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공중합체, 이를 이용한 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법
- 기술번호 : KST2015169771
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 명세서는 3,6-카바졸기를 포함하는 공중합체 및 광활성층을 포함하는 유기물층에 상기 공중합체를 포함하는 유기 태양 전지 및 이의 제조방법을 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01B 1/12 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) C08G 73/06 (2006.01) C08G 61/12 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020120085430 (2012.08.03) |
| 출원인 | 주식회사 엘지화학, 포항공과대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1407138-0000 (2014.06.05) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0016131 (2013.02.14) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20140620) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020110077495 | 2011.08.03
|
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.08.03) |
| 심사청구항수 | 22 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주식회사 엘지화학 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
| 2 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김진석 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 박태호 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
| 3 | 이재철 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 4 | 이행근 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 5 | 이강영 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
| 6 | 임민정 | 대한민국 | 충북 충주시 금릉로 **, * |
| 7 | 송슬기 | 대한민국 | 서울 동대문구 |
| 8 | 최정민 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 9 | 이지영 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 정순성 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주식회사 엘지화학 | 서울특별시 영등포구 | |
| 2 | 포항공과대학교 산학협력단 | 경상북도 포항시 남구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.08.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0624150-16 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2012.08.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0099123-05 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.08.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0700699-19 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.11.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0807472-75 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.01.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0068844-65 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.01.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0068843-19 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.05.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0311775-94 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5000389-31 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.12.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5161532-51 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.11.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5227604-80 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5261818-30 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164284-96 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 하기 화학식 1의 제1 단위 및 상기 제1 단위와 상이한 적어도 하나의 단위를 포함하는 공중합체로서, 상기 제1 단위와 상이한 단위는 적어도 한 종의 전자수용체 및 적어도 한 종의 전자공여체를 포함하고, 상기 전자공여체는 하기 화학식 4로 표시되는 단위를 포함하고, 상기 제1 단위는 단량체의 전체 함량 중 0몰% 초과 45몰 % 이하인 것인 공중합체:[화학식 1]화학식 1에 있어서, o 및 p는 각각 0 내지 3의 정수이고, Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있으며,R1은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되고, [화학식 4]화학식 4에 있어서,q 및 r은 각각 0 내지 3의 정수이고,R6 및 R7는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있으며, R"은 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된다 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 청구항 1에 있어서, 상기 전자수용체는 단량체의 전체 함량 중 0몰% 초과 50몰% 이하인 것인 공중합체 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 청구항 1에 있어서, 상기 제1 단위와 상이한 단위는 적어도 2 종의 전자수용체 및 적어도 하나의 전자공여체를 포함하는 것인 공중합체 |
| 6 |
6 청구항 1에 있어서, 상기 제1 단위와 상이한 단위는 하기 화학식으로 표시되는 전자수용체 중 적어도 하나를 포함하는 것인 공중합체:상기 화학식에 있어서, R2 내지 R5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있고, X1 내지 X3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로, CRR', NR, O, SiRR', PR, S, GeRR', Se 및 Te로 이루어진 군에서 선택되며, Y1 내지 Y4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR, N, SiR, P 및 GeR로 이루어진 군에서 선택되고,R 및 R'는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있다 |
| 7 |
7 청구항 1에 있어서, 상기 제1 단위와 상이한 단위는 하기 화학식으로 표시되는 전자공여체 중 적어도 하나를 포함하는 것인 공중합체:상기 화학식에 있어서, a는 0 내지 4의 정수이고, b는 0 내지 6의 정수이며,c는 0 내지 8의 정수이고,d 및 e는 각각 0 내지 3의 정수이며,R2 및 R3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있고,X1 내지 X3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로, CRR', NR, O, SiRR', PR, S, GeRR', Se 및 Te로 이루어진 군에서 선택되며, Y1 및 Y2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR, N, SiR, P 및 GeR로 이루어진 군에서 선택되고,R 및 R'는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된다 |
| 8 |
8 청구항 1에 있어서, 상기 공중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 것을 포함하는 공중합체:[화학식 2]화학식 2에 있어서, l는 몰분율로서, 0 003c# l ≤ 1인 실수이고,m은 몰분율로서, 0 ≤ m 003c# 1인 실수이며, l+m = 1이고,n은 1 ~ 10,000의 정수이며,A는 상기 화학식 1이고,B, C 및 D는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 전자수용체 또는 전자공여체며, B, C 및 D 중 적어도 하나는 상기 화학식 4이고, B, C 및 D 중 적어도 하나는 전자수용체다 |
| 9 |
9 청구항 1에 있어서, 상기 전자수용체는 하기 화학식 3으로 표시되는 것인 공중합체:[화학식 3]화학식 3에 있어서, s 및 t는 각각 0 내지 4의 정수이고, R8 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있다 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 삭제 |
| 12 |
12 하기 화학식 1의 제1 단위; 하기 화학식 3의 제2 단위; 및 하기 화학식 4의 제3 단위를 포함하는 공중합체:[화학식 1][화학식 3][화학식 4]화학식 1, 3 및 4에 있어서, o, p, q 및 r은 각각 0 내지 3의 정수이고, s 및 t는 각각 0 내지 4의 정수이며, R1 및 R"은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되고,Ra, Rb 및 R6 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있다 |
