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발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015169819
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속층 및 금속 산화물층을 포함하는 투명 전극을 적용한 질화갈륨계 발광 다이오드에 대한 것이다. 본 발명에 따른 발광 다이오드는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 n형 질화갈륨계 반도체층, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층 상에 위치하는 p형 질화갈륨계 반도체층, 상기 n형 질화갈륨계 반도체층과 상기 p형 질화갈륨계 반도체층 사이에 개재된 활성층, 상기 p형 질화갈륨계 반도체층 상에 위치하는 투명전극을 포함하되, 상기 투명전극은 제1 금속층 및 금속 산화물층이 순차적으로 형성된 다층구조로 이루어지고, 상기 금속 산화물층과 외부 환경과의 계면에서 상기 금속 산화물층의 임피던스가 외부 환경의 임피던스와 매칭을 이룬다.
Int. CL H01L 33/42 (2010.01) H01L 33/32 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1020130060292 (2013.05.28)
출원인 포항공과대학교 산학협력단, 서울바이오시스 주식회사, 주식회사 글로우원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0140166 (2014.12.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 서울바이오시스 주식회사 대한민국 경기도 안산시 단원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김성준 대한민국 서울특별시 동작구
3 송양희 대한민국 경기도 광명시 광덕산로 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인에이아이피 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, AIP빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0472210-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-5126387-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5089977-41
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5110518-03
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2016-5192898-06
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2018.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0440447-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 위치하는 n형 질화갈륨계 반도체층;상기 n형 질화갈륨계 반도체층 상에 위치하는 p형 질화갈륨계 반도체층;상기 n형 질화갈륨계 반도체층과 상기 p형 질화갈륨계 반도체층 사이에 개재된 활성층;상기 p형 질화갈륨계 반도체층 상에 위치하는 투명전극을 포함하되,상기 투명전극은 제1 금속층 및 금속 산화물층이 순차적으로 형성된 다층구조로 이루어지고,상기 금속 산화물층과 외부 환경과의 계면에서 상기 금속 산화물층의 임피던스가 외부 환경의 임피던스와 매칭을 이루는 발광 다이오드
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 금속층은 Ag, Au 및 Al중에서 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제1 금속층의 두께는 1㎚ 내지 100㎚ 인 발광 다이오드
4 4
청구항 1에 있어서,상기 제1 금속층과 상기 p형 반도체층 사이에 제2 금속층을 더 포함하는 발광 다이오드
5 5
청구항 4에 있어서,상기 제2 금속층은 Ti, Ni, 및 Cr 중에서 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드
6 6
청구항 4에 있어서,상기 제2 금속층의 두께는 0
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 금속 산화물층은 WOx, ZnOx, CaOx, TiOx, NiOx, CoOx, CeOx, SiOx, CuOx, AZO 및 MoOx 중 적어도 하나 이상을 포함하는 발광 다이오드
8 8
청구항 1에 있어서,상기 금속 산화물층의 두께는 1㎚ 내지 1000㎚인 발광 다이오드
9 9
청구항 1에 있어서,상기 금속 산화물층의 상부면은 패터닝되어 있는 발광 다이오드
10 10
청구항 7에 있어서,상기 패터닝은 포토리소그래피법 또는 나노 임프린트법에 의해 형성되는 발광 다이오드
11 11
청구항 1에 있어서,상기 제1 금속층 및 금속 산화물층은 열증착법으로 형성되는 발광 다이오드
12 12
청구항 1에 있어서,상기 제1 금속층 상의 일부 영역에 p형 전극패드가 더 형성된 발광 다이오드
13 13
청구항 12에 있어서,상기 p형 전극패드는 Cr, Au, Ti, Al, Ni, Pd, Pt 또는 Ag 중에서 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드
14 14
청구항 12에 있어서,상기 금속 산화물층은 상기 p형 전극의 측면 및 상부 각각의 일부를 덮는 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20140353709 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2014353709 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.