맞춤기술찾기
이전대상기술
산화아연 나노막대 어레이의 제조방법, 그것에 의해 제조된 산화아연 나노 막대 어레이 및 그것을 이용한 반도체 소자
- 기술번호 : KST2015169813
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 본 발명은 질화물 반도체의 선택적인 영역에 일정한 패턴으로 성장하는 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 및 이에 의해 제조된 산화아연 나노막대 어레이에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산화아연 나노막대 어레이 제조방법은 제1면 및 제2면을 갖는 성장기판을 준비하고; 상기 성장기판의 제1면 상에 질화물 반도체층을 성장시키고; 상기 질화물 반도체층 상에 지지기판을 배치하고; 상기 성장기판의 제2면 상에 레이저 조절 패턴을 형성하고; 상기 레이저 차단 패턴을 갖는 성장기판의 제2면으로부터 레이저를 조사하여 상기 성장기판을 상기 질화물 반도체층으로부터 제거하는 것을 포함할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | B82B 3/00 (2017.01.01) C01G 9/02 (2006.01.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020130053164 (2013.05.10) |
| 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단, 서울바이오시스 주식회사 |
| 등록번호/일자 | 10-2082450-0000 (2020.02.21) |
| 공개번호/일자 | 10-2014-0133723 (2014.11.20) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20200228) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2018.05.08) |
| 심사청구항수 | 22 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 2 | 서울바이오시스 주식회사 | 대한민국 | 경기도 안산시 단원구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이종람 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 2 | 김성주 | 대한민국 | 부산광역시 사상구 |
| 3 | 김범준 | 대한민국 | 경기 고양시 일산동구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인에이아이피 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, AIP빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 경상북도 포항시 남구 | |
| 2 | 서울바이오시스 주식회사 | 경기도 안산시 단원구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.05.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0415070-49 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.09.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5126387-92 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.07.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5089977-41 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5110518-03 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2016.12.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5192898-06 |
| 8 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2018.05.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0440447-17 |
| 9 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2018.05.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0447561-22 |
| 10 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2019.07.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0494205-66 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2019.09.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0907035-20 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2019.09.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-0907106-74 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 16 | 등록결정서 Decision to grant |
2019.11.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0859398-64 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제1면 및 제2면을 갖는 성장기판을 준비하고;상기 성장기판의 제1면 상에 질화물 반도체층을 성장시키고;상기 질화물 반도체층 상에 지지기판을 배치하고;상기 성장기판의 제2면 상에 마스크 패턴을 형성하고;상기 마스크 패턴을 갖는 성장기판의 제2면으로부터 레이저를 조사하여 상기 성장기판을 상기 질화물 반도체층으로부터 제거하는 것을 포함하되,상기 레이저 조사에 의해 상기 질화물 반도체층 상에 전사 패턴이 형성되는 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 2 |
2 청구항 1에 있어서,상기 성장기판이 제거된 질화물 반도체 상에 수열합성법을 이용하여 산화아연 나노막대 어레이를 성장시키는 것을 포함하는 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 3 |
3 청구항 2에 있어서,상기 수열합성법은 아연염과 헥사메틸렌테트라아민(hexamethylenetetramine)의 혼합용액을 사용하는 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 4 |
4 청구항 3에 있어서,상기 혼합용액의 몰 농도는 0 |
| 5 |
5 청구항 1에 있어서,상기 마스크 패턴은 리프트-오프 기술을 이용하여 형성되는 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 6 |
6 청구항 5에 있어서,상기 마스크 패턴은 산화물, 질화물, 유기물, 및 폴리머 중 어느 하나로 형성되는 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 7 |
7 청구항 5에 있어서,상기 리프트 오프 공정은 포토레지스트 패턴 상에 마스크층을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 것을 포함하되,상기 마스크층은 열증착법, 전자선 증착법, 또는 스퍼터 증착법을 이용하여 형성되는 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 8 |
8 청구항 6에 있어서,상기 산화물은 Al2O3, MgO, ZnO, NiO, ITO, 또는 SiO2인 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 9 |
