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광추출 효율을 높인 질화갈륨계 발광다이오드 소자, 광추출 효율을 높인 유기 발광다이오드 소자의 제조방법

기술번호 : KST2015169786
담당센터 : 대구기술혁신센터
전화번호 : 053-550-1450

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 질화갈륨계 발광다이오드 소자 또는 유기 발광다이오드 소자의 기판에 자가 정렬 나노 구조체를 이용하여 나노 패턴으로 이루어지는 산화막을 형성토록 함으로써 내부에서 전반사의 가능성을 줄이고, 그에 따른 광추출 효율을 높일 수 있도록 한 광추출 효율을 높인 질화갈륨계 발광다이오드 소자, 광추출 효율을 높인 유기 발광다이오드 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 이에 따른 발광다이오드 소자 제조방법의 특징은, (a) 기판상에 나노 구조체를 도포하는 단계; (b) 나노 구조체가 도포된 기판상에 기판 굴절률보다 작은 굴절률 값을 갖는 산화막을 증착하는 단계; (c) 산화막 증착 후 도포된 나노 구조체를 제거하여 기판에 나노 패터닝된 산화막을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진다.이에 따르면, 기판 표면에 자가 정렬 나노 구조체를 도포하고, 나노 구조체들 사이를 통해 산화막을 증착한 후 나노 구조체를 제거하는 방법으로 기판 표면에 나노 크기의 산화막이 패턴으로 형성되어 광결정을 이루도록 함으로써 광추출 효율을 향상시키는 효과가 있다.
Int. CL	H01L 33/22 (2014.01)
CPC
출원번호/일자	1020120128167 (2012.11.13)
출원인	포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1383097-0000 (2014.04.02)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20140410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.11.13)
심사청구항수	17

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	포항공과대학교 산학협력단	대한민국	경상북도 포항시 남구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김범준	대한민국	경기 고양시 일산동구
2	이종람	대한민국	경상북도 포항시 남구
3	손준호	대한민국	경북 경산시 경안로길

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인아이엠	대한민국	서울특별시 강남구 봉은사로 *, *호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	포항공과대학교 산학협력단		경상북도 포항시 남구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.11.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-0932295-18
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.06.04	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.06.13	수리 (Accepted)	4-1-2013-0025573-58
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.07.10	수리 (Accepted)	9-1-2013-0058076-46
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.11.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0798888-42
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.01.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0031253-36
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.01.13	수리 (Accepted)	1-1-2014-0031252-91
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.02.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5024386-11
9	등록결정서 Decision to grant	2014.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0220735-66
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.11.20	수리 (Accepted)	4-1-2019-5243581-27
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.11.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5245997-53
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2019-5247115-68

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 (a) 기판상에 나노 구조체를 도포하는 단계;(b) 나노 구조체가 도포된 기판상에 기판 굴절률보다 작은 굴절률 값을 갖는 산화막을 증착하는 단계;(c) 산화막 증착 후 도포된 나노 구조체를 제거하여 기판에 나노 패터닝된 산화막을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지며, 상기 (c) 단계에서 나노 구조체를 제거하는 방법은 산화막이 증착된 기판을 톨루엔(Toluene) 또는 BOE 수용액에 침전시키는 습식 식각으로 이루어짐을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계에서 기판상에 증착되는 산화막 증착은 굴절률 값이 각기 다른 산화막 물질이 복수 층을 이루며 증착되도록 각 산화막 물질의 층 배열에 따라 해당 층의 산화막 물질에 대응하는 증착 공정을 순차적인 실시로 이루어지고,상기 복수 층을 이루는 각 산화막 물질은 상기 기판에서부터 굴절률 값이 점차 작아지는 순서의 배열로 층을 이루는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 기판은 p형 질화갈륨계 물질 또는 n형 질화갈륨계 물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 기판은 유리, PET, PES, poly-imid, SU-8, PDMS, poly-carbonate 중 어느 하나의 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체는 Polystyrene, Polyethylene, SiO2, Glass 계열 물질 중 어느 하나의 물질로 이루어진 구 형상의 것임을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 나노 구조체는 Polystyrene 또는 Polyethylene 물질로 된 구 형상의 것이고, 상기 (a) 단계 이후에 플라즈마 처리로 나노 구조체의 크기를 조절하는 단계를 더 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체는 지름이 100㎚~3㎛ 크기의 지름을 갖는 구 형상의 것임을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 나노 구조체는 서로 다른 크기의 지름을 갖는 둘 이상의 것이 혼합된 것으로 이루어짐을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
9	9 제 1 항에 있어서,상기 (a) 단계는 기판상에 산화막으로 표면처리 한 후 시행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
10	10 제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계의 산화막 증착은 전자선 증착법, 스퍼터 증착법, 열 증착법 중 어느 하나의 방법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
11	11 제 2 항에 있어서,상기 산화막 중 어느 한 층의 증착 두께는 10Å~10,000Å인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
12	12 삭제
13	13 제 3 항에 있어서,상기 기판은 수직형 층 구조로 표면에 산화막이 형성되는 층이 질화갈륨계인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
14	14 제 13 항에 있어서,상기 나노 패터닝된 산화막을 형성한 후 KOH 또는 NaOH를 포함한 수용액에 침전시키는 습식 식각으로 나노 패턴을 피라미드 형태를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
15	15 제 14 항에 있어서,상기 습식 식각의 수용액 농도는 1M~8M인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
16	16 제 14 항에 있어서,상기 습식 식각의 시간은 5~60분인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
17	17 제 3 항에 있어서,상기 기판은 수평형 구조를 갖는 질화갈륨계 기판임을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
18	18 제 1 항 내지 제 11 항, 제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판에 증착 형성되는 산화막은 ITO, IGO, IZO, ZnOx, ZrOx, WOx MgOx, AlOx, SiOx, GaOx, VOx, TiOx 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 소자 제조방법
19	19 삭제
20	20 삭제

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2014077523	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2014077523	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	포항공과대학교 산합혁력단	산업원천기술개발사업(산업기술)	180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1383097-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20121113 출원 번호 : 1020120128167 공고 연월일 : 20140410 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140328 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 33/22 발명의 명칭 : 광추출 효율을 높인 질화갈륨계 발광다이오드 소자, 광추출 효율을 높인 유기 발광다이오드 소자의 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	354,000 원	2014년 04월 03일	납입
제 4 년분	금 액	289,800 원	2017년 03월 31일	납입
제 5 년분	금 액	166,600 원	2018년 04월 03일	납입
제 6 년분	금 액	86,000 원	2019년 03월 19일	납입
제 7 년분	금 액	164,000 원	2020년 04월 01일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.11.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-0932295-18
2	선행기술조사의뢰서	2013.06.04	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	출원인정보변경(경정)신고서	2013.06.13	수리 (Accepted)	4-1-2013-0025573-58
4	선행기술조사보고서	2013.07.10	수리 (Accepted)	9-1-2013-0058076-46
5	의견제출통지서	2013.11.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0798888-42
6	[명세서등 보정]보정서	2014.01.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0031253-36
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.01.13	수리 (Accepted)	1-1-2014-0031252-91
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.02.25	수리 (Accepted)	4-1-2014-5024386-11
9	등록결정서	2014.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0220735-66
10	출원인정보변경(경정)신고서	2019.11.20	수리 (Accepted)	4-1-2019-5243581-27
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.11.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5245997-53
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2019-5247115-68


과제고유번호	1415121963
세부과제번호	10035598
연구과제명	180lm/W급 고효율 나노기반 LED 개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	포항공과대학교산학협력단
성과제출연도	2012
연구기간	201003~201502
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

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