| 1 |
1
상부 반도체층, 활성층 및 하부 반도체층을 포함하는 발광 구조체;상기 상부 반도체층 상에 위치하는 제1 투명 전극층; 및상기 제1 투명 전극층 상에 위치하고, 내부에 에어갭을 포함하는 제2 투명 전극층을 포함하는 발광 다이오드
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 에어갭은 상호 연결되거나 또는 상호 분리되고, 상기 에어갭 내부는 공기가 충진되도록 형성된 발광 다이오드
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 에어갭은 원형 또는 육각형 모양의 단면을 갖는 발광 다이오드
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 제1 투명 전극층 및 제2 투명 전극층은 ITO, ZnO, AZO, 및 IZO에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함하는 발광 다이오드
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 제2 투명 전극층 상에 위치하며 상기 상부 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및상기 하부 반도체층의 상면 일부 영역이 노출되고, 상기 노출된 영역 상에 위치하며 상기 하부 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 발광 다이오드
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 제2 투명 전극층 상에 위치하며 상기 상부 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및상기 하부 반도체층 아래에 위치하며 상기 하부 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 발광 다이오드
|
| 7 |
7
하부 반도체층, 활성층 및 상부 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 형성하고,상기 상부 반도체층 상에 제1 투명 전극층을 형성하고,상기 제1 투명 전극층 상에 에어갭을 포함하는 제2 투명 전극층을 형성하는 것을 포함하되,상기 제2 투명 전극층을 형성하는 것은, 나노 구조체를 포함하는 예비 제2 투명 전극층을 상기 제1 투명 전극층 상에 형성하고,상기 나노 구조체를 제거하여 에어갭을 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서,상기 예비 제2 투명 전극층은 상기 나노 구조체가 혼합된 졸-겔로 형성된 발광 다이오드 제조 방법
|
| 9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 예비 제2 투명 전극층을 형성하는 것은,상기 제1 투명 전극 상에 상기 졸-겔을 도포하여 형성하는 것인 발광 다이오드 제조 방법
|
| 10 |
10
청구항 9에 있어서,상기 졸-겔은 스핀 코팅 공정으로 상기 제1 투명 전극 상에 도포되는 발광 다이오드 제조 방법
|
| 11 |
11
청구항 7에 있어서,상기 에어갭을 형성하는 것은 하소 공정을 이용하여 상기 나노 구조체를 제거하여 형성하는 것인 발광 다이오드 제조 방법
|
| 12 |
12
청구항 11에 있어서,상기 하소 공정은 열처리에 의한 기화 방식 공정 또는 수용액에 의한 용해 방식 공정을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
|
| 13 |
13
청구항 7에 있어서,상기 나노 구조체는 직경이 0
|
| 14 |
14
청구항 7에 있어서,상기 나노 구조체는 서로 다른 직경을 갖는 적어도 2종의 나노 물질을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
|
| 15 |
15
청구항 7에 있어서,상기 나노 구조체는 폴리스티렌 및 유기화합물 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
|
| 16 |
16
청구항 7에 있어서,상기 제1 투명 전극층 및 제2 투명 전극층을 열처리하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
|
| 17 |
17
청구항 16에 있어서,상기 열처리는 진공 또는 질소 분위기로 300-600℃의 온도에서 수행하는 발광 다이오드 제조 방법
|
| 18 |
18
청구항 7에 있어서,상기 제1 투명 전극층, 제2 투명 전극층, 상부 반도체층 및 활성층의 일부 영역을 식각하여 상기 하부 반도체층의 상면 일부 영역을 노출시키고,상기 제2 투명 전극층 상에 제1 전극을 형성하고,상기 하부 반도체층의 일부 노출된 영역 상에 제2 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
|
| 19 |
19
청구항 7에 있어서,상기 하부 반도체층 아래에 제2 전극을 형성하고,상기 제2 투명 전극층 상에 제1 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법
|
