 조절하는 단계를 포함하는 전자 빔 발생 방법
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10
제 9 항에 있어서,상기 제 1 도파관의 바닥판과 상기 제 1 커플링 홀 사이의 거리는 상기 제 1 튜너에 의해 조절되고,상기 제 2 도파관의 바닥판과 상기 제 2 커플링 홀 사이의 거리는 상기 제 2 튜너에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 전자 빔 발생 방법
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