9 청구항 1에 있어서,상기 질화물 반도체층은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 반도체층이거나 언도프트 반도체층인 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 10 |
10 청구항 1에 있어서,상기 지지기판은 Si, Cu, Ni, PDMS(polydimethylsiloxane), PET(polyethyleneterephthalate), 또는 PUA(polyurethaneacrylate)를 포함하는 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 11 |
11 청구항 1에 있어서,상기 성장 기판은 사파이어 기판이고,상기 사파이어 기판의 두께는 100 내지 1000㎛인 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 12 |
12 청구항 1에 있어서,상기 마스크 패턴은 서로 이격된 마스킹 요소들을 포함하고,상기 마스킹 요소들은 의 폭은 2 내지 100㎛ 이고, 상기 마스킹 요소들 사이의 간격은 2 내지 100㎛인 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 13 |
13 청구항 12에 있어서,상기 마스킹 요소들의 두께는 100nm 내지 1000nm인 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 14 |
14 청구항 1에 있어서, 상기 레이저는 248nm의 파장을 가지고, 400mJ 내지 700mJ의 에너지를 가지는 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 15 |
15 청구항 1에 있어서,상기 성장기판은 사파이어기판, 질화물계 기판, 또는 SiC 기판인 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 16 |
16 청구항 1에 있어서,상기 성장기판이 제거된 질화물 반도체층 표면을 UVO(UV/Ozone), 산소 플라즈마, 질소 플라즈마 또는 아르곤 플라즈마를 이용하여 표면 처리하는 공정을 더 포함하는 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 17 |
17 청구항 16에 있어서,상기 UVO(UV/Ozone)를 이용한 표면 처리 시간은 1분 내지 60분인 산화아연 나노막대 어레이 제조방법 |
| 18 |
18 청구항 1 내지 청구항 17의 어느 한 항의 나노막대 어레이 제조 방법으로 제조된 나노막대 어레이 |
| 19 |
19 지지 기판;상기 지지 기판 상에 배치된 질화물 반도체층; 및상기 질화물 반도체층 상에 단위 어레이들이 배열된 나노 막대 어레이를 포함하고,상기 나노 막대 어레이는 청구항 1 내지 청구항 17의 어느 한 항의 나노 막대 어레이 제조 방법으로 제조된 나노 막대 어레이이며,상기 단위 어레이 내의 나노 막대들은 링(ring) 형상 또는 플레이트 형상으로 배열된 반도체 소자 |
| 20 |
20 청구항 19에 있어서,상기 나노 막대들은 산화 아연을 포함하는 반도체 소자 |
| 21 |
21 청구항 19에 있어서,상기 단위 어레이 내의 나노 막대들은 불규칙하게 링(ring)형상 또는 플레이트 형상으로 배열된 반도체 소자 |
| 22 |
22 청구항 19에 있어서,상기 기판 상에 위치하는 질화물 반도체층을 더 포함하고,상기 나노 막대 어레이는 상기 질화물 반도체층 상에 위치하는 반도체 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2014182129 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2014182129 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-2082450-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20130510 출원 번호 : 1020130053164 공고 연월일 : 20200228 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20191127 청구범위의 항수 : 22 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법, 그것에 의해 제조된 산화아연 나노 막대 어레이 및 그것을 이용한 반도체 소자 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
| 1 |
(권리자) 서울바이오시스 주식회사 경기도 안산시 단원구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 541,800 원 | 2020년 02월 24일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.05.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0415070-49 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.09.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5126387-92 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.07.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5089977-41 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5110518-03 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2016.12.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5192898-06 |
| 8 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2018.05.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0440447-17 |
| 9 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2018.05.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2018-0447561-22 |
| 10 | 의견제출통지서 | 2019.07.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0494205-66 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2019.09.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0907035-20 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 | 2019.09.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-0907106-74 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 16 | 등록결정서 | 2019.11.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0859398-64 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345212249 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R31-2012-000-10059-0 |
| 연구과제명 | 첨단 기능성 신물질 시스템 기초 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200812~201308 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
| [1020130060292] | 발광 다이오드 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020130053164] | 산화아연 나노막대 어레이의 제조방법, 그것에 의해 제조된 산화아연 나노 막대 어레이 및 그것을 이용한 반도체 소자 | 새창보기 |
| [1020130044648] | 투명전극 형성방법과 그 투명전극 및 이를 포함하는 발광다이오드와 광학소자 | 새창보기 |
