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발광다이오드 제조방법에 있어서,기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계;나노 임프린트 몰드를 상기 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 나노 패턴을 상기 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계; 및상기 나노 임프린트 레지스트층의 나노 패턴을 상기 투명전극으로 전사하도록 상기 나노 임프린트 레지스트층 및 상기 투명전극을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 제2 도전형 질화물 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 일부를 메사 식각하여 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 일부를 노출시키는 단계; 및상기 나노 패턴이 형성된 투명전극 상에 제2 도전형 전극을 형성하고 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 노출 영역에 제1 도전형 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 나노 패턴을 형성하는 단계는 상기 제2 도전형 질화물 반도체층까지 나노 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 임프린트 몰드의 나노 패턴은 반구, 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 또는 다각뿔의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 임프린트 몰드의 나노 패턴의 크기는 10nm 내지 100㎛이고, 나노 패턴 간의 간격은 100㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 나노 임프린트 레지스트층 및 상기 투명전극을 식각하는 단계 이후, 상기 나노 임프린트 레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극 상에 상기 투명전극의 굴절률보다 작고 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 굴절률 조절층을 형성하는 단계;상기 굴절률 조절층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계;나노 임프린트 몰드를 상기 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 나노 패턴을 상기 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계; 및상기 나노 임프린트 레지스트층의 나노 패턴을 상기 굴절률 조절층으로 전사하도록 상기 나노 임프린트 레지스트층 및 상기 굴절률 조절층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 제2 도전형 질화물 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 일부를 메사 식각하여 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 일부를 노출시키는 단계; 및상기 나노 패턴이 형성된 굴절률 조절층 상에 상기 투명전극과 전기적으로 연결되도록 제2 도전형 전극을 형성하고 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 노출 영역에 제1 도전형 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 굴절률 조절층을 형성하는 단계는 순차적으로 제1 굴절률 조절층을 형성하는 단계 및 상기 제1 굴절률 조절층의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 제2 굴절률 조절층을 적층하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 9에 있어서,상기 제1 굴절률 조절층 및 상기 제2 굴절률 조절층은 ZnO, Al-doped ZnO, In-doped ZnO, Ga-doped ZnO, ZrO2, TiO2, SiO2, SiO, Al2O3, CuOX, SnOx, InOx, Sn-doped InOx, FTO SiNx, SiOxNy 및 MgO로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 제1 굴절률 조절층 및 상기 제2 굴절률 조절층을 이루는 물질은 상기 물질에 다른 원소를 첨가하여 형성된 다원화합물인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 1 또는 7에 있어서,상기 임프린트 레지스트는 유기 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 1 또는 7에 있어서,상기 임프린트 레지스트는 졸겔(Sol-gel) 무기 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 1 또는 7에 있어서,상기 식각은 건식 식각인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 1 또는 7에 있어서,상기 식각은 습식 식각인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 제2 도전형 전극은 상기 나노 패턴이 형성된 투명전극에 도전성 물질을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 제2 도전형 전극은 상기 나노 패턴이 형성된 굴절률 조절층에 도전성 물질을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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청구항 1 또는 7에 있어서,상기 기판에는 입사되는 광을 산란시키기 위한 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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기판;상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하며, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 일부가 메사 식각되어 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 일부가 노출된, 반도체 적층체;상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되고, 나노 패턴을 갖는 투명전극;상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 노출 영역에 형성된 제1 도전형 전극; 및상기 투명전극 상에 형성된 제2 도전형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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기판;상기 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하며, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 일부가 메사 식각되어 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 일부가 노출된, 반도체 적층체;상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되는 투명전극;상기 투명전극 상에 형성되고 나노 패턴을 가지며 상기 투명전극의 굴절률보다 작고 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 굴절률 조절층;상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 노출 영역에 형성된 제1 도전형 전극; 및상기 투명전극 상에 형성된 제2 도전형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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