| 13 |
13 청구항 12에 있어서, 상기 제1 단위는 단량체의 전체 함량 중 0 몰% 초과 10 몰%이하이고, 상기 제2 단위는 단량체의 전체 함량 중 0몰% 초과 50몰%이하이고, 상기 제3 단위는 0몰% 이상 40몰%이하인 공중합체 |
| 14 |
14 청구항 1에 있어서, 상기 공중합체는 하기 화학식 5로 표시되는 것인 공중합체:[화학식 5]화학식 5에 있어서, R1, Ra, Rb, o 및 p는 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고, q 및 r은 각각 0 내지 3의 정수이고,s 및 t는 각각 0 내지 4의 정수이고, l는 몰분율로서, 0 003c# l ≤ 1인 실수이고,m은 몰분율로서, 0 ≤ m 003c# 1인 실수이며, l+m = 1이고,n은 1 ~ 10,000의 정수이며,R"은 서로 동일하거나 상이하고 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되고, R6 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접한 2개의 치환기는 축합고리를 형성할 수 있다 |
| 15 |
15 청구항 1에 있어서, 상기 공중합체는 하기 화학식 6의 제4 단위 및 화학식 7의 제5 단위를 포함하는 것인 공중합체:[화학식 6][화학식 7]화학식 6 및 7에 있어서,R1은 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고, l는 몰분율로서, 0 003c# l ≤ 1인 실수이며,m은 몰분율로서, 0 ≤ m 003c# 1인 실수이고, l+m = 1이며,R"는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 및 N, O, S 원자 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택된다 |
| 16 |
16 청구항 1, 3, 5 내지 9, 12 내지 15 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체의 말단은 아릴기인 공중합체 |
| 17 |
17 청구항 1, 3, 5 내지 9, 12 내지 15 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체의 말단은 헤테로고리기인 공중합체 |
| 18 |
18 청구항 1, 3, 5 내지 9, 12 내지 15 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체의 수평균 분자량은 500 내지 1,000,000 g/mol인 공중합체 |
| 19 |
19 청구항 1, 3, 5 내지 9, 12 내지 15 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공중합체의 분자량 분포는 1 내지 100인 공중합체 |
| 20 |
20 제1 전극; 제1 전극과 대향하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1, 3, 5 내지 9, 12 내지 15 중 어느 하나의 항에 따른 공중합체를 포함하는 것인 유기 태양 전지 |
| 21 |
21 청구항 20에 있어서, 상기 유기물층은 전자주개 및 전자 받개로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 더 포함하고, 상기 전자 주개 물질은 상기 공중합체인 유기 태양 전지 |
| 22 |
22 청구항 21에 있어서, 상기 전자받개는 플러렌, 플러렌 유도체, 탄소 나노 튜브, 탄소 나노 튜브 유도체, 바소쿠프로인, 반도체성 원소, 반도체성 화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기 태양 전지 |
| 23 |
23 청구항 21에 있어서, 상기 전자 받개는 C60 플러렌 유도체 또는 C70 플러렌 유도체인 유기 태양 전지 |
| 24 |
24 청구항 21에 있어서, 상기 공중합체와 상기 전자 받개간의 혼합비율이 1:0 |
| 25 |
25 청구항 23에 있어서, 상기 공중합체와 상기 C60 플러렌 유도체 또는 C70 플러렌 유도체간의 혼합비율이 1:0 |
| 26 |
26 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 배면의 일 영역에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 위에 청구항 1, 3, 5 내지 9, 12 내지 15 중 어느 한 항의 공중합체를 포함하는 유기물층을 형성하는 단계; 및상기 유기물층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 태양 전지의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP26185191 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | JP26185192 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | JP26185193 | JP | 일본 | FAMILY |
| 4 | KR101340737 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 5 | KR101407098 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 6 | US08912308 | US | 미국 | FAMILY |
| 7 | US08921506 | US | 미국 | FAMILY |
| 8 | US20130032209 | US | 미국 | FAMILY |
| 9 | US20130056072 | US | 미국 | FAMILY |
| 10 | US20130056073 | US | 미국 | FAMILY |
| 11 | US20140318625 | US | 미국 | FAMILY |
| 12 | WO2013018951 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP2014185191 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
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| 13 | US8921506 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 14 | WO2013018951 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
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| 특허 등록번호 | 10-1407138-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20120803 출원 번호 : 1020120085430 공고 연월일 : 20140620 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140507 청구범위의 항수 : 22 유별 : C08G 61/12 발명의 명칭 : 공중합체, 이를 이용한 유기 태양 전지 및 이의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
| 1 |
(권리자) 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 903,000 원 | 2014년 06월 05일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 524,000 원 | 2017년 03월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 524,000 원 | 2018년 04월 18일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 524,000 원 | 2019년 04월 01일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 936,000 원 | 2020년 04월 21일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.08.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0624150-16 |
| 2 | 보정요구서 | 2012.08.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0099123-05 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.08.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0700699-19 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2013.11.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0807472-75 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.01.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0068844-65 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.01.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0068843-19 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 9 | 등록결정서 | 2014.05.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0311775-94 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5000389-31 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.12.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5161532-51 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.11.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5227604-80 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5261818-30 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164284-96 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
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