| [1020130039523] | 일체형 전도성 기판을 채용한 유기 발광 소자 | 새창보기 |
| [1020130039433] | 유기 소자 | 새창보기 |
| [1020130039341] | 일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020130039340] | 일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020130037669] | 페노싸이아진 층상 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기물 반도체 | 새창보기 |
| [1020130037314] | 리튬 이차전지용 음극, 이를 이용한 리튬 이차전지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020130025069] | 우수한 내식성을 가지는 발광다이오드 소자용 기판, 그 제조방법 및 발광다이오드 소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020130025068] | 우수한 내식성을 가지는 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020130022870] | 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 | 새창보기 |
| [1020130022501] | 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극을 채용한 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020130022499] | 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막을 포함한 유기 태양 전지 | 새창보기 |
| [1020130022497] | 전도성 박막, 이의 제조 방법 및 이를 포함한 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020130022496] | 전도성 박막 및 이를 포함한 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020130017217] | 정렬된 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자 | 새창보기 |
| [1020130017180] | 정렬된 구리산화물 반도체 나노와이어를 포함하는 전계효과 트랜지스터 어레이 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020130017017] | 정렬된 산화물 반도체 나노와이어를 포함하는 전계효과 트랜지스터 어레이 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020130016981] | 정렬된 금속 산화물 나노선을 이용한 대면적 나노선 가스 센서 어레이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020130011503] | 정렬된 금속 나노선을 이용한 대면적 나노선 전극 어레이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020130011502] | 정렬된 구리 나노선을 이용한 대면적 나노선 전극 어레이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020130006570] | 플렉서블 도전성 금속 구조체 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020130005999] | ITO 형성용 조성물, 이를 이용한 박막 형성방법과 발광다이오드 및 광학반도체 소자 | 새창보기 |
| [1020130004515] | 양자점 태양전지의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020120153483] | 정렬된 발광성 유기 나노섬유를 포함하는 레이저 소자 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020120095125] | 스티렌 단량체를 이용한 전기 방사된 폴리스티렌 나노 섬유의 제조 방법 및 폴리스티렌-양자점 하이브리드 나노섬유의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020120090785] | 유기발광다이오드의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020120090783] | 유기발광다이오드의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020120073063] | 화재시 출입문 잠김 자동해제장치 | 새창보기 |
| [1020120073062] | 거품을 형성하는 고무장갑 | 새창보기 |
| [1020120028241] | 고효율 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020120027048] | 태양전지 | 새창보기 |
| [1020120021925] | 도전성 플렉서블 기판 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110130328] | 웨이퍼의 본딩 방법 및 그 방법에 의해 제조된 전자소자 | 새창보기 |
| [1020110126844] | 스마트 표면을 이용한 나노임프린트 기술 개발 | 새창보기 |
| [1020110121490] | 발광 다이오드 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110115497] | 유기전자소자의 봉지방법, 봉지된 유기전자소자 및 봉합재 | 새창보기 |
| [1020110104087] | 단순화된 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110101769] | 술폰화된 고분자막을 이용한 물 정제용 분리막 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110091763] | 반사기판을 포함하는 유기 발광 다이오드 | 새창보기 |
| [1020110091761] | 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110091759] | 유기 발광 다이오드의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110089790] | 투명 전도성 플렉서블 기판 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110078630] | 유기 발광 다이오드용 기판, 이의 제조방법 및 이를 구비한 유기 발광 다이오드 | 새창보기 |
| [1020110073700] | 유기 발광 다이오드용 기판 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110071331] | 기판의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110070253] | 투명 전극을 이용한 발광다이오드 | 새창보기 |
| [1020110070032] | 탄소 박막 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110067428] | 태양전지 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110065451] | 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 기판 | 새창보기 |
| [1020110064227] | 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 기판 | 새창보기 |
| [1020110061606] | 나노 임프린트를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조방법과 이를 통해 제조된 발광 다이오드 소자 | 새창보기 |
| [1020110060591] | 발광 다이오드 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020110050845] | 높은 일함수를 가지는 고분자 전극을 채용한 단순화된 유기 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020110050844] | 전극 및 이를 포함한 전자 소자 | 새창보기 |
| [1020110050843] | 탄소 박막 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110027747] | 디메틸아미노프로필슬폰 및 그 미믹을 브러쉬 말단으로 가지는 자기조립성 고분자의 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110025883] | 그래핀의 합성 방법 | 새창보기 |
| [1020110012862] | 광발광이 개선된 입방체형 Ｃ70과 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110008583] | 습식식각형 버퍼층을 이용한 수직형 발광다이오드 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020110006114] | 패터닝된 사파이어 기판에 성장된 ＬＥＤ 에피층을 이용하는 수직형 발광다이오드의 제조방법과 이에 의해 제조된 수직형 발광다이오드 | 새창보기 |
| [1020100139624] | 발광다이오드 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020100139057] | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 | 새창보기 |
| [1020100112966] | 열전도성이 향상된 강판 | 새창보기 |
| [1020100068714] | 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100060450] | 표면증강라만산란 분광용 기판 및 이를 이용한 표면증강라만산란 분광법 | 새창보기 |
| [1020100047407] | 전자선 증착장비를 이용한 산화아연 나노 막대 제조 방법 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2014042767][포항공과대학교 산학협력단] | 강한 전하를 가지는 나노입자 표면 분자체와 이를 이용한 생접합 및 층상 자기조립방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2014039252][포항공과대학교 산학협력단] | 표면 개질된 금속 나노입자 및 그 용도 | 새창보기 |
| [KST2014058799][포항공과대학교 산학협력단] | 나노입자 구조의 가역적인 변환 방법 | 새창보기 |
| [KST2015187249][포항공과대학교 산학협력단] | 나노미터 수준의 고정밀 패턴 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2014063953][포항공과대학교 산학협력단] | 3차원 고분자 나노선 광배선 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014027197][포항공과대학교 산학협력단] | 게르마늄 나노결정립의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015169168][포항공과대학교 산학협력단] | 자기조립 블록 공중합체를 이용한 나노 구조물 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015169299][포항공과대학교 산학협력단] | 표면 증강 라만 산란 입자 및 이를 이용한 분석 시스템 | 새창보기 |
| [KST2014026453][포항공과대학교 산학협력단] | 불균일 구리 나노 촉매 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015170182][포항공과대학교 산학협력단] | 소수성 시트 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2017008998][포항공과대학교 산학협력단] | 구리 3차원 나노구조체의 제조방법(MANUFACTURING METHOD OF COPPER 3-DEMENSION NANOSTRUCTURE) | 새창보기 |
| [KST2014042768][포항공과대학교 산학협력단] | 양극산화된 TiO2 나노튜브를 이용한 수직성장된 PbTiO3 나노와이어의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2017015823][포항공과대학교 산학협력단] | 효과적인 광화학 또는 광전기화학 반응을 위한 3차원 하이브리드 나노 구조 소자 및 그 제조 방법(THREE DIMENSIONAL HYBRID NANOSTRUCTURES BASED MATERIALS FOR EFFICIENT PHOTOCHEMICAL OR PHOTOELECTROCHEMICAL REACTION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) | 새창보기 |
| [KST2015169967][포항공과대학교 산학협력단] | 금속 나노 막대의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015187227][포항공과대학교 산학협력단] | 나노 입자 제조 장치 및 이를 이용한 나노 입자 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015169050][포항공과대학교 산학협력단] | 필름 및 이를 제조하는 방법 | 새창보기 |
| [KST2014039258][포항공과대학교 산학협력단] | 이중구조 나노입자 빔 생성방법 | 새창보기 |
| [KST2015186760][포항공과대학교 산학협력단] | 알루미나 나노튜브의 제조방법 및 제조된 알루미나나노튜브의수소저장체로서의 용도 | 새창보기 |
| [KST2015169733][포항공과대학교 산학협력단] | 수용해도 및 수분산성이 향상된 α-형태의 아연-프탈로시아닌 나노와이어, α-형태의 아연-프탈로시아닌 나노와이어／페노티아진 복합체, 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015169961][포항공과대학교 산학협력단] | 니켈 박막 촉매의 산화 환원 반응을 이용한 니켈실리사이드 나노 구조체의 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2014043050][포항공과대학교 산학협력단] | 그라핀 가장자리 모양 구별 방법 | 새창보기 |
| [KST2014055866][포항공과대학교 산학협력단] | 분말야금용 미세분말의 자기적 배열을 이용한 미세구조물 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014026471][포항공과대학교 산학협력단] | 페하 민감성 금속 나노 입자 및 이의 제조 방법. | 새창보기 |
| [KST2015170079][포항공과대학교 산학협력단] | 표면유도 자기조립에 의한 단결정 공액고분자 나노구조체의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015187288][포항공과대학교 산학협력단] | 산화아연 나노 세선의 근접장 광촉매 | 새창보기 |
| [KST2015186640][포항공과대학교 산학협력단] | 덴드론 혹은 덴드론 유도체로 안정화된 금속 나노 입자 및그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014042769][포항공과대학교 산학협력단] | 양쪽성 이온을 가진 나노입자 표면 개질용 표면 분자체의 합성과 그 응용 | 새창보기 |
| [KST2015169708][포항공과대학교 산학협력단] | 나노 입자를 포획하고 있는 층상이중수산화물 또는 혼합금속수산화물 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015170113][포항공과대학교 산학협력단] | 균일한 핵/껍질 구조 나노결정의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015169084][포항공과대학교 산학협력단] | 양극 산화 알루미늄과 원자층 증착 공정을 이용한 루테늄 나노 구조물의 제조방법